氮化镓充电器和普通充电器有什么区别

氮化镓充电器和普通充电器区别表现在：材质不同、特点不同。

1、材质不同

传统的普通充电器，它的基础材料是硅。

氮化镓（GaN）被称为第三代半导体材料。

2、特点不同

相比硅，氮化镓的性能成倍提升，而且比硅更适合做大功率器件、体积更小、功率密度更大。氮化镓芯片频率远高于硅，有效降低内部变压器等原件体积，同时优秀的散热性能也使内部原件排布可以更加精密。

普通充电器快充头体积大，携带起来非常不方便，一些大功率充电器长时间充电还容易引起充电头发热。

工作原理

所有手机充电器其实都是由一个稳定电源（主要是稳压电源、提供稳定工作电压和足够的电流）加上必要的恒流、限压、限时、过冲等控制电路组成。

原装充电器（指线充）上所标注的输出参数：比如输出4.4V/1A、输出5.9V/400mA，就是指内部稳压电源的相关参数。比如输出4.4V可以给4.5V的设备用，5.9V的可以给6V的设备用。

GaN基材料主要包括GaN及其与InN、AlN的合金,其禁带宽度覆盖整个可见光及紫外光谱范围。GaN及其三元化合物通常是以六方对称性的纤锌矿结构存在,但在一定条件下也能以立方对称性的闪锌矿结构存在。2种结构的主要差别在于原子层的堆积次序不同,因而电学性质也有显着差别。由于闪锌矿结构的gan不稳定,用于器件的一般都是纤锌矿结构。表1给出了2种结构的GaN及inn、aln的带隙宽度和晶格常数。

对于ingan、algan等三元化合物的各项参数可以用插值法估算:GaN是GaN基半导体材料中的基本材料,也是研究最多的Ⅲ族氮化物材料。gan材料非常坚硬,其化学性质非常稳定,在室温下不溶于水、酸和碱,其熔点较高,约为1700℃。GaN的电学性质是决定器件性能的主要因素。

电子室温迁移率可达900cm2/。较好的GaN材料的本底n型载流子浓度可以降到1016/cm3左右。由于n型本底载流子浓度较高,制备p型样品的技术难题曾经一度限制了GaN器件的发展。akasaki等人和nakamura等人分别通过低能电子束辐照(ieebi)和热退火处理技术,实现掺mg的gan样品表面p_型化。已经可以制备载流子浓度在1011至1020/cm3的p_型gan材料。