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半导体异质结构一般是由两层以上不同材料所组成,它们各具不同的能带隙。这些材料可以是GaAs之类的化合物,也可以是Si-Ge之类的半导体合金。按异质结中两种材料导带和价带的对准情况可以把异质结分为Ⅰ型异质结和Ⅱ型异质结两种,两种异质结的能带结构可以。半导体异质结构一般是由两层以上不同材料所组成,它们各具不同的能带隙;只要两个层状半导体组成材料不一样就行。异质结,两种不同的半导体相接触所形成的界面区域。按照两种材料的导电类型不同,异质结可分为同型异质结和异型异质结,多层异质结称为异质结构。异质结 和同质结结构激光器在阈值电流密度上存在较大差异。为了降低阈值电流,可以使用不同材料构成激光器的PN结,称为异质结半导体激光器。异质结可以将电子与空穴局限在中间层内,可以显著提高载流子效率。
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