半导体集成电路的制备工艺包括哪些步骤

IC的制备工艺相对复杂一点，但跟基本的晶体管、MOS工艺等差不多的。NPN管为例硅外延平面管的结构主要工艺流程:(1) 切,磨,抛衬底(2)外延(3)一次氧化(4)基区光刻(5)硼扩散/硼注入,退火(6)发射区光刻(7)磷扩散(磷再扩)(8)低氧(9)刻引线孔 (10)蒸铝(11)铝反刻(12)合金化 (13)CVD(14)压点光刻(15)烘焙(16)机减(17)抛光(18)蒸金(19)金合金(20)中测.

晶体一般可分为导体、半导体、绝缘体三类，从晶体能带理论来讲，三者可以这样区分：

绝缘体的禁带宽度较大，价带顶的电子难以跃迁到导带底成为自由电子，故电导率较低；

导体的禁带宽度较小，价带顶的电子容易跃迁到导带底成为自由电子，同时在价带顶形成空穴，故电导率较高；

半导体禁带宽度介于二者之间，故电导率也介于二者之间。也因为这个原因，半导体价带顶的电子受到外界影响（温度、电压、光照等）时也很容易跃迁到导带底，尤其是掺杂后的半导体。这样一来就可以利用外界条件（如电压）来控制通过半导体的电流了。

另一个原因是，由于掺杂不同，半导体内部的载流子分为电子和空穴两种，比如典型的半导体器件：PN结二极管，其P区多数载流子为空穴，N区多数载流子是电子，当P区与N区相接触的时候，就会在接触面上形成PN结，使得P区与N区之间形成势垒，如此，PN结就具有了“单向导电性”，电流只能从P区注入N区，反之则不行，因此PN结便有了类似“开关”的作用。

综上，半导体适合制作集成电路。

集成电路的制作过程分为以下步骤：

1、首先，晶圆制造厂会将硅纯化，溶解成液态，从中拉出柱状的硅晶柱。一边旋转一边成型，旋转拉起的速度以及温度的控制影响到整体质量。晶柱切成薄片，经过抛光后，变成晶圆。

2、硅纯度，拉晶速度与温度控制，晶圆会在无尘的状态下送到无尘室并分装到密封的容器中，

3、光罩制作。光罩厂会将完成的光罩送进晶圆厂。晶圆上面会事先涂上一层光阻，透过紫外光的照射与凸透镜聚光效果。光罩上的电路结构被缩小并烙印在晶圆上，最后印在晶圆上的半导体回路会从光罩的1微米，变为0.1微米。光刻制程结束后，工程师会在晶圆上加入离子。透过注入杂质到硅的结构中控制导电性，与一连串的物理过程，制造出电晶体。

4、待晶圆上的电晶体，二极体等电子元件制作完成后，工程师将铜倒入沟槽中，形成精细的接线。将许多电晶体连结起来。导线连接了数亿个电晶体，即可制作成大型集成电路。

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