半导体工艺中提高闪存可靠性的方法

针对半导体集成电路芯片在以后工作条件和应用环境下，以及在规定的工作时间内可能出现的失效模式，采取相应的设计技术，使这些失效模式能够得到控制或消除，从而使设计方案能同时满足其功能、特性和可靠性要求。具体分为以下4类技术：

1)常规可靠性设计技术。包括冗余设计、降额设计、灵敏度分析、中心值优化设计等。

2)针对主要失效模式的器件设计技术。包括针对热载流子效应、闩锁效应等主要失效模式，合理设计器件结构、几何尺寸参数和物理参数。

3)针对主要失效模式的工艺设计保障。包括采用新的工艺技术，调整工艺参数，以提高半导体集成电路芯片的可靠性。

4)半导体集成电路芯片可靠性计算机模拟技术。在电路设计的同时，以电路结构、版图布局布线以及可靠性特征参数为输入，对电路的可靠性进行计算机模拟分析。根据分析结果，预计电路的可靠性水平，确定可靠性设计中应采用的设计规则，发现电路和版图设计方案中的可靠性薄弱环节。

intel 前CEO 展示晶圆

2工艺保障

通过设计，为芯片的可靠性水平奠定了基础，最终芯片产品的实际可靠性水平取决于芯片的制造工艺。为保证工艺可靠性要求的实现，从芯片生产涉及的环节应主要考虑以下几个方面的控制：

1)原材料控制。包括对掩膜版、化学试剂、光刻胶、特别对硅材料等原材料的控制。控制不仅采用传统的单一检验方式，还可对关键原材料采用统计过程控制SPC技术，确保原材料的质量水平高，质量一致性好。

2)加工设备的控制。除采用先进的设备进行工艺加工外，还应做好对设备日常维护、预防性维修等工作，同时应对设备的关键参数进行监控，必要时建立设备参数的SPC控制模型进行分析控制等。

3)工艺加工过程的控制。包括对关键工艺参数进行SPC控制、工序能力分析、6σ设计等，同时对工艺加工关键环节建立工艺检验手段，如对氧化层的针孔和裂纹的检验、对可动金属离子的检验、对金属层稳定性的检验等。

此外，工艺方面的保障还应包括对 *** 作人员的培训和考核、对环境洁净度的控制和建立先进的生产质量管理信息系统等方面。

3筛选、验证保障

设计、加工的半导体集成电路芯片交付之前，需进行筛选、检验以保证芯片的质量与可靠性。目前，行业内普遍认可的是参照GJB 597A-96《半导体集成电路总规范》相应质量等级要求和用户要求，对半导体集成电路芯片进行100%筛选、鉴定检验和质量一致性检验。其中100%筛选对所有裸芯片进行，主要进行晶片批验收、稳定性烘焙、电探针测试、功能拉偏测试、内部目检。通过100%筛选尽可能地剔除早期失效芯片。

鉴定检验和质量一致性检验是对封装样品进行，从筛选合格芯片中随机选取芯片封装后参照GJB 597A-96《半导体集成电路总规范》相应质量等级要求和用户要求进行鉴定检验和质量一致性检验，其中不进行与封装有关的试验。通过这种方式，验证整批裸芯片的质量与可靠性水平能否满足用户要求和长期可靠性要求。而按不同要求检验的芯片分别达到相应质量等级要求。

通过这种方式，不但能够指导半导体集成电路芯片研制单位设计、制造相应质量等级要求的芯片，同时也便于使用单位选用，满足其不同应用环境的使用需求。

ues的意思是联合碳化乳液系统，食管上括约肌,食道上端括约肌，韦斯，西门口，有意思。

ues 400r。初见成效

accumulation in body ti ues。在人体组织中的积累。

biotechnological i ues。生物技术问题。

例句与用法

1.We exchange views with china on different i ues。

我们就不同议题和中国交换意见。

2.Ues the spc control the quality of production line。

生产工序控制采用spc统计学。

3.Glass powder for passivation packaging for ues in semiconduoctor devices。

半导体器件用钝化封装玻璃粉。

4.They cover i ues that receive little attention by mai tream media。

他们报导不受主流媒体关注的议题。

迈思希姆半导体（Maximum semi）是原美信半导体功率器件FAB事业部，2007年拆分独立，公司通过突破性技术和创新性设计实现最优极限化器件性能及最小化系统成本，

Maximum Semiconductor Inc.是一家系统集成功率半导体设计公司，致力于提供创新型及成本节约型技术以实现最优化功率管理方案。相比于其他半导体供应商，Maximum 凭借其规模和专业水平，在客户服务方面具有绝对竞争力，可实现全方位合作伙伴关系。

主要研发团队由原任职MaximIntegrated技术执行官，高级工程总监Vito Silicolin，Power Integrations Inc.系统集成器件技术总监，AT&T贝尔实验室杰出技术骨干；Dr.Silicolin,其专注于功率沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管、高压集成电路、BCDMOS及亚微米互补式金属氧化物半导体。

此外，Dr. Silicolin还拥有超过100项的发布及待发布专利，他的发明包括横向绝缘栅双极晶体管（LIGBT）、WFET以及目前的领先技术——Turbo-FET trench MOSFET，2011年，Dr.Silicolin为功率半导体器件国际研讨会及系统电路 (SPSD)副主席。同时，Dr.Silicolin也是IEEE Tran Electron Device 功率半导体器件的编辑。其于英国威尔士大学获得电子工程博士学位。

Maximum不仅具备专有的器件结构和工艺技术，同时还拥有大量和持续增加的知识产权，其用在系统执行电路中的碳化硅肖特基器件，以及外围毕环芯片，可广泛用于系统集成转换效率提高，功率器件与分立器件的低成本高效提升，使得其客户和战略合作伙伴保持最强竞争力，为市场不断提供尖端产品。无论是产品还是服务，Maximum凭借丰富的研发、设计及在应用领域等方面的经验，均可实现超越对方期望的高性能。

目前产品主要有：新能源构件器件设计Chip（高效能充电放电转换碳化硅器件），系统运放解决方案，智能照明系统解决方案，工业过程控制方案（SPC) ，电源管理芯片（AC-DC/DC-DC),PFC，IGBT,Super MOSFETs, 外围闭环芯片chip器件（高压MOS，中压MOS，低压MOS，整流二极管，快恢复整流器，高效整流器，超快回复整流器，FRD，肖特基二极管，稳压二极管，瞬态电压抑制，桥式整流器，ESD保护，通用三极管，开关三极管，晶体管，单向可控硅，双向可控硅，三象限可控硅），功率模块系列chip（IGBT 整流 快恢复 晶闸管）。

望采纳，谢谢。

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