半导体中名词“wafer”“chip”“die”的联系和区别是什么？

一、名词解释：

wafer：晶圆；是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形。

chip：芯片；是半导体元件产品的统称。

die：裸片 ；是硅片中一个很小的单位，包括了设计完整的单个芯片以及芯片邻近水平和垂直方向上的部分划片槽区域。

二、联系和区别：

                                                            一块完整的wafer

wafer为晶圆，由纯硅（Si）构成。一般分为6英寸、8英寸、12英寸规格不等，晶片基于wafer上生产出来。Wafer上一个小块晶片晶圆体学名die，封装后成为一个颗粒。一片载有Nand Flash晶圆的wafer首先经过切割，测试后将完好的、稳定的、足容量的die取下，封装形成日常所见的Nand Flash芯片。

                                                     die和wafer的关系

品质合格的die切割下去后，原来的晶圆成了下图的样子，是挑剩下的Downgrade Flash Wafer。残余的die是品质不合格的晶圆。黑色的部分是合格的die，会被原厂封装制作为成品NAND颗粒，而不合格的部分，也就是图中留下的部分则当做废品处理掉。

                                                          筛选后的wafer

扩展资料：

集成电路芯片的生命历程：芯片公司设计芯片——芯片代工厂生产芯片——封测厂进行封装测试——整机商采购芯片用于整机生产。

芯片供应商IDM：是集芯片设计、制造、封装和测试等多个产业链环节于一身的企业。

芯片供应商Fabless：是没有芯片加工厂的芯片供应商，Fabless自己设计开发和推广销售芯片，与生产相关的业务外包给专业生产制造厂商。与Fabless相对应的是Foundry和封测厂，主要承接Fabless的生产和封装测试任务，封测厂有日月光，江苏长电等。

参考资料：百度百科-晶圆

百度百科-芯片

百度百科-裸片

p-n结是半导体单晶内两种半导体材料p型和n型之间的边界或界面。

“p”（正）侧包含过量的空穴，而“n”（负）侧在电中性原子的外壳中包含过量的电子。这允许电流仅沿一个方向通过结。

pn结是通过掺杂产生的，例如通过离子注入、掺杂剂的扩散或通过外延。（在用另一种类型的掺杂剂掺杂的晶体层上生长一层用一种类型的掺杂剂掺杂的晶体）。如果使用两块单独的材料，这将在半导体之间引入晶界，从而通过散射电子和空穴而严重抑制其效用。

p-n 结是半导体电子器件的基本“构件”，例如二极管、晶体管、太阳能电池、LED和集成电路；它们是设备的电子动作发生的活动场所。

例如，一种常见类型的晶体管，双极结型晶体管，由两个串联的 p-n 结组成，形式为 n-p-n 或 p-n-p；而二极管可以由单个pn结制成。肖特基结是 ap-n 结的一种特殊情况，其中金属起到 n 型半导体的作用。

1、N型半导体

掺入少量杂质磷元素（或锑元素）的硅晶体（或锗晶体）中，由于半导体原子（如硅原子）被杂质原子取代，磷原子外层的五个外层电子的其中四个与周围的半导体原子形成共价键，多出的一个电子几乎不受束缚，较为容易地成为自由电子。

于是，N型半导体就成为了含自由电子浓度较高的半导体，其导电性主要是因为自由电子导电。

2、P型半导体

掺入少量杂质硼元素（或铟元素）的硅晶体（或锗晶体）中，由于半导体原子（如硅原子）被杂质原子取代，硼原子外层的三个外层电子与周围的半导体原子形成共价键的时候，会产生一个“空穴”，这个空穴可能吸引束缚电子来“填充”，使得硼原子成为带负电的离子。

这样，这类半导体由于含有较高浓度的“空穴”（“相当于”正电荷），成为能够导电的物质。

3、PN结的形成

采用一些特殊的工艺（见本条目后面的段落），可以将上述的P型半导体和N型半导体紧密地结合在一起。在二者的接触面的位置形成一个PN结。

属性

p-n 结具有现代电子学的基本特性。p 掺杂的半导体是相对导电的。n 掺杂半导体也是如此，但它们之间的结可能耗尽电荷载流子，因此不导电，这取决于两个半导体区域的相对电压。

通过 *** 纵这个非导电层，p-n 结通常用作二极管：允许电流在一个方向但不允许在另一个（相反）方向流动的电路元件。偏置是在 ap-n 结上施加电压；正向偏置是在容易的电流流动的方向，并且反向偏置是指电流很少或没有电流流动的方向。

p-n 结的正向偏置和反向偏置特性意味着它可以用作二极管。p-n 结二极管允许电荷沿一个方向流动，但不能沿相反方向流动；负电荷（电子）可以很容易地通过结从 n 流到 p，但不能从 p 流到 n，而空穴则相反。

当 p-n 结正向偏置时，由于 p-n 结的电阻减小，电荷自由流动。然而，当 p-n 结反向偏置时，结势垒（因此电阻）变得更大，电荷流最小。

安世半导体原名叫恩智浦半导体，是中国有限公司研发并且引入海外的优良导体。

安世半导体是二零一七年内我国该行产业内最大的一笔海外并购项目，在公司发表完预案以后，闻态科技有限公司通过模拟股份和交易成功购买了原本属于荷兰的导体公司安世。

自此正式成为中国项目研究与拥有权，这场跨国收购收到了当时来自各方的密切关注，根据资料显示，自从官方公布将产品售予中方有关部门以后，安世集团就基本上覆盖承包了全球规模内半导体的设计与制造的全部。

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半导体材料的未来和发展

新型半导体材料在工业方面的应用越来越多。新型半导体材料表现为其结构稳定，拥有卓越的电学特性，而且成本低廉，可被用于制造现代电子设备中广泛使用。

我国与其他国家相比在这方面还有着很大一部分的差距，通常会表现在对一些基本仪器的制作和加工上。

近几年来，国家很多的部门已经针对我国相对于其他国家存在的弱势，这一方面统一的组织了各个方面的群体，对其进行有效的领导，然后共同努力去研制更加高水平的半导体材料。

这样才能够在很大程度上适应我国工业化的进步和发展，为我国社会进步提供更强大的动力。

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