FGL40N120AND是IGBT还是场效应管

FGL40N120AND是IGBT还是场效应管,第1张

FGL四0N依贰0ANDTU 是Fairchild的IGBT 四0A 依贰00V 不是场效应管能替代的. 我这边FGL四0N依贰0 在清货哦~! 场效应晶体管(英语:field-effect transistor,缩写:FET)是一种通过电场效应控制电流的电子元件。它依靠电场去控制导电沟道形状,因此能控制半导体材料中某种类型载流子的沟道的导电性。场效应晶体管有时被称为单极性晶体管,以它的单载流子型作用对比双极性晶体管(bipolar junction transistors,缩写:BJT)。尽管由于半导体材料的限制,以及曾经双极性晶体管比场效应晶体管容易制造,场效应晶体管比双极性晶体管要晚造出,但场效应晶体管的概念却比双极性晶体管早

2008年8月12日 – 全球领先的高能效电源半导体解决方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)扩充分立器件封装系列,推出新微封装的晶体管和二极管。新增加的封装拓展了公司的微封装晶体管和二极管系列,配合当今空间受限型便携应用的严峻设计需求。

安森美半导体标准产品部全球市场营销副总裁麦满权说:“对我们的便携产品客户来说,小尺寸、低高度且同时具备功率密度是相当关键的参数。安森美半导体提供用于电源管理、开关和保护应用的微封装二极管和晶体管,使便携产品能集成更多功能,而无须增加终端产品的尺寸或降低能效。”

新的微封装晶体管

安森美半导体现提供采用SOT-723、SOT-963和尺寸仅为1.0 mm x 0.6 mm x 0.37 mm 的SOT-1123封装的通用和偏置电阻晶体管(BRT)。这些更小尺寸、低高度的封装使设计工程师可在手机等应用中采用这些器件。这两种互补的微封装晶体管为无铅及无卤素器件。每8,000片批量的预算单价为0.06至0.08美元。

新的微封装二极管

低正向压降(Vf)肖特基二极管

安森美半导体扩充的SOD-923 NSR肖特基二极管系列,具有高达500毫安(mA)的更大电流能力和高达70伏(V)的更大反向阻断电压的器件。这些微封装肖特基二极管非常适用于相机闪光和模块驱动器、液晶显示器(LCD)升压转换器/或键盘背光以及空间受限型便携应用中的直流-直流(DC-DC)转换器应用。安森美半导体的肖特基二极管经过了高度优化,具有更低的正向压降和更低的泄漏电流,从而提供更高的能效和更低的损耗。这些肖特基二极管采用无铅、无卤素的SOD-923封装,每8,000片批量的预算单价为0.064美元。

新的齐纳二极管

安森美半导体领先业界的齐纳二极管产品系列中如今新增了NZ9F系列,这系列采用极小型SOD-923封装,尺寸仅为1.0 mm x 0.6 mm x 0.4 mm。NZ9F系列的固定状态功率耗散仅为 200毫瓦(mW),提供与SOD-323封装同等的功率处理能力,而占用的电路板空间仅相当于SOD-323封装的一小部分。这系列器件具有2.4 V至24 V的完整齐纳击穿电压范围及2%和5%的容限,在稳压和成本上为设计工程师提供最大的灵活性。这些齐纳二极管的典型应……

简介:高云半导体是一家FPGA芯片研发商,主要产品包括GW2A系列、GW2A系列等,同时公司还为用户提供半导体FPGA的MIPI接口匹配方案、半导体GW1N-4芯片的应用方案等。

法定代表人:陈同兴

成立时间:2014-01-03

注册资本:8220万人民币

工商注册号:440681000509457

企业类型:股份有限公司

公司地址:广州市黄埔区科学大道243号1001房


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