横向功率半导体的优势

易于驱动和集成。

以横向功率场效应晶体管为代表的横向功率半导体器件具有易于驱动和集成的优势。

将它们和自身的控制电路集成到同一芯片上可以有效地降低芯片的制造成本并提高芯片的可靠性。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

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