金属矽又称结晶矽或工业矽，其主要用途是作为非铁基合金的添加剂。金属矽是由石英和焦炭在电热炉内冶炼成的产品，主成分矽元素的含量在98%左右（近年来，含Si量99.99%的也包含在金属矽内），其余杂质为铁、铝、钙等。
基本介绍中文名 ：金属矽 外文名 ：Silicon 分子式 ：Si 分子量 ： 28.0855 基本信息,定义,原子结构,矽的性质,矽的用途,矽的冶炼工艺,超纯矽,分类, 基本信息 中文名称:金属矽 中文别名:结晶矽工业矽矽微粉矽粉多晶矽单晶矽矽光学窗矽 英文名称:Silicon 英文别名:silicon coating quality balzerssiliciumsilicon, containing by weight not less than 99.99 % of siliconSiliconpowderNmeshSilicon MonocrystallineSiliconchipsNmmSiliconrandompiecesNcmSilicon wafer orientation P-dopedSilicon wafer orientationSilicon powderSiliconwaferorientationSiliconwaferSilicon (low oxygen)Silicon (3 oxygen levels)Silicon chips (99.9999%)Silicon random pieces (99.5%)Silicon solution 1000 ppm CAS:7440-21-3 EINECS:231-130-8 分子式:Si 分子量:28.0855 HS CODE:2804.6900 定义 “金属矽”（我国也称工业矽）是上世纪六十年代中期出现的一个商品名称。它的出现与半导体行业的兴起有关。国际通用作法是把商品矽分成金属矽和半导体矽。金属矽是由石英和焦炭在电热炉内冶炼成的产品，主成分矽元素的含量在98%左右（含Si量99.99%的也包含在金属矽内），其余杂质为铁、铝、钙等。半导体矽用于制作半导体器件的高纯度金属矽。是以多晶、单晶形态出售，前者价廉，后者价昂。因其用途不同而划分为多种规格。据统计，1985年全世界共消耗金属矽约50万吨，其中用于铝合金的金属矽约占60%，用于有机矽的不足30%，用于半导体的约占3%，其余用于钢铁冶炼及精密陶瓷等。 原子结构 原子核外电子排布：1s 2 2s 2 2p 6 3s 2 3p 2 ； 晶胞类型：立方金刚石型； 晶胞参数：20℃下测得其晶胞参数a=0.543087nm； 颜色和外表： 深灰色、带蓝色调； 采用纳米压入法测得单晶矽（100）的E为140～150GPa； 电导率：矽的电导率与其温度有很大关系，随着温度升高，电导率增大，在1480℃左右达到最大，而温度超过1600℃后又随温度的升高而减小。 矽的性质 矽是半金属之一,旧称“矽”。熔点为1420℃，密度为2.34克每立方厘米。质硬而脆。在常温下不溶于酸，易溶于碱。金属矽的性质与锗、铅、锡相近，具有半导体性质。矽在地壳中资源极为丰富，仅次于氧，占地壳总重的四分之一还多，以二氧化矽或矽酸盐形式存在。最纯的矽矿物是石英或矽石。矽有两种同素异形体：一种为暗棕色无定形粉末，性质活泼，在空气中能燃烧；另一种为性质稳定的晶体（晶态矽）。一般矽石和石英用于玻璃和其它建材，优质的石英用于制作合金、金属和单晶 矽的用途 矽大量用于冶炼成矽铁合金作钢铁工业中合金元素，在很多种金属冶炼中作还原剂。矽还是铝合金中的良好组元，绝大多数铸造铝合金都含有矽。矽是电子工业超纯矽的原料，超纯半导体单晶矽做的电子器件具有体积小、重量轻、可靠性好和寿命长等优点。掺有特定微量杂质的矽单晶制成的大功率电晶体、整流器及太阳能电池，比用锗单晶制成的好。非晶矽太阳能电池研究进展很快，转换率达到了8%以上。矽钼棒电热元件最高使用温度可达1700℃，具有电阻不易老化和良好的抗氧化性能。用矽生产的三氯氢矽，可配制几百种矽树脂润滑剂和防水化合物等。此外，碳化矽可作磨料，高纯氧化矽制作的石英管是高纯金属冶炼及照明灯具的重要材料。 八十年代的纸张——矽 人们称矽为“八十年代的纸张”。这是因为纸张只能记录信息，而矽不仅能记载信息，还能对信息进行处理加工以获得新的信息。1945年制造的世界上第一台电子计算机，装有18000个电子管、70000只电阻、10000只电容，整个机器重30吨，占地170平方米，相当于10间房子大小。而今天的电子计算机，由于技术的进步和材质的改善，在一个指甲盖大小的矽片上，可以容纳上万个电晶体；并且有输入、输出、运算、存储和控制信息等一系列功能。 微孔矽钙保温材料微孔矽钙保温材料是一种优良的保温材料。它具有热容量小、机械强度高、导热系数低、不燃烧、无毒无味、可切割、运输方便等特点，可广泛用于冶金、电力、化工、船舶等各种热力设备及管道上。经测试，节能效益优于石棉、水泥、蛭石和水泥珍珠岩等保温材料。特种矽钙材料可用作催化剂载体，在石油炼制、汽车尾气净化等多方面广泛套用。 矽的冶炼工艺 金属矽冶炼属于高耗能生产，我国的金属矽生产已由来已久，随着国家能源政策的收紧和节能减排的开展，以及对新能源的提倡，金属矽冶炼已经成为初级的产品和工艺，很多国内新兴的能源企业建设了金属矽，多晶矽，单晶矽，太阳能电池等一系列的循环产业链条，未来几年势必会影响我国整个能源领域的发展和新能源的套用。 下面介绍一下金属矽的冶炼工艺及流程。 1、 生产化学工业用矽的必要性 我国生产的金属矽（矽含量主要是98.5%），原来主要是冶金用矽，化学用金属矽（矽含量主要是99.85%）的生产主要是从90年代中期以来有所发展，我国化学用矽的产量和出口量增长较快。1999年-2001年我国对日本出口的化学用矽已分别达到2.2万吨、3万吨、4万吨，2001年我国对日本出口的化学用矽已占日本化学用矽进口量的40%以上。中国已开始加入化学用矽生产和供应国的行列，生产化学用矽的企业不断增加。由于上海广济矽材料有限公司在2002年全面公开了碳热还原的冶炼工艺，致使中国在2002年到2004年之间，金属矽的产能迅速从年产10万吨，上升到120万吨。结果导致发改委的全面制裁，2006年，金属矽的实际产量又回落到70万吨。总个2006年，仅有上海广济矽材料有限公司大悟矽厂在新疆边陲建设成功万吨级金属矽厂晶鑫厂。其他又新建矽厂。化学用矽是指用于有机矽和多晶矽生产的金属矽。从世界范围来看，冶金用矽的消费量多于化学用矽的消费量，但随着科学技术的不断发展，化学用矽用于有机矽和半导体生产等领域不断拓宽，广泛用于生产有机矽单体和聚合物矽油，矽橡胶、矽树脂建筑物防腐、防水剂等，它们具有耐高温、电绝缘、耐辐射、防水等独特性能。用于电气、航空、机械、化工、医药、国防、建筑等部门。作为积体电路核心的电子元器件，95%以上是用半导体矽制成的，半导体是当代信息工业的支柱。“信息高速公路”中大量套用的光纤电缆中的光纤，也是以金属矽为原料生产的。美国和欧盟化学用矽的消费量已占金属矽总消费量的一半以上。化学用矽作为高新技术领域和重要基础产业得到广泛套用，其消费量是趋于稳定增长的。在国际市场正常情况下，每吨化学用矽比冶金用矽售价高300-400美元。所以，无论从满足出口和国内需求，还是从提高金属矽企业经济效益，提高产品质量，大力发展化学用矽生产都是必要的。 2、化学用矽生产原料在化学用矽生产上，原料是实现良好作业的先决条件。用石英的岩石作生产化学金属矽的原料，低灰分的含碳材料作还原剂。电炉法生产化学用矽的原料主要有矽石和碳素原料。碳素原料又以石油焦为主，有优质的无烟煤或木炭，也可以掺用一部分，以增加炉料比电阻。对原料要求具有必要的纯度，有良好的反应能力，以便达到产品的规格；还原剂具有不同的反应能力，以便能与石英石发生充分反应；炉料具有不同的成分，并且既有不同的粒度，以便通过适当的配合，使炉料电炉发生良好的影响。 2.1、氧化矽矿物冶炼金属矽的过程是无渣过程，化学矽冶炼对矽石的选用较严格，不仅杂质含量要少，还要求有高的机械强度、足够的热稳定性，适宜的粒度组成。化学用矽熔炼最好采用矽石。天然形态的氧化矽或者是以独立的石英矿物存在，或者是以几乎全是由氧化矽积成的岩石—矽石，或矽石形态的砂岩存在。生产化学用矽的含有氧化矽矿物中的杂质和粘著物，在熔炼过程中有的完全被还原，有的部分被还原，有的以化合物形态进入产品矽中或生成熔渣。这样不仅增大能量消耗，降低产品质量，还给熔炼过程造成困难。因此，对化学用矽冶炼所用的含氧化矽矿物的化学组成要求严格。要求SiO2大于99%，Fe2O3小于0.15%，Al2O3不大于0.2%，CaO不大于0.1%，杂质总和不大于0.6%。所用矽石在熔炼前必须进行水洗，表面清洁。 入炉的矽石要求有一定的粒度。矽石的粒度是冶炼的一个重要工艺因素。矽石适宜粒度受矽石种类、电炉、容量、 *** 作状况以及还原剂的种类和粒度等多种因素影响，要根据具体的冶炼条件来决定。一般情况下，6300KVA三相电炉（1983年大悟矽厂建成），要求矽石粒度在8-100mm，3200KVA三相电炉，要求矽石粒度为8-80mm，而且中间粒度组成的比例要大些。粒度过大时，由于不能和捣炉粘料及反应速度相适应，易使未反应的矽石进入液体矽中，造成渣量增多，出炉困难，矽的回收率降低，能耗增大，甚至造成炉底上涨，影响正常生产。粒度过小，虽能增大还原剂的接触表面，有利于还原反应的进行，但反应过程中生产的气体不能顺利排出，又会减慢反应速度。粒度过小时。带入的杂质又会增多，影响产品质量。生产中一般小于5mm 的矽石不宜采用。 2.2碳质还原剂化学矽冶炼所用的主要还原剂有石油焦、烟煤、木炭。为增大炉料的电阻率，增加化学活性，也有搭配气煤焦，矽石焦、蓝炭、半焦、低温焦、木块的。在碳质还原剂化学成分中，主要应考虑固定碳、灰分、挥发分和水分。一般要求固定碳要高，所需还原剂总量减少，从而灰分带入的杂质少，渣量相应减少，电能消耗降低，化学矽中杂质含量降低。碳质还原剂的电阻率要大，气孔率要高。炉料电阻率主要取决于碳质还原剂。碳质还原剂电阻率大，化学活性好，矽的回收率高。 石油焦是所用于金属矽生产的还原剂中灰分最低的，含灰分0.17-0.6%，固定碳90-95%，挥发分不大于3.5%-13%。化学用矽冶炼采用石油焦做还原剂，这是因为它的灰分低，有利于提高产品质量。但由于石油焦电阻率小，反应性差，高温下易石墨化，用量偏大时，导致炉况不好控制，造成炉料不烧结、刺火严重、电耗高、出炉困难。 木碳具有很高的比电阻和反应能力，而且杂质含量少，是熔炼工业化学用矽的较为理想的还原剂，但用不同的木材和不同的方法制得的木炭其性质也很不同。去皮木炭的灰分含量通常比带皮木炭的灰分含量低二分之一至三分之一，树皮对木炭中灰分的含量有很大的影响。木炭主要成分是碳，灰分较低，一般小于10%。电阻率较大，化学活性好。多年的生产实践证明，木炭是满足冶炼化学用矽需要的重要碳质原料，但炭的来源受到限制，无法再使用木炭还原剂。 从国外的情况看，绝大多数国家已不再使用木炭。国内的很多厂家在寻求和使用木炭代用品方面也做了大量工作。实践证明，在各种碳质还原剂中，从反应能力和比电阻的大小来看，烟煤是木炭之外的另一种较为理想的还原剂。 烟煤的特点是电阻大，反应能力强，低灰分烟煤是经过洗选获得的。灰分含量可达3%左右，Fe2O3含量达0.2-0.3%，Al2O3含量小于1%。我国还原剂烟煤的灰分含量多在3%以上，而国外还原剂烟煤的灰分的含量多在1%左右，苏联采用的化学法精选烟煤，能得到氧化铁含量低于0.1%的精煤。烟煤代木炭的冶炼工艺的专利由上海广济矽材料有限公司和鄂尔多斯电力冶炼股份有限公司共同拥有。木块的作用在于增加料层的电阻，用量的大小都对炉况产生影响。木块用量过大，料层疏松、炉况变坏，电耗上升，木块由于着火点、含碳量都低，实际作还原剂微乎其微。 碳素原料中的杂质主要是灰分，全部由氧化物组成。在化学生产中，灰分中的氧化物也要被还原，既要消耗电能，又要消耗碳素，而且被还原的杂质仍然混入矽液中，降低了矽的强度。在生产实践中，炉料中每增加1%的灰分，就多耗电能100度-120度，因此，要求碳素原料中的灰分含量愈少愈好。 2.3电极电极是化学用矽生产中主要的消耗材料之一。化学用矽冶炼用电极，一般采用石墨电极和碳素电极，目前国内主要采用石墨电极。 在矽冶炼炉中，电极就是心脏，是导电系统的重要组成部分。电流是通过电极输入炉内产生电弧，用于化学矽冶炼。对电极材料的要求：（1）导电性好、电阻率小，以减少电能损失。（2）熔点要高，热膨胀系数要小，不易变形；（3）高温时有足够的机械强度，杂质含量低。石墨电极的灰分含量低，导电性、耐热性和耐腐蚀性能都比较好，是化学用矽冶炼的最佳选择。 3、化学工业用矽的冶炼工艺 化学用矽的工艺流程包括炉料准备，电炉熔炼，矽的精制和浇铸，除去熔渣夹杂而进行的破碎。在炉料配制之前，所有原料都要进行必要的处理。矽石在颚式破碎机中破碎到块度不大于100mm，筛出小于5mm的碎块,并用水冲洗洁净。因为熔炉中碎块在炉膛上部熔融，从而降低了炉料的透气性，使生产过程难以进行。石油焦有较高的导电系数，要破碎到块度不大于10mm，又要控制石油焦的粉末量。因其在炉膛口上直接燃烧，会造成还原剂不足。 化学用矽生产中，烟煤完全可以取代木炭，如湖南株洲精洗烟煤，固定炭达77.19%，挥发分为19.4%，灰分含量3.41%，Fe2O3含量0.22%，Al2O3含量0.99%，CaO含量0.17%。经生产实践，采用此种烟煤冶炼化学用矽是可行的。 生产化学用矽用的木块和木片是用截材机和木片削片机加工的。炉料中碳质还原剂主要以石油焦和烟煤为主，木块和木片的用量要视炉况来决定。生产中不用木质，反而产品质量还更稳定。炉料的配比根据要求所生产的产品级别来定。石油焦和烟煤的配比按每批矿矽需要的碳量来确定。石油焦和烟煤的比例对炉料的工作电阻影响较大。 炉料各组分经称量后，将炉料混合均匀，待捣炉后，将混合均匀的炉料集中加入炉内。保持一定的料面高度，加料均匀。 化学矽生产是连续不断进行的。炉内的状况也不是永恒不变的。化学矽生产在电炉内是以电能转换成热能，然后再用热能直接加热物料而产生化学反应的过程。所以炉内的电气特性是非常重要的，熔炼实行闭弧 *** 作，保持高温炉，提高热效率，提高电炉利用率，在研究中使用容量为3200KVA和6300KVA金属矽炉各一台。熔炼采用一定时间的焖烧和定期集中加料的 *** 作方法进行。正常情况下炉料难以自动下沉，一般需强制沉料。炉况容易波动，较难控制。因此，在生产中必须正确判断，及时处理。每4小时出一次炉，进行精练浇铸，破碎挑渣整理入库。 4、电炉 *** 作化学矽熔炼是在埋弧状态下进行的。为生产出恒定均质的金属矽，需要实行最佳的炉子 *** 作，在熔炼过程中。热量主要来源电能。所以在炉膛内电流的流径路线及各路线的电流量的分布对炉膛内各区的温度分布和整个熔炼过程的进行有重要的影响，要注意保持三相电能的负荷平衡，这样才能提高产量，保证质量，降低电耗。 4.1加料和捣炉要想使矽的熔炼炉达到优质高产的目的，除了要求良好的电炉参数，精良的原料，合理的配比之外， *** 作方法的好坏是十分重要的因素。合理的加料方法对料层结构，电极在炉内的稳定性和热能的充分利用，起著主导的作用。生产中，加料和捣炉是结合进行的。要根据熔炼过程的不同情况和特点，适时地完成加料、捣炉作业。为了保持炉内有良好的透气性，需要进行扎眼和捣炉。小捣炉根据炉况而进行，大捣炉一般每一个小时左右进行一次，捣炉要快要透，捣炉捣出的块料推向炉心，捣炉过程中不能边捣炉边加新料。一个电极区一个电极区进行捣炉的 *** 作是不可取的，必须集中统一捣炉、统一加料，这样才能保持较高的熔炼温度。稳定炉子 *** 作最重要的因素是保持料层中恒定的温度分布。如果炉膛温度分布受到[破坏，炉子 *** 作会受严重干扰。生产中炉料的粒度和均匀程度，加料和出炉以及炉膛料面的处理都会影响电极运动。电极移动过大、过强的捣炉都会使炉子 *** 作不稳定。 4.2闭弧 *** 作 闭弧 *** 作是将电极适当地埋入炉料中，以半熔融炉料为阻抗体，在电极和熔融炉料之间产生电弧。要想做到闭弧 *** 作，首先就要考虑投料方法。投料方法有一次投料法、分次投料法、多次投料法。除一次投料法是明弧 *** 作外，其他方法都可以做到闭弧 *** 作。化学矽生产中，我们采用分次投料法，料层结构稳定，电耗低，炉龄长。 *** 作中要处理好几个问题：一是要选择好适合的电气参数，使电极能有适当深度地插入料层；二是要想办法控制好炉料的比电阻；三是炉料粒度对矽的冶炼有重要影响，粒度过大和过小对炉况都不利。闭弧 *** 作的优点是：①炉内料层结构能形成一个完整的体系，炉料依次下沉；②弧光不外露，料面上辐射热损失大大减少，保持高炉温，热效率提高，从而增加产量、提高产品质量和降低电耗。③能使电极消耗量达到平衡稳定，避免发生惦记折断事故。④料面的温度比较低，使料面上的设备受到的热腐蚀较轻，延长了设备的寿命，提高电炉设备的利用率。⑤粉尘较少，可使炉面 *** 作有一个较好的 *** 作环境。炉子无论大小，只要采取适当措施，都可以做到闭弧 *** 作，获得理想的生产效果。 4.3配电技术电弧炉是用电弧发生的热来进行加热的装置。在化学矽冶炼过程中，物理化学变化与电气制度有着紧密的联系。配电 *** 作的好坏，对冶炼效率有十分重要的影响。电弧主要存在电末端，空腔受电弧冲击推力的作用，把物料腿开，形成灯泡形。熔炼过程中，电炉电气参数的控制是由配电工作完成的。一般情况下就是控制电极的埋入深度。浅埋电极，一般表明还原剂过剩，电极附近形成火眼，电弧声响亮，出炉矽温度低，数量少、电耗高。深埋电极，如果炉料中还原剂过少，电极将处于较低位置。因为炉料电阻随着炉料中碳的减少而增大，电阻增大使电流负荷下降，电极消耗增加，生产率降低。生产中，电极的埋入深度根据现场 *** 作来确定。调节电极埋入深度就是改变炉料的电阻值，这是调节炉况的最佳手段。当电炉二次电压超过一定值后，电极会受损坏，矽的挥发损失增多，炉膛上部过热，热损失增大。二次电流，受电极允许电流密度的限制，也不能随意增大。 电流电压的比值，是炉前 *** 作的重要因素。电流电压比过小，电极下不去，明弧生产难 *** 作。电流电压比过大，电极插入炉料过深，生产不够十分理想。生产中，只有找到适当的电流电压比时，工作电流稳定，物料均衡和电极即使升降，才能取得最好的生产成果。调整工作电压是调整炉子的生产率的重要手段。炉子工作电压取决于两个方面：一方面是短网结构，要求电效率要高，功率因素应适当。另一方面是炉况，包括炉体结构和生产 *** 作情况，熔炼中工作电阻的阻值很关键，它易变动，应努力使其稳定并趋近最佳值。一般情况，为保证正常的料面温度，提高电压。包这个正常的料面温度在600°C左右。使用符合规格的原材料，炉料粒度大，电阻就小，支路电流大，电极不易深入。 超纯矽 超纯矽（每一千个原子中杂质不高于几个原子）是最重要的半导体材料，广泛用于计算机、微波通讯、光纤通讯、太阳能发电等方面。半导体矽材料发展很快，每年单晶矽的用量超过2500吨，矽片消费25亿平方英寸。我国矽材料的研究和生产也有很大发展，直径3英寸以下的单晶已达到国际水平，并且建立了切、磨、抛工艺和设备，但总体水平与国际上还有一定差距。所以，我国超纯矽发展潜力很大，任重道远。 为什么把现时代称为矽时代?在第七届国际晶体矽生产会议上，科学家们把现时代称为矽时代。为什么把矽提到如此高的地位呢？这是因为，当今世界正处在由工业时代走向资讯时代。在工业时代，领头的是钢铁，所以钢铁生产量标志著一个国家的经济和军事实力。在资讯时代，领头的是半导体材料——矽。可作半导体材料的品种为数是很多的，不过工业生产的品种并不多，主要是矽、锗、砷化镓和磷化镓等，而其中矽占整个半导体材料产量的90%左右。这就是人们把现时代称为矽时代的原因。 分类 金属矽的分类通常按金属矽成分所含的铁、铝、钙三种主要杂质的含量来分类。按照金属矽中铁、铝、钙的含量，可把金属矽分为553、441、411、421、3303、3305、2202、2502、1501、1101等不同的牌号。 工业上，金属矽通常是在电炉中由碳还原二氧化矽而制得。 化学反应方程式： SiO2 + 2C → Si + 2CO 这样制得的矽纯度为97~98%，叫做金属矽。再将它融化后重结晶，用酸除去杂质，得到纯度为99.7~99.8%的金属矽。 金属矽成分主要是矽，因此和矽具有相类似的性质。矽有无定形矽和晶形矽两种同素异形体。无定形矽是灰黑色粉末，实际上也是一种微晶体。晶形矽具有金刚石的晶体结构和半导体性质 ， 熔点 1410℃ ， 沸点 2355℃ ，莫氏硬度 7，性脆 。无定形矽化学性质活泼，在氧气中能剧烈燃烧。它在高温下与卤素、氮、碳等非金属发生反应，也能与镁、钙、铁等金属作用，生成矽化物。无定形矽几乎不溶于包括氢氟酸在内的所有无机酸和有机酸，但能溶于硝酸与氢氟酸的混合酸。浓氢氧化钠溶液能溶解无定形矽，放出氢气。晶形矽比较不活泼，即使在高温下也不与氧气化合，它也不溶于任何一种无机酸和有机酸，但可溶于硝酸和氢氟酸的混合酸以及浓氢氧化钠溶液。三代半导体——氮化镓
氮化镓（GaN），是由氮和镓组成的一种半导体材料，因为其禁带宽度大于2.2eV,又被称为宽禁带半导体材料，在国内也称为第三代半导体材料。
氮化镓和其他半导体材料对比
上图中我们可以看到，氮化镓比硅禁带宽度大3倍，击穿场强高10倍，饱和电子迁移速度大3倍，热导率高2倍。这些性能提升带来一些的优势就是氮化镓比硅更适合做大功率高频的功率器件，同时体积还更小，功率密度还更大。
氮化镓的优异特性
就如这次小米的快充一样，使得小米65W氮化镓充电器的尺寸仅为56.3mm x 30.8mm x 30.8mm，体积比小米笔记本标配的65W适配器还减小了约48%，约为苹果61W快充充电器的三分之一。
为什么氮化镓快充头可以这么小巧？功率还这么大？
这就是得益于氮化镓材料本身优异的性能，使得做出来的氮化镓比传统硅基IGBT/MOSFET 等芯片面积更小，同时由于更耐高压，大电流，氮化镓芯片功率密度更大，因此功率密度/面积远超硅基，此外由于使用氮化镓芯片后还减少了周边的其他元件的使用，电容，电感，线圈等被动件比硅基方案少的多，进一步缩小的体积，所以本次看到的氮化镓快充头，不仅体积小巧，但是还能提供更强大的功率输出。
传统硅基功率器件和氮化镓MOS对比
除了快充，氮化镓还有其他什么重要应用？
氮化镓材料，目前有三个比较重要的方向，分别是光电领域，包括我们现在常见的LED，以及激光雷达和VCSEL传感器；功率领域，各类电子电力器件应用在快充头，变频器，新能源汽车，消费电子等电子电力转换场景；射频领域，包括5G基站，军事雷达，低轨卫星，航天航空等领域。
为什么氮化镓快充电头这么贵？
本次快充头中除了PD协议成本，其他硬件材料电容电感线圈电源管理IC等之外，相当一部分的成本来自于氮化镓MOS功率芯片。
制造氮化镓MOS的原材料就是氮化镓单晶片，目前单晶2英寸就高达2万多元一片。商业方案中较多的使用硅基氮化镓外延片，但是价格也非常高昂，8英寸的硅基氮化镓也超过1万的售价，而且产能不足，很难买到。硅基氮化镓是同面积的硅片的30多倍。
所以说过于昂贵的原材料导致了氮化镓芯片非常昂贵，最终传到到终端产品就看到高出普通充电头数倍的价格。
氮化镓材料为什么如此昂贵？
氮化镓是自然界没有的物质，完全要靠人工合成。氮化镓没有液态，因此不能使用单晶硅生产工艺的传统直拉法拉出单晶，纯靠气体反应合成。由于反应时间长，速度慢，反应副产物多，设备要求苛刻，技术异常复杂，产能极低，导致氮化镓单晶材料极其难得，因此2英寸售价便高达2万多。商业场景中，更多使用氮化镓异质外延片。
什么叫氮化镓异质外延片？
在氮化镓单晶衬底上长氮化镓外延层我们称为同质外延，在其他衬底材料上长氮化镓我们称为异质外延片。
目前包括蓝宝石，碳化硅，硅等是氮化镓外延片主流的异质衬底材料。
其中蓝宝石基氮化镓外延片只能用来做LED；硅基氮化镓可以做功率器件和小功率的射频；碳化硅基本氮化镓可以制造大功率LED、功率器件和大功率射频芯片。
本次小米发售的快充头，就是硅基氮化镓做的功率器件的一个典型应用场景。
为什么同是外延片，应用差异这么大？
氮化镓外延片的用来制造器件有很多具体的指标，包括晶格缺陷、径向偏差、电阻率、掺杂水平、表面粗糙度、翘曲度等，在不同的衬底材料长的外延层晶体质量差别较大。
其中氮化镓和3C碳化硅，有着非常接近的晶格体系，两者适配度非常高，超过95%，因此碳化硅衬底上长氮化镓外延，外延层质量非常好，可以用来做高端产品，包括大射频功率、大功率器件、大功率LED、激光雷达等。
硅和氮化镓晶体适配度非常低，不到83%，因此硅上无法直接长外延层。需要长多道缓冲层来过渡，因此外延层质量水平就比碳化硅基差不少，因此硅基氮化镓只能用来做小功率射频，中小功率器件。
蓝宝石基氮化镓，因为衬底材料的问题，无法应用到射频和功率领域，只能用作普通的LED灯。
虽然都是氮化镓外延片，但是由于衬底材料的不同，外延层晶体质量差异较大，应用也不尽相同。
蓝宝石片最便宜，硅基次之，碳化硅较贵，氮化镓最贵。
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