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半导体行业中使用的清洗剂、显影剂、光刻胶、蚀刻液等溶剂中含有大量有机物成分,在工艺过程中,这些有机溶剂大部分通过挥发成为废气排放。其废气的主体是VOCs,同时废气中还混合了HCl、氨、HF等危险污染物。
半导体有机废气处理办法
采用RTO设备处理
RTO蓄热式氧化炉是在高温下将可燃废气氧化成氧化物和水,净化废气,并回收废气分解时所释放出来的热量,废气分解效率达到99%以上,热回收效率达到95%以上。
直接燃烧法处理
有机废气风管废气收集→沸石转轮吸附浓缩→直燃炉(TO)→烟囱排气达标排放。
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半导体废气处理废气介绍:由于半导体工艺对 *** 作室清洁度要求极高,通常使用风机抽取工艺过程中挥发的各类废气,因此半导体行业废气排放具有排气量大、排放浓度小的特点。废气排放也以挥发为主。这些废气主要可以分为四类:酸性废气、碱性废气、有机废气和有毒废气。
废气危害:半导体制造工艺中产生的废气如果没有经过很好的处理进行排放,将造成严重的问题,不仅影响人们的身体健康,恶化大气环境,造成环境污染的公害事件等,也会成为半导体制造中AMC污染的重要来源。
处理方法:依据这些废气的特性,在处理上采用水洗、氧化/燃烧、吸附、解离、冷凝等方法,针对不同污染物,可采取以下综合处理方法:1.一般排气系统 2.酸性、碱性废气处理系统 3.有机废气处理系统
废气处理设备,主要是运用不同工艺技术,通过回收或去除减少排放尾气的有害成分,达到保护环境、净化空气的一种环保设备。
吸收设备
吸收法采用低挥发或不挥发性溶剂对VOCs进行吸收,再利用VOCs和吸收剂物理性质的差异进行分离。
含VOCs的气体自吸收塔底部进入塔内,在上升过程中与来自塔顶的吸收剂逆流接触,净化后的气体由塔顶排出。吸收了VOCs的吸收剂通过热交换器后,进入汽提塔顶部,在温度高于吸收温度或压力低于吸收压力的条件下解吸。解吸后的吸收剂经过溶剂冷凝器冷凝后回到吸收塔。解吸出的VOCs气体经过冷凝器、气液分离器后以较纯的VOCs气体离开汽提塔,被回收利用。该工艺适合于VOCs浓度较高、温度较低的气体净化,其他情况下需要作相应的工艺调整。
活性炭吸附装置
在用多孔性固体物质处理流体混合物时,流体中的某一组分或某些组分可被吸表面并浓集其上,此现象称为吸附。吸附处理废气时,吸附的对象是气态污染物,气固吸附。被吸附的气体组分称为吸附质,多孔固体物质称为吸附剂。
固体表面吸附了吸附质后,一部被吸附的吸附质可从吸附剂表面脱离,此现附。而当吸附进行一段时间后,由于表面吸附质的浓集,使其吸附能力明显下降而吸附净化的要求,此时需要采用一定的措施使吸附剂上已吸附的吸附质脱附,以协的吸附能力,这个过程称为吸附剂的再生。因此在实际吸附工程中,正是利用吸附一再生一再吸附的循环过程,达到除去废气中污染物质并回收废气中有用组分。
催化燃烧设备
燃烧法用于处理高浓度Voc与有恶臭的化合物很有效,其原理是用过量的空气使这些杂质燃烧,大多数生成二氧化碳和水蒸气,可以排放到大气中。但当处理含氯和含硫的有机化合物时,燃烧生成产物中HCl或SO2,需要对燃烧后气体进一步处理。
低温等离子设备
等离子体就是处于电离状态的气体,其英文名称是plasma,它是由美国科学muir,于1927年在研究低气压下汞蒸气中放电现象时命名的。等离子体由大量的子、中性原子、激发态原子、光子和自由基等组成,但电子和正离子的电荷数必须体表现出电中性,这就是“等离子体”的含义。等离子体具有导电和受电磁影响的许多方面与固体、液体和气体不同,因此又有人把它称为物质的第四种状态。根据状态、温度和离子密度,等离子体通常可以分为高温等离子体和低温等离子体(包子体和冷等离子体)。其中高温等离子体的电离度接近1,各种粒子温度几乎相同系处于热力学平衡状态,它主要应用在受控热核反应研究方面。而低温等离子体则学非平衡状态,各种粒子温度并不相同。其中电子温度( Te)≥离子温度(Ti),可达104K以上,而其离子和中性粒子的温度却可低到300~500K。一般气体放电子体属于低温等离子体。
光催化和生物净化设备
光催化是常温深度反应技术。光催化氧化可在室温下将水、空气和土壤中有机污染物完全氧化成无毒无害的产物,而传统的高温焚烧技术则需要在极高的温度下才可将污染物摧毁,即使用常规的催化、氧化方法亦需要几百度的高温。
从理论上讲,只要半导体吸收的光能不小于其带隙能,就足以激发产生电子和空穴,该半导体就有可能用作光催化剂。常见的单一化合物光催化剂多为金属氧化物或硫化物,如Ti0。、Zn0、ZnS、CdS及PbS等。这些催化剂各自对特定反应有突出优点,具体研究中可根据需要选用,如CdS半导体带隙能较小,跟太阳光谱中的近紫外光段有较好的匹配性能,可以很好地利用自然光能,但它容易发生光腐蚀,使用寿命有限。相对而言,Ti02的综合性能较好,是最广泛使用和研究的单一化合物光催化剂。
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