开发最早技术最成熟的最经典的单质半导体有哪两类

硅和锗。

半导体材料可分为单质半导体及化合物半导体两类，前者如硅、锗等所形成的半导体，后者为砷化镓、氮化镓、碳化硅等化合物形成。半导体在过去主要经历了三代变化。砷化镓、氮化镓和碳化硅半导体分别作为第二代和第三代半导体的代表，相比第一代半导体高频性能、高温性能优异很多，制造成本更为高昂，可谓是半导体中的新贵。

碳化硅的物理性能1、碳化硅的热导率及线膨胀系数。作为一种耐火材料，碳化砖具有优越的抗热震性能。这一点具体表现在它具有高的热导率(导热系数)和较低的线膨胀系数。一般工程计算上取碳化硅的导热系数为6.28～9.63W.M-1.K-1。此值约为刚玉导热系数的4倍。在25～1400℃范围内，碳化硅的平均线膨胀系数可取4.4×l0-6K-1而刚玉的线膨胀系数为(7～8)×l0-6K-1。2、碳化硅的导电性能。碳化硅是一种半导体，其导电性能随晶体中引入杂质的种类和数量的不同而变化，电阻率在10-2-1012Ω·cm之间。其中对碳化硅导电性影响较大的杂质是铝、氮和硼，含铝较多的碳化硅导电性显著加大。碳化硅的导电性随电场强度的加大而迅速提高，且具有非线性变化的特点。碳化硅的这一特性被用于制作避雷器阀片。3、碳化硅的电阻率。碳化硅的电阻率随温度的变化而改变，但在一定的温度范围内与金属的电阻温度特性相反。碳化硅的电阻率与温度的关系更为复杂。碳化硅的导电率随温度升高到一定值时出现峰值，继续升高温度，导电率又会下降。

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