半导体的特性曲线

伏安特性曲线：加在PN结两端的电压和流过二极管的电流之间的关系曲线称为伏安特性曲线。如图所示：

正向特性：u>0的部分称为正向特性。

反向特性：u<0的部分称为反向特性。

反向击穿：当反向电压超过一定数值U（BR）后，反向电流急剧增加，称之反向击穿。

势垒电容：耗尽层宽窄变化所等效的电容称为势垒电容Cb。

变容二极管：当PN结加反向电压时，Cb明显随u的变化而变化，而制成各种变容二极管。如下图所示。

平衡少子：PN结处于平衡状态时的少子称为平衡少子。

非平衡少子：PN结处于正向偏置时，从P区扩散到N区的空穴和从N区扩散到P区的自由电子均称为非平衡少子。

扩散电容：扩散区内电荷的积累和释放过程与电容器充、放电过程相同，这种电容效应称为Cd。

结电容：势垒电容与扩散电容之和为PN结的结电容Cj。

半导体电子厂主要生产TO-92、TO-92S、TO-92L、TO-126型产品。

产品：三极管广泛应用于玩具、电子节能灯、数码技术产品、通讯、电视、工业自动化及家用电器领域，上芯、焊线、塑封、测试分选、激光打印等自动化生产设备。

电子厂的半导体指的是

锗、硅、硒、砷化镓及许多金属氧化物和金属硫化物等物体，它们的导电能力介于导体和绝缘体之间，叫做半导体。

半导体具有一些特殊性质。如利用半导体的电阻率与温度的关系可制成自动控制用的热敏元件（热敏电阻）；利用它的光敏特性可制成自动控制用的光敏元件，像光电池、光电管和光敏电阻等。

半导体还有一个最重要的性质，如果在纯净的半导体物质中适当地掺入微量杂质测其导电能力将会成百万倍地增加。利用这一特性可制造各种不同用途的半导体器件，如半导体二极管、三极管等。

把一块半导体的一边制成P型区，另一边制成N型区，则在交界处附近形成一个具有特殊性能的薄层，一般称此薄层为PN结。图中上部分为P型半导体和N型半导体界面两边载流子的扩散作用（用黑色箭头表示）。中间部分为PN结的形成过程，示意载流子的扩散作用大于漂移作用（用蓝色箭头表示，红色箭头表示内建电场的方向）。下边部分为PN结的形成。表示扩散作用和漂移作用的动态平衡。

半导体是通常由硅组成的材料产品，其导电性比玻璃之类的绝缘体高，但比铜或铝之类的纯导体导电性低。可以通过引入杂质（称为掺杂）来改变其导电性和其他性能，以满足其所驻留的电子组件的特定需求。

半导体也被称为半导体或芯片，它可以在数千种产品中找到，例如计算机，智能手机，设备，游戏硬件和医疗设备。

半导体分为四个主要产品类别：

内存：内存芯片充当数据的临时仓库，并将信息往返于计算机设备的大脑。内存市场的整合仍在继续，将内存价格推到了如此低的水平，以至于只有东芝，三星和NEC等少数巨头能够负担得起。

微处理器：这些是中央处理单元，包含执行任务的基本逻辑。英特尔在微处理器领域的统治已迫使几乎所有其他竞争对手（除了超微公司）退出主流市场，并进入较小的细分市场或完全不同的领域。

商品集成电路：有时被称为“标准芯片”，它们被大量生产以用于常规处理。该细分市场由亚洲大型芯片制造商主导，其利润微乎其微，只有最大的半导体公司才能竞争。

复杂的SOC： “片上系统”实质上就是创建具有整个系统功能的集成电路芯片。市场围绕着对具有新功能和较低价格的消费产品不断增长的需求。随着存储器，微处理器和商品集成电路市场的大门紧闭，SOC细分市场无疑是仅有的具有足够机会来吸引众多公司的细分市场。

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