半导体外延生长厚度

半导体外延生长厚度是500-800微米。通过气相外延沉积的方法在衬底上进行长晶，与最下面的衬底结晶面整齐排列进行生长，新生长的单晶层称为外延层，长了外延片的衬底称为外延片。作为衬底的硅片根据尺寸不同，厚度一般在500-800微米，常用的外延层厚度为2-100微米。

对集成电路来说：一般来说4寸晶圆的厚度为0.520mm,6寸晶圆的厚度为

0.670mm左右。晶圆必须要减薄，否则对划片刀的损耗很大，而且要划两刀。我们做DIP封装，4寸晶圆要减薄到0.300mm；6寸晶圆要减薄到0.320mm左右，误差0.020mm。

没见过厚度有这种单位的。 网上有：AM的意思是air-mass 定义是：Path-length through the atmosphere relative to vertical thickness of the atmosphere。就是光线通过大气的实际距离比上大气的垂直厚度

---