电力半导体器件与普通半导体器件有什么不一样

电力半导体器件属于电力电子器件，它所承受的电压电流都比一般的半导体器件大的多，电力电子器件说白了就是普通半导体器件的放大版本，不同之处在于电力电子器件是用于处理能量输送能量的。而普通半导体器件用于处理弱电信号。

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IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。特点：击穿电压可达1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。

所有以电子元器件组成的产品都可以统称为电子产品。例如：军用品：雷达、无线收发信机、军用卫星、军有通信设备等；民用品：家电类：电视接收机、冰箱、冰柜、空调、VCD、收音机、录像机、手机、电话等；专业类：广播、电视发射机、专业录像机、播控设备、各种电子仪器仪表等；玩具类：各种电子玩具。

从工业和信息化部运行监测协调局了解到，2012年1～11月，我国电子信息产品进出口总额10685亿美元，同比增长4.1%，增速比1～10月提高0.8个百分点。

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