下面以光谱测试法为例介绍半导体材料光学带隙的计算方法:
对于半导体材料,其光学带隙和吸收系数之间的关系式为[]:
ah v -B0HEg)u ( 1) .
其中a为摩尔吸收系数, h为普朗克常数,v为入射光子频率,B为比例常数,Eg
为半导体材料的光学带隙,m 的值与半导体材料以及跃迁类型相关:
推导1:根据朗伯比尔定律可知:
A=ab c?(2)
其中A为样品吸光度,b 为样品厚度,c为浓度,其中be为一常数,若
B1=(B/be)1/m,则公式(1)可为:
(Ahv1)m=B1(hv-Eg) (3)
根据公式(3),若以hv值为x轴,以(Ah v )1/m值为y轴作图,当y=0时,反向延
伸曲线切线与x轴相交,即可得半导体材料的光学带隙值Eg。
禁带宽度是半导体的一个重要特征参量,其大小主要决定于半导体的能带结构,即与晶体结构和原子的结合性质等有关。禁带 宽度的大小实际上是反映了价电子被
束缚强弱程度的一个物理量,也就是产生本征激发所需要的最小能量。
禁带宽度可以通过电导率法和光谱测试法测得,为了区别用电导率法测得禁带宽度值,用光谱测试法测得的禁带宽度值又叫作光学带隙。
PTC的意思是正的温度系数,泛指正温度系数很大的半导体材料或元器件。通常我们提到的PTC是指正温度系数热敏电阻,简称PTC热敏电阻。PTC热敏电阻是一种典型具有温度敏感性的半导体电阻,超过一定的温度时,它的电阻值随着温度的升高呈阶跃性的增高。热敏电阻器是敏感元件的一类,按照温度系数不同分为正温度系数热敏电阻器(PTC)和负温度系数热敏电阻器(NTC)。热敏电阻器的典型特点是对温度敏感,不同的温度下表现出不同的电阻值。正温度系数热敏电阻器(PTC)在温度越高时电阻值越大,负温度系数热敏电阻器(NTC)在温度越高时电阻值越低,它们同属于半导体器件。
但需要注意的是: 热敏电阻在进出口环节不属于税目85.41项下的半导体器件。
先用自掺杂原理:N,P型杂质先自己中和,然后再产生掺杂载流子。N(Al)+N(Ga)-N(As) = N
把N 代入相应的P/N 掺杂费米能级计算公式。
Ei - Ef =kTln(NA/ni) P型
Ef - Ei =kTln(ND/ni) N型
其中Ei是本征能级。
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