PN节处由于电子的漂移本身形成了一个内电场,当外加电压产生的电场与内电场的方向相同时电流便能通过,否则就会被内电场抵消而被隔离.过大则会将PN节击穿,是不容许的.
以上朋友说copy那么多, 估计楼主也看到眼睛花,我用通俗的语言解释嘛:开关作用:利用正向导通特性, PN结,P接高电位N接低电位时,二极管这个时候相当于一个近1000欧姆的动态电阻串在电路。反之,N高,P低电位,它等于一个无穷大电阻在电路,形成开关的关。
钳位作用:二极管的导通管压降一般0.7V/意思是PN结,P比N的电位高0.7V。举例,如果你希望电路一个位置/A点始终比另一个点B点高0。7V/那么加一个二极管P-A。N-B。就可以达到这个要求。
隔离作用:其实基本上都是用的它的单向导通特性,可以这样理解,1条主线路A,的2条支路B/C,其中B支路接一个二极管电流方向流向主线,另一支路C直接主线路电流流向主线A。Ia=Ib+Ic,但是当C支路电流相对大起来,而B支路突然瞬间电流变小,按照电路分流原理,这个时候,B支路也应该有来自C支路的电流,但是就是因为有二极管隔离,B支路电流不受影响。
譬如在一块Si片上,同时制作两个n-MOSFET,由于MOSFET本身结构的特点,毋需专门的隔离,那么这两个n-MOSFET就具有“自隔离”性能。即是说,各个晶体管的电流在各自的沟道内流通,互相并不相干。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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