实际半导体晶体与理想晶体有什么区别?

实际半导体晶体与理想晶体有什么区别?,第1张

实际金属晶体结构与理想结构偏离。理想晶体实际是单晶体,即内部晶格位向完全一致的晶体,如单晶Si半导体。而实际使用的金属,即使体积很小,其内部仍包含了许多颗粒状的小晶体,每个小晶体内部的晶格位向是一致的,而各个小晶体彼此间的位向都不同,是多晶体(由许多位向不同的晶粒构成的晶体)。 这样晶体的各向异性上就产生区别,当晶体内部的晶格位向完全一致而形成理想状态下的单晶体时,该晶体必然具有【各向异性】的特征,但实际金属是多晶体,故宏观上显示出【各向同性】。在实际金属晶体的一个晶粒内部,其晶格也并不象理想晶体那样完全一致,而是存在着许多尺寸更小、位向差也很小的小晶块,它们相互镶嵌成一颗晶粒,这些小晶块称【亚组织】。 实际晶体中,原子排列不完整,偏离理想分布的结构区域称为晶体的缺陷。这种局部存在的晶体缺陷,对金属的性能影响很大。 晶体缺陷按尺寸可分为:点缺陷、线缺陷、面缺陷。它们在力学性能上对金属就有影响,使得金属塑性、硬度以及抗拉压力显著降低等等。09-09-06矿物晶簇是指由生长在岩石的裂隙或空洞中的许多矿物单警惕所组成的簇状集合体,它们一端固定于共同的基地岩石上,另一端自由发育而具有良好的晶行。晶簇可以有单一的同种矿物的晶体组成,也可以由几种不同的矿物的晶体组成。 在自然界以完好单晶或晶醋产出的矿物比较稀少,一般都要在晶洞裂隙中才有可能找到。这是因为矿物警惕发育完整的重要条件是需要一个能自由生长的良好空间,且容液的过饱和度比较低,使矿物结晶速度进行得比较缓慢。在一定温压条件下,流体和洞壁围岩不断相互作用,才能生成各种发育完好的矿物晶簇。 我国幅员辽阔,地质背景复杂,自然环境条件各异,矿物晶簇的分布很广,种类繁多现就最常见和重要的几种作简略介绍。 水晶水晶是结晶完好的石英晶体,化学组成是氧化硅(SiO2)。晶体状态的由六方双锥和六方柱构成的带锥头的六方体。其颜色多种多样:无色透明的或乳白色半透明的称水晶,紫色的称紫晶,烟灰色的属烟晶,茶褐色的为茶晶,黄色的称黄水晶,玫瑰色的为蔷薇水晶(芙蓉石)等。其中紫晶是最受人们喜爱的宝石品种之一,除它的颜色高雅外,我们的祖先还认为紫晶可以促使互相谅解,保佑平安和万事如意。国际宝石学界把紫晶列为2月生辰石。 水晶大多呈单晶晶簇产出,有时还可能和其他矿物晶簇(如萤石、重晶石、辰砂或镜铁矿等)共生。与其共生的镜铁矿往往呈花瓣状集合体,构成“铁玫瑰”形态十分美观。水晶晶簇本身常组成形如菊花的放射状集合体,很受人们的喜爱。水晶几乎产于全国各省(市、自治区),但以江苏、贵州、四川、内幕古、海南等省较多。在国外,巴西以盛产水晶著称,特别的紫晶,其他产地还有马达加斯加、日本和美国等。 水晶矿床主要为花岗伟晶岩型和中温热液充填型。前者多出现于花岗岩体的内、外接触带,后者则分布于硅质岩层(如石英岩、砂岩、硅质页岩、片麻岩)及灰岩、白云岩中呈脉状、透镜状晶洞产出。 方解石方解石也是一种分布广泛的常见矿物晶体(簇),化学组成是碳酸钙(CaCO3),主要为无色或白色,有时因含其他元素而呈浅黄、浅红、紫、褐黑色等。无色透明的方解石晶体称冰州石,是重要的光学材料。方解石晶体一般发育完好,形态多种多样,常见的有柱状体、菱面体、板状体、三角面体等。单晶大小可以从几毫米至数十厘米不等。因此,方解石晶簇形态丰富多姿,造型美观。有时,方解石晶簇可和金属硫化物晶体(如黄铁矿、闪锌矿)共生,形态更为美丽。笔者在湖南水口山铅锌矿考察时,曾见过巨大壮观的以方解石晶簇为主的晶洞,其中可容纳数十人之多,局部可见到菱面体状方解石晶簇和半透明的棕色闪锌矿晶体共生产出,构成美丽的图案。方解石晶簇主要产于以碳酸盐岩为围岩的热液脉状矿床中,如贵州、广西、云南等省,那里有大量碳酸盐岩地层分布,岩浆活动不发育,因此其生成温度一般比水晶稍低。 萤石萤石是一种钙的氟化物(CaF2)。矿物晶体大多为半透明至透明,在紫外线照射下出现极强的荧光。矿物常呈现多种诱人的颜色,包括红色、绿色、蓝色、褐色、黄色、橙黄色和紫色等。晶体通常为立方体,两个立方体常相互穿插构成双晶,取次为八面体及菱形十二面体。单晶大小可由数毫米至几十厘米。 萤石大部分形成于热液作用阶段。按其产出围岩的不同,可大致分为两类:一种产于硅酸盐岩中,如花岗岩、流纹质火山岩、页岩及砂岩等,主要共生矿物有方解石、重晶石及各种金属硫化物,如闪锌矿、方铅矿、黄铜矿和黄铁矿等。我国萤石资源极其丰富,晶簇往往也很发育,在浙江、山东、辽宁、广东、云南、湖南、贵州、四川等省均有产出。 绿柱石这是一种含铍的铝硅酸盐矿物(Be3Al2Si6O18)。晶体常成六方柱和六方锥体,具玻璃光泽。由于所含碱金属和微量元素的不同,可呈现不同颜色,有无色、绿色、蓝色、玫瑰色和紫红色等。其中祖母绿是绿柱石家族中最珍贵的成员和宝石。其所呈现的鲜艳绿色,归因于矿物中含有铬和钒。祖母绿青翠悦目,使各个时代的人都为之着迷,它有“绿色之王”的美誉,特别为东方民族所酷爱。自古以来,祖母绿一直同钻石、红宝石和蓝宝石共同列为世界四大珍贵宝石。 绿柱石一般产于由高温气液作用形成的花岗伟晶岩中,常与白云母、微斜长石等晶体集合体共生。绿柱石单晶的大小从几厘米到数十厘米不等。我国新疆阿尔泰地区是绿柱石的主要产地,甘肃、云南等省也有产出。但祖母绿的生成地质环境较特殊,如美国北卡罗来纳州的祖母绿产于超基性岩(一种超镁铁质的侵入岩)内的花岗伟晶岩晶洞中。我国云南有高温气成熟液脉型的白钨矿——祖母绿矿床,产于含铍二云母花岗岩体外接触带,围岩为含铬、钒较高的古来变质岩。 刚玉它的化学组成为氧化铝(AI2O3),其硬度为9,仅次于钻石(钻石的硬度为10)。天然刚玉一般都含有微量元素杂质,主要有铬、钛、锰、钒等因此使刚玉带有不同颜色,如黄灰、蓝灰、红、蓝、紫、绿、棕、黑色等。刚玉的晶体形态常呈桶状、柱状或板状,晶形大多都较完整,具玻璃光泽至金刚光泽。 红宝石是指含铬的具鲜艳红色的透明到半透明的刚玉,是一种非常珍贵的宝石,目前市场上优质的红宝石比钻石还珍贵,红宝石的著名产地是缅甸、泰国、斯里兰卡、巴西和越南。它主要产于侵入岩体外接触带的白色粗粒大理岩中,呈浸染状斑晶产出。其必要的生成地质条件是高温、富铝、缺硅并有铬的来源。我国西藏和云南等地也已发现类似成因的红宝石矿床。 蓝宝石是泛指除红色以外的任何颜色色调的宝石级刚玉。它们的颜色有白、黄、青、蓝、紫、玫瑰等色,但以蓝色者最为常见。蓝色是由于刚玉晶体中含有钛和铁所致。蓝宝石的主要产地的巴西、缅甸、泰国和澳大利亚等地。但其产出的地质条件却和红宝石不一样,主要产于碱性玄武岩中。我国山东也有类似成因的蓝宝石矿床,只是蓝宝石晶体的颜色过深。蓝宝石的另一种类型产于碱性侵入岩与富镁碳酸盐岩的内接触带夕卡岩中。 辉锑矿它属于锑的硫化物(Sb2Ssss3),铅灰色,金属光泽。单晶呈长柱状或针状,柱面有明显的纵纹。晶体集合体常呈放射状或束状。单晶大小从几厘米到几十厘米。辉锑矿是分布最广的锑化物,见于中低温热液充填矿床中。我国湖南锡矿山是世界上最大最著名的辉锑矿产地,贵州、广西、陕西等省也有不少辉锑矿床产出。除了上述列举的一些常见和挂、贵重的矿物晶簇外,在自然界还有不少美观和较为常见的矿物晶簇,如石榴子石、黄铁矿、锡石、辰砂、蓝铜矿、孔雀石、雄黄、雌黄、电气石、石膏、角闪石、绿帘石、红柱石、天青石、鱼眼石等。限于篇幅,这里不能一一列举。 矿物晶簇是观赏石中一个大的重要类别。欧美等西方国家对矿物晶簇十分推崇和爱好,收藏也卓见成效。随着我国经济的飞速发展和人民物质生活和文化水平的不断提高,观赏石,特别是矿物晶簇的开发和发展也快速兴起,已成为一个国家文化和文明程度的标志之一。 由于矿物晶体是天然形成的,不是人造的,因此是不可再生的宝贵资源。它们不仅具有地域性、稀有性、奇特性、艺术性、科学性和商品性等特点,还具有观赏、玩味、陈列、收藏和科学研究价值。它们以奇特的晶形、千姿百态的造型、艳丽多彩的色泽和漂亮珍贵的质地等特点而受到越来越多人们的青睐,观后使人赏心悦目,回味无穷。我国各地,特别是大城市已开始出现观赏石,特别是矿物晶簇的收藏、展览和经营热潮,如在北京、桂林等地,目前至少已有数十家出售奇石、观赏石、矿物晶簇的商店。但现在对矿物晶簇的新产地的勘察、产出地质环境和形成机理的研究以及艺术加工、合理的开发利用和资源保护等工作,还远远不够,往往只追求一时的商业价值,而忽视资源保护及其艺术性和科学价值。这是今后应该注意的问题。

半导体是一种电导率在绝缘体至导体之间的物质,其电导率容易受控制,可作为信息处理的元件材料。从科技或是经济发展的角度来看,半导体非常重要。很多电子产品,如计算机、移动电话、数字录音机的核心单元都是利用半导体的电导率变化来处理信息。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等,而硅更是各种半导体材料中,在商业应用上最具有影响力的一种。

基本简介

半导体

顾名思义:常温下导电性能介于导体(conductor)与绝缘体(insulator)之间的材料,叫做半导体(semiconductor)。

物质存在的形式多种多样,固体、液体、气体、等离子体等等。我们通常把导电性和导电导热性差或不好的材料,如金刚石、人工晶体、琥珀、陶瓷等等,称为绝缘体。而把导电、导热都比较好的金属如金、银、铜、铁、锡、铝等称为导体。可以简单的把介于导体和绝缘体之间的材料称为半导体。与导体和绝缘体相比,半导体材料的发现是最晚的,直到20世纪30年代,当材料的提纯技术改进以后,半导体的存在才真正被学术界认可。

半导体的分类,按照其制造技术可以分为:集成电路器件,分立器件、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、储存器等大类,一般来说这些还会被分成小类。此外还有以应用领域、设计方法等进行分类,虽然不常用,单还是按照IC、LSI、VLSI(超大LSI)及其规模进行分类的方法。此外,还有按照其所处理的信号,可以分成模拟、数字、模拟数字混成及功能进行分类的方法。

基本定义

电阻率介于金属和绝缘体之间并有负的电阻温度系数的物质。

半导体室温时电阻率约在10E-5~10E7欧·米之间,温度升高时电阻率指数则减小。

半导体材料很多,按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。

锗和硅是最常用的元素半导体;化合物半导体包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物(砷化镓、磷化镓等)、Ⅱ-Ⅵ族化合物(硫化镉、硫化锌等)、氧化物(锰、铬、铁、铜的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体(镓铝砷、镓砷磷等)。除上述晶态半导体外,还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等。

半导体(东北方言):意指半导体收音机,因收音机中的晶体管由半导体材料制成而得名。

本征半导体

不含杂质且无晶格缺陷的半导体称为本征半导体。在极低温度下,半导体的价带是满带(见能带理论),受到热激发后,价带中的部分电子会越过禁带进入能量较高的空带,空带中存在电子后成为导带,价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位,称为空穴。导带中的电子和价带中的空穴合称电子 - 空穴对,均能自由移动,即载流子,它们在外电场作用下产生定向运动而形成宏观电流,分别称为电子导电和空穴导电。这种由于电子-空穴对的产生而形成的混合型导电称为本征导电。导带中的电子会落入空穴,电子-空穴对消失,称为复合。复合时释放出的能量变成电磁辐射(发光)或晶格的热振动能量(发热)。在一定温度下,电子 - 空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡,此时半导体具有一定的载流子密度,从而具有一定的电阻率。温度升高时,将产生更多的电子 - 空穴对,载流子密度增加,电阻率减小。无晶格缺陷的纯净半导体的电阻率较大,实际应用不多。

分立功率器件按照功率的大小划分为大功率半导体器件和中小功率半导体器件。具体来说,大功率晶闸管专指承受电流值在200A 以上的晶闸管产品;大功率模块则指承受电流25A 以上的模块产品;大功率IGBT、MOSFET 指电流超过50A 以上的IGBT、MOSFET 产品。

1956 年美国贝尔实验室(Bell Lab)发明了晶闸管,国际上,70 年代各种类型的晶闸管有了很大发展,80 年代开始加快发展大功率模块,同时各种大功率半导体器件在欧美日有很大的发展,90 年代IGBT 等全控型器件研制成功并开始得到应用。

在国内,60 年代晶闸管研究开始起步,70 年代研制出大功率的晶闸管,80年代以来,大功率晶闸管在中国得到很大发展,同时开始研制模块;本世纪以来,开始少量引进超大功率晶闸管(含光控晶闸管)技术;近年来国家正在逐步引进IGBT、MOSFET 技术。中国宏观经济的不断成长,带动了大功率半导体器件技术的发展和应用的不断深入。

晶闸管、模块、IGBT 的发明和发展顺应了电力电子技术发展的不同需要,是功率半导体发展历程中不同时段的重要标志产品,他们的应用领域、应用场合大部分不相同,小部分有交叉。在技术不断发展和工艺逐步改善的双重推动下,[1]大功率半导体器件将向着高电压、大电流、高频化、模块化、智能化的方向发展。在10Khz 以下、大功率、高电压的场合,大功率晶闸管和模块具有很强的抗冲击能力及高可靠性而占据优势,同时又因成本较低、应用简单而易于普及。在10Khz 以上、中低功率场合,IGBT、MOSFET 以其全控性、适用频率高而占据优势。


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