热蒸发镀银基底温度

现在常用的超导真空镀银设备中，在镀银过程中，容易产生较大的银颗粒，产生这种现象的主要原因是因为设备采用电子束加热蒸发源蒸发，底部温度太高，按照镀银工艺试验易产生颗粒临界温度为1500°，底部温度大于1500°，为了解决上述问题，现在采用耐高温陶瓷片的阻热方式，在耐高温陶瓷片没有开裂之前，起到一定的效果，但是因为陶瓷片在高温和低温转换过程中易于开裂，开裂后银滴落入陶瓷片底部，因为底部温度过高，会造成银滴大颗粒溅射，甚至会将陶瓷片顶出，从而影响连续镀银效果。

俺曾经在半导体芯片厂工作，据俺所知。对于金银废料都有严格管理规定，废料必须交指定有关部门处理回收，才能领取新原料。此外电镀液多含有污染环境的有害物质如氰化物等，回收部门也必须具有经过核查认可的资质。通过私下介绍来回收废料不符合有关规定。

金属电阻丝应变片与半导体应变片在工作原理上的不同在于电阻变化的原因不同：

金属电阻丝应变片是导体的形状变化从而引起阻值相应的变化。

半导体应变片是半导体的电阻率发生变化从而引起电阻相应的变化。

（1）电阻应变片，是由用于测量应变的元件。它能将机械构件上应变的变化转换为电阻变化。电阻应变片是由Φ=0.02-0.05mm的康铜丝或镍铬丝绕成栅状(或用很薄的金属箔腐蚀成栅状)夹在两层绝缘薄片中(基底)制成。用镀银铜线与应变片丝栅连接，作为电阻片引线。电阻应变片有多种形式，常用的有丝式和箔式。

（2）利用半导体单晶硅的压阻效应制成的一种敏感元件，又称半导体应变片。压阻效应是半导体晶体材料在某一方向受力产生变形时材料的电阻率发生变化的现象(见压阻式传感器)。半导体应变片需要粘贴在试件上测量试件应变或粘贴在d性敏感元件上间接地感受被测外力。利用不同构形的d性敏感元件可测量各种物体的应力、应变、压力、扭矩、加速度等机械量。

（3）半导体应变片与电阻应变片相比，具有灵敏系数高(约高 50~100倍)、机械滞后小、体积小、耗电少等优点。P型和N型硅的灵敏系数符号相反，适于接成电桥的相邻两臂测量同一应力。早期的半导体应变片采用机械加工、化学腐蚀等方法制成，称为体型半导体应变片。

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