对于功率半导体器件,芯片
焊接材料必须在这些器件工作的较高
温度下能够保持可靠焊接,同时为工作中的器件提供一个高导热的散热路径。如果芯片粘接材料能够承受比高铅
焊料更高的工作温度,这将意味着它在宽禁带半导体器件如SiC功率二极管和晶体管应用中会有优势。由于更高的热导率、更高的击穿电压和更高的饱和载流子速度,SiC器件的功率密度可以实现大幅度增长。更宽禁带的SiC允许更高的结温,而不影响性能[1]。高铅焊料的传统冶金替代品如金锡共晶合金,有较高的作业温度,超过了半导体可以容忍的性能不退化温度;另一种替代品为填银的环氧树脂,但是这种环氧树脂又存在热导率不够的问题,不能保持芯片以最高效率工作所需的温度[1,2]。纳米颗粒具有较高的表面活性,这意味着将会有比块状银熔点961.8 ℃更低的熔点(图1),例如2.4 nm银子熔点为350 ℃[3]。这样的粒子外层在较低的温度下有类似于熔融状态的移动性,使它们在远低于传统的银粉烧结所需温度下,通过润湿和扩散彼此结合或与其他兼容材料相结合。虽然烧结过程中施加外部压力增加了粒子的接触面积,但是在纳米银粒子烧结中这并不是必须的。即使温度低于回流高铅焊料的温度,银表面的移动原子所产生的毛细管作用力也足以保证相邻粒子接触的润湿力。由于银比焊料具有更高的强度,实现本应用中所需的强度不要求高密度银。事实上,多孔结构较低的d性模量有利于减小热循环过程中由于热膨胀系数差异产生的芯片应力。当正确配制时,基于纳米银粒子的焊膏可在高铅焊料所要求的类似温度和更低的温度范围内形成可靠焊点。纳米银将高活性的纳米银粒子递送到焊接区域,并使其结合形成一个满足电气和热导率要求的结构强健的焊点,还是有许多挑战的。半导体封装设备一般有锡膏印刷机、固晶机、回流焊、点亮+检测、返修设备等,其中最为核心的是固晶机,我们公司的产线采用的是卓兴半导体的固晶机,很好用,性能很强大。此外,针对半导体封装制程卓兴半导体还搭建了一套完整的倒装COB解决方案,可以实现Mini LED直显和背光的封装制程工序,这套线体他们总部有实物,参观过,而且已经有企业落地执行了。百度下有很多相关信息。焊接不锈钢可以用镍基焊膏等。HJNi-Tx系列。
焊接: 焊接,也可写作“焊接”或称熔接、镕接,是两种或两种以上材质(同种或异种)通过加热、加压,或两者并用,使两工件产生原子间结合的加工工艺和联接方式。焊接应用广泛,既可用于金属,也可用于非金属。焊接过程中,工件和焊料熔化形成熔融区域,熔池冷却凝固后便形成材料之间的连接。这一过程中,通常还需要施加压力。焊接的能量来源有很多种,包括气体焰、电弧、激光、电子束、摩擦和超声波等。19世纪末之前,唯一的焊接工艺是铁匠沿用了数百年的金属锻焊。最早的现代焊接技术出现在19世纪末,先是弧焊和氧燃气焊,稍后出现了电阻焊。
评论列表(0条)