nmos的B端是pwell,而pwell和psub是同一种注入类型,可以认为,它们是连在一起的,但
衬底的电阻大,所以一般在nmos的周围打上p型的衬底接触来提升管子的性能就是在双阱工艺中,除了nwell就是pwell
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实际上,自由电子的迁移率是空穴的三倍,因此用自由电子为多数载流子的N型半导体做导电沟道的话,通过电流能力要强得多。另外,从控制角度而言,NMOS可以用正电压开启,使用起来比较方便,而PMOS需要用到负电压,就不那么方便了。
因此常见的功率型MOS管都是N型,PMOS有,比如IRF9540等,但种类比较少,价格也贵一些。
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