「每日一基」半导体板块深度分析，及其后市策略

目前半导体板块还是底部震荡，后市需要注意两个因素，一个是大盘走势情况另一个是半导体个股三季度的业绩情况。

由于最近指数的原因，半导体也出现了再次的回落，不过好在没有出现新低，整体的走势还是处于一个底部震荡过程中，那么半导体后市有没有行情呢？ *** 作的时候，我们需要注意什么呢？

在上次一个跳空下跌的阴线之后出现了一个中阳线上涨，然后行情，震荡回升。冲高之后呢，再次出现了一个回落的情况，目前整体就是一个震荡的行情，在指数没有出现比较好的上涨情况下，半导体想单独走强的难度是比较大的。所以，第一步还是要注意指数的情况，不过好在目前指数似乎也没有什么大的下跌空间了，而且节后以看多为主，这一点对于半导体的走势是一个向好。

在具体分析一下个股的情况。

这个半导体的持股情况，我们分析前几个。

我说这个股是个垃圾，没有人反对吧。从高点回落到现在有40多个点了，破了年线还不说，目前还继续新低，并没有出现止跌的迹象。这个股票作为半导体第一大持仓股的话，未免也太有点太拖后腿了。目前来看，诺安半导体这个基金持有的圣邦是比他强很多的。这个股票目前还没有止跌，需要继续等待。对于半导体的基金的影响是下跌的。

这个要稍微好点，因为出现了一个象征性的大阳线出现止跌。后市指数不继续新低，他的抵抗力应该会比较顽强的。这个股目前整体是二次筑底的行情，如果能走出来，那么就是双底，然后震荡上涨行情的行情了。整体对于半导体的基金影响有限，不过目前也需要放量上涨才行，不然也难以有大的行情。

这个股也是底部震荡，目前行情也是在等指数的配合，不过他没有出现大阳线，整体还有点弱，不过只要不新低，行情都还是有机会的。影响偏小，所以整体还是需要时间的。

简单的分析几个来看，目前半导体整体还处于底部震荡行情。虽然有止跌的迹象，但是个股分化还是比较严重的，一波大的行情还需要时间。目前半导体下跌的也不少了，继续大幅下跌的空间比较有限了。不过，想上去一个需要大盘的配合，另一个需要业绩的配合，这就要看这个月半导体个股的业绩情况了。如果能出现超预期的情况，那么半导体很有可能会出现一波不错的行情，去年的半导体大行情也是在一波大幅的回调之后出现了一波大行情的。

所以，目前半导体虽然止跌，但是还是底部震荡，投资的话，需要注意的是 *** 作机会和方式。以定投为主，是比较稳健的投资方式。

一、行业进入下行周期。

全球经济衰退来袭，手机和PC等消费类需求持续疲软。高通、联发科、英特尔等巨头预计全球手机出货量同比下滑5%-11%不等，英特尔预计2022年全年PC市场规模将下降约10%，AMD预计PC处理器业务同比下滑40%。八九月份国内市场销量依旧呈现同比下滑趋势。最近半导体、芯片龙头公司又纷纷传来“被砍单”的消息。

2022年以来，随着半导体、芯片产能的迅速释放，市场供应充足，库存累积，手机链厂商库存环比创5年新高，行业进入去库存阶段。

今年以来，半导体、芯片价格遭受断崖式下跌，由以往的加价抢购到现在的打折处理，部分产品价格下跌幅度高达80%以上，让华强北的一些投机炒家血亏。

二、利空接连不断，打击市场信心。

三、估值没杀到位。

半导体在前面一轮牛市行情中大涨400%，市净率由2018年的最低点1.91一路炒到8.3，现在回落到4.11，处于半山腰稍下一点的位置，估值还没有杀到位。它现在的下跌，并非市场的非理性杀跌，本身就有估值回归的需要，而基本面、消息面的影响加剧了调整的幅度。

四、受市场大势调整影响。

全球股市处于调整期，大A股也在进行周线的大C浪杀跌，市场氛围低迷，调整持续不断，半导体、芯片板块自然也会受到大势走弱的影响，而陷入中线调整格局。

半导体分立器件制造行业主要上市公司：目前国内半导体分立器件制造行业的上市公司主要有华润微(688396)、士兰微(600460)、扬杰科技(300373)、华微电子(600360)、新洁能(605111)、苏州固锝(002079)、银河微电(688689)、立昂微(605358)、捷捷微电(300623)、台基股份(300046)等。

本文核心数据：功率半导体分立器件产量、产值、市场结构

1、功率分立器件产量和产值持续上涨

功率半导体分立器件指额定电流不低于1A，或额定功率不低于1W的半导体分立器件。2015-2020年，中国功率半导体分立器件产量和产值均呈现持续上涨的趋势。2020年，中国功率半导体分立器件产量为4885亿只，较2019年同比增长8%。2020年，中国功率半导体分立器件产值达到165.6亿元，较2019年同比增长3%。

2、MOSFET产品优势凸显、需求量大

功率半导体分立器件可以进一步划分为功率二极管、功率晶体管和功率晶闸管三大类，其中BIT、GTR、MOSFET和IGBT均属于功率晶体管的范畴，SCR、GTO和IGCT则属于功率晶闸管的范围内。功率晶体管中，MOSFET和IGBT属于全控型分立器件，MOSFET根据应用特性的不同，还包括平面型功率MOSFET、沟槽型功率MOSFET、超结功率MOSFET和屏蔽栅功率MOSFET等多种类型。

MOSFET在分立功率半导体器件当中排名首位，2019年占市场规模的36.3%，其次为二极管、其他三极管(包括IGBT)及晶闸管，市场份额分别为32.2%、26.0%及5.5%。

MOSFET的优势在于开关速度快、输入阻抗高、热稳定性好、所需驱动功率小且驱动电路简单、工作频率高以及不存在二次击穿问题等方面而功率二极管具有结构和原理简单、工作可靠的优势。基于产品自身的特点和优势，MOSFET和二极管在功率分立器件市场中占据近70%的市场规模。在MOSFET下游应用的快速发展基础下，按MOSFET销售额划分的市场规模已由2015年的37亿美元增至2019年的53亿美元，复合年增长率约9.2%。

注：市场结构数据根据2019年市场规模数据计算所得。

3、功率分立器件市场规模将继续增长

展望未来，依据全球需求的普遍上升，加上中国制造分立器件如MOSFET、二极管及三极管的庞大产能，中国功率半导体分立器件市场规模预期将会持续增长。预计到2026年，中国功率半导体分立器件产量将超过16000亿只，产值将超过500亿元。

以上数据参考前瞻产业研究院《中国半导体分立器件制造行业市场前瞻与投资战略规划分析报告》

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