TCL科技2021年营收净利均倍增 新能源光伏及半导体材料成为新引擎

4月28日，TCL 科技 披露2021年年报，公司全年实现营业收入1635.4亿元，同比增长113.3%；实现净利润149.6亿元，同比增长195.3%；实现归属于上市公司股东净利润100.6亿元，同比增长129.2%。

面临当下半导体显示仍处于下行周期的困境，TCL 科技 正在新能源光伏及半导体材料业务上加码投入，现已成为公司价值增长新引擎。

TCL 科技 董事长李东生在年报中表示：“受惠全球节能减碳政策，新能源光伏迎来 历史 性机遇，TCL中环新能源光伏业务将加快发展；中环领先半导体材料业务要把握中国集成电路产业发展的机遇，预计今年TCL中环业务将持续强劲增长。”

转型全尺寸领域应对短期行情波动

年报显示，2021年上半年，半导体显示行业供需关系改善，行业集中度提升；受市场需求波动及物流成本影响，大尺寸产品价格在下半年有较大回调。报告期内，TCL华星实现销售面积3949.15万平方米，同比增长36%；半导体显示业务实现营业收入881亿元，同比增长88.4%；净利润106.5亿元，同比增长339.6%。

TCL 科技 表示，短期层面，受国际政经形势动荡影响，经济增速放缓，市场需求疲软，半导体显示行业的经营挑战加大，目前形势仍不容乐观。

但长期来看，LCD显示产业向中国大陆集中、竞争格局优化的趋势不变，头部企业在产能规模、技术研发、供应链生态等方面具备显著优势，行业进入壁垒大幅提高。

TCL华星将继续优化业务组合，加快从大尺寸显示龙头向全尺寸显示领先转型升级。随着t4二期和三期产能爬坡，19和t3扩建，TCL华星产能规模将持续高增长，大、中、小业务布局更加完善：大尺寸业务持续提升高端产品占比，率先实现全球领先，中小尺寸以产品线和技术线构建业务矩阵，结合柔性OLED、LTPS以及模组厂形成多元化业务布局，进行全技术别产品规划。

值得一提的是，在中尺寸业务领域，TCL华星产品结构不断丰富优化，电竞显示器市场份额在四季度跃居全球第一，t3产线加速中尺寸转型，非手机类产品收入占比提升至41%，LTPS笔电出货量全球第二，LTPS平板出货量全球第一，车载实现头部国内车厂批量出货和海外重点客户突破；在小尺寸业务领域，TCL华星通过差异化技术提升产品力，t3产线LTPS手机面板出货量保持全球第四，同时拓展VR/AR新型显示产品，盈利能力提升。

新能源光伏及半导体材料快速扩产

打造新引擎

在半导体显示的主营业务之外，当下TCL 科技 的新能源光伏及半导体材料业务已成为公司价值增长新引擎。报告期内，该业务实现营业总收入411亿元，同比增长115.7%，净利润44.4亿元，同比增长200.6%。

在新能源光伏产业领域，TCL中环的新能源光伏材料产能提升至88GW，产品适应性持续提升，市占率攀升至28%，依托G12硅片技术及制造模式的优势，G12硅片市场占有率全球第一，高效N型单晶硅片市场占有率全球第一，全球产业影响力进一步加强。

在半导体材料产业领域，公司半导体材料达成8英寸75万片/月、12英寸17万片/月的既定产能目标。8英寸产品已形成可对标国际一线厂商的产品综合能力和市场竞争力；12英寸产品处于突破期，应用于特色工艺的产品已通过多家国内一线客户认证并稳定量产；先进制程产品加速追赶，28nm以上产品在多家客户验证顺利，进入增量阶段。

值得一提的是，TCL 科技 如今正在加速进入新能源光伏及半导体材料产业领域。4月20日，TCL 科技 公告称，公司及子公司TCL中环与协鑫集团、保利协鑫能源签署了合作框架协议。各方拟就约10万吨颗粒硅、硅基材料综合利用生产及下游应用领域研发项目、约1万吨电子级多晶硅项目进行战略合作，总投资预计共120亿元。

TCL 科技 表示，通过本项目的建设，公司将实现在半导体光伏及半导体材料上游核心多晶硅材料的业务布局，助力实现公司“半导体光伏材料全球领先战略，半导体材料追赶超越战略”。

（编辑 孙倩）

首先是半导体是指室温下电导率介于导体和绝缘体之间的材料。半导体是指具有可控导电性的材料，范围从绝缘体到导体。从科学技术和经济发展的角度来看，半导体影响着人们的日常工作和生活，直到20世纪30年代，这种材料才得到学术界的认可。常见的半导体材料包括硅、锗、砷化镓等。硅是最有影响力的半导体材料之一。

其次是具有光伏的作用。半导体材料的光伏效应是太阳能电池工作的基本原理。目前，半导体材料的光伏应用已成为热点，是全球增长最快、发展最好的清洁能源市场。太阳能电池的主要材料是半导体材料，判断太阳能电池好坏的主要标准是光电转换率。光电转换率越高，太阳能电池的工作效率就越高。根据所用半导体材料的不同，太阳能电池分为晶体硅太阳能电池、薄膜电池和III-V族化合物电池。

再者是原理是接通电源后，发射结正向连接。在正向电场的作用下，发射区多数载流子(电子)的扩散运动加强。因此，发射区的电子在外电场的作用下很容易越过发射结进入基区，形成电子流IEN(注意电流的方向与电子运动的方向相反)。当然，基区的多数载流子(空穴)也会在外电场的作用下流向发射区，形成空穴电流IEP。然而，由于基区中的低杂质浓度，与来自发射区的电子流相比，

要知道的是在半导体的pn结上施加直流电压，P型区的空穴向N型区移动，N型区的电子向P型区移动。当电子和空穴在pn结界面附近结合时，将发射具有对应于半导体带隙的能量的光。使用带隙大的半导体可以获得高能光，比如可见光；低能光，如红外光，可以通过使用现代宽度小的半导体获得。

---