砷和锗组成半导体叫什么半导体

半导体采用的元素材料一般为外层电子数为4的元素（如硅和锗），这些元素的原子的导电性不稳定，外层电子很容易离开原子核的引力范围，成为自由电子，同时在原子内部留下呈现正电性的原子结构。

如果在硅基体中掺入少量的价电子数为3的元素（如硼），当硼和硅形成共价键的时候，因为硼的外层电子不足以完全填补硅原子的空轨道，必然要吸收一个多余的自由电子来成键，于是在半导体内部形成一个“空壳”，这个空壳呈现出正电性。硅和硼的这种混合物被称为P型半导体(Positive Semiconduct)。

如果硅基体中掺入少量的价电子数为5的元素（如磷），当磷和硅形成共价键的时候，因为磷的外层电子在完全填补硅原子的空轨道还有富余，必然会脱离原子核成为自由电子，于是在半导体内部呈现出负电性。硅和磷的这种混合物被称为N型半导体(Negative Semiconduct)。

P型和N型半导体是二极管和三极管制作的基础。

砷作为外层电子数为5的元素，它和锗的组合将会产生N型半导体。但是考虑到原料成本因素，通常半导体工业都会选择磷而非砷作为N型半导体的制作原料。

以n型半导体为例，其中的多数载流子电子是由于在半导体中掺杂N型杂质（例如磷、砷、锑等）产生的。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。由于N型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故N型半导体呈电中性。

（1）as是35号元素，属于主族元素，其最外层电子就是其价电子，所以as基态原子的价电子排布式：4s24p3，故答案为：4s24p3；

（2）同一周期元素中，元素的电负性随着原子序数的增大而增大，第一电离能随着原子序数的增大而呈增大趋势，但第va族元素第一电离能大于相邻元素，ga属于第iva族、as属于第va族，所以as的第一电离能比ga的大，as的电负性比ga的大，

故答案为：大；大；

（3）氨气分子间形成氢键，氢键的存在导致氨气的沸点最高，砷化氢的相对分子质量大于磷化氢，分子间作用力大，所以砷化氢的沸点比磷化氢的高，则这几种氢化物的沸点高低顺序是：nh3＞ash3＞ph3，

故答案为：nh3＞ash3＞ph3；氨气分子间形成氢键，沸点最高，砷化氢的相对分子质量比磷化氢大，分子间作用力大，所以砷化氢的沸点比磷化氢高；

（4）gaas的晶体结构与单晶硅相似，根据硅晶体结构知，在gaas晶体中，每个ga原子与4个as原子相连，与同一个ga原子相连的as原子构成的空间构型为正四面体，gaas的晶体结构和硅晶体相似，则晶体类型相似，所以gaas属于原子晶体，故答案为：4；正四面体；原子；

（5）根据元素守恒知，另外一种生成物是ch4，根据反应物、生成物及反应条件知，其反应方程式为：（ch3）3ga+ash3

700℃

.

gaas+3ch4，

（ch3）3ga为非极性分子，（ch3）3ga中ga形成3个δ键，没有孤电子对，为sp2杂化，

故答案为：（ch3）3ga+ash3

700℃

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gaas+3ch4；sp2．

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