2020年国内半导体行业投资金额有多少？

据云岫资本近日发布的《2020年中国半导体行业投资解读》统计，2020年国内半导体行业股权投资案例413起，投资金额超过1400亿元人民币，相比2019年约300亿人民币的投资额，增长近4倍。这也是中国半导体在一级市场有史以来投资额最多的一年。

由于国产替代需求强烈，许多半导体公司在过去一年中业绩增长迅猛，投资阶段也普遍出现后移，C轮以后的投资比重大幅增加。

半导体产业链可大致分为设计、制造、封测、材料和设备等环节。从细分方向来看，对投资额要求不高的半导体设计仍然是投资重点，2020年占到半导体领域总投资案例数的接近七成。

扩展资料：

资料显示，华为旗下的哈勃投资，京东方旗下的芯动能，手机厂商OPPO等在半导体赛道上投资布局较为活跃。

云岫资本认为，接下来将半导体投资将进入深水区，无论从投资人还是创业者角度，在方向选择上应该重点关注国产化率低的卡脖子领域和大芯片，比如EDA/IP、CPU、GPU、FPGA、网络处理芯片、车用芯片、存储芯片等。

对2021年的半导体投资，云岫资本还建议关注产能有保障的企业，因为随着晶圆产能持续紧张，芯片不断涨价，产能有保障的企业业绩将大幅增长。

此外，在5G和AI等新技术推动下，相应芯片细分行业将随着下游应用快速爆发而快速增长，相关领域或会出现快速商业化的机会。

参考资料来源：界面新闻－2020年国内半导体行业投资金额超1400亿元，为史上最多一年

1.功率分立器件产量和产值持续上升功率半导体分立器件是指额定电流不小于1A或额定功率不小于1W的半导体分立器件。2015-2020年，我国功率半导体分立器件产量和产值呈持续上升趋势。2020年，我国功率半导体分立器件产量4885亿，较2019年增长8%。2020年，我国功率半导体分立器件产值达到165.6亿元，较2019年增长3%。2.MOSFET产品优势突出，需求量大功率半导体分立器件可以进一步分为三类:功率二极管、功率晶体管、功率晶闸管，其中比特、GTR、MOSFET、IGBT都属于功率晶体管范畴，而SCR、g to、IGCT属于功率晶闸管范畴。在功率晶体管中，MOSFET和IGBT属于全控分立器件。根据不同的应用特点，MOSFET还包括平面功率MOSFET、沟槽功率MOSFET、超结功率MOSFET和屏蔽栅功率MOSFET。MOSFET在分立功率半导体器件中排名第一，占2019年市场规模的36.3%，其次是二极管、其他三极管(包括IGBT)和晶闸管，市场份额分别为32.2%、26.0%和5.5%。MOSFET具有开关速度快、输入阻抗高、热稳定性好、所需驱动功率低、驱动电路简单、工作频率高、无二次击穿问题等优点。该功率二极管结构和原理简单，工作可靠。基于产品本身的特点和优势，功率分立器件市场中，MOSFET和二极管占据了近70%的市场规模。基于MOSFET下游应用的快速发展，MOSFET销售额的市场规模从2015年的37亿美元增长到2019年的53亿美元，年复合增长率约为9.2%。

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