当然,这时归并到导带底的有可能被占据的能级的密度(Nc)必然不等于整个导带的能级密度,则称Nc为导带的有效能级密度(或者有效状态密度)。因为温度越高,电子的能量就越大,则在导带中有可能占据的能级数目就越多,故有效能级密度与温度T有关;仔细的分析可给出为Nc=2(2πm*kT/h2)3/2,式中的h是Planck常数,m*是电子的所谓状态密度有效质量,T是绝对温度。
在室温下,对于Si,Nc=2.8×1019cm–3;对于GaAs,Nc=4.7×1017cm–3。可见,Nc比晶体的原子密度(5×1022 cm–3)要小得多。这就表明,在非简并情况下,载流子只是占据导带中的很少一部分能级(这时电子基本上就处在导带底附近)。
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