测定半导体导电类型的方法有几种

一种。霍尔效应。

确定半导体导电类型的实验方法就是霍尔效应测量了。再就是理论推导，根据元素类型，进行计算。

在磁场中，通电导体会出现横向电压的现象，多子为电子的n型和多子为空穴的p型半导体，由于载流子的正负属性不同，会使横向电压方向不同，从而可以测出类型。

扩展资料：

在半导体上外加与电流方向垂直的磁场，会使得半导体中的电子与空穴受到不同方向的洛伦兹力而在不同方向上聚集，在聚集起来的电子与空穴之间会产生电场，电场力与洛伦兹力产生平衡之后，不再聚集，此时电场将会使后来的电子和空穴受到电场力的作用而平衡掉磁场对其产生的洛伦兹力，使得后来的电子和空穴能顺利通过不会偏移，这个现象称为霍尔效应。而产生的内建电压称为霍尔电压。

参考资料来源：百度百科-霍尔效应

锗、硅、硒、砷化镓及许多金属氧化物和金属硫化物等物体，它们的导电能力介于导体和绝缘体之间，叫做半导体。

半导体具有一些特殊性质。如利用半导体的电阻率与温度的关系可制成自动控制用的热敏元件（热敏电阻）；利用它的光敏特性可制成自动控制用的光敏元件，像光电池、光电管和光敏电阻等。

半导体还有一个最重要的性质，如果在纯净的半导体物质中适当地掺入微量杂质测其导电能力将会成百万倍地增加。利用这一特性可制造各种不同用途的半导体器件，如半导体二极管、三极管等。

把一块半导体的一边制成P型区，另一边制成N型区，则在交界处附近形成一个具有特殊性能的薄层，一般称此薄层为PN结。图中上部分为P型半导体和N型半导体界面两边载流子的扩散作用（用黑色箭头表示）。中间部分为PN结的形成过程，示意载流子的扩散作用大于漂移作用（用蓝色箭头表示，红色箭头表示内建电场的方向）。下边部分为PN结的形成。表示扩散作用和漂移作用的动态平衡。

一看自由移动的离子浓度大小，浓度越大，导电性越强。二看自由移动离子的电荷大小，电荷越多，导电能力越强，比如1M的NaCl溶液导电能力小于1M的MgSO4溶液。

一般来说金属半导体等等都是具有导电性的，而非电解质物体的导电能力要看它的具体电子结构和晶体结构。假如金属中的自由电子数量比较多，导电性就更好一些。而一般来说非金属中自由电子数量比较少，所以导电性也弱，这些都是因为它们不同的结构导致的。当然金属的导电性能和横截面，电阻率等等都有关系，这些都是物理上面讨论的点。

在生活银与铜的导电能力是最好的，不过根据资源稀缺度来看，铜资源在地球上的存储数量比铝少得多，所以综合总总因素考虑，人们会用铝制作成为导电用的线材。铝这种资源也有着很多优势，比如存储量很多，同时也是一种轻金属，好好处理的话可以使用更长时间，铜要相对重一些，一般只会在电器材料中用到。

物体导电的能力：一般来说金属、半导体、电解质溶液或熔融态电解质和一些非金属都可以导电。非电解质物体导电的能力是由其原子外层自由电子数以及其晶体结构决定的，如金属含有大量的自由电子，就容易导电，而大多数非金属由于自由电子数很少，故不容易导电。

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