我认为:
有效周长S=20/0.2=100um。
最小宽度W=引线孔宽+2X套准间距=26um。
对长度也同理L>=26um。
故2(W+L)=104>100um.
故最小面积=26*26=676
从器件来讲,主要是指栅极长度(一般,栅极长度小于栅极宽度)。从加工精度来讲,主要是指套刻精度(最小间距);最小线宽是引线孔尺寸。
因为并无统一的看法,仅供参考。
IC的制备工艺相对复杂一点,但跟基本的晶体管、MOS工艺等差不多的。NPN管为例硅外延平面管的结构主要工艺流程:(1) 切,磨,抛衬底(2)外延(3)一次氧化(4)基区光刻(5)硼扩散/硼注入,退火(6)发射区光刻(7)磷扩散(磷再扩)(8)低氧(9)刻引线孔 (10)蒸铝(11)铝反刻(12)合金化 (13)CVD(14)压点光刻(15)烘焙(16)机减(17)抛光(18)蒸金(19)金合金(20)中测.欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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