什么是虚衬底，什么是赝晶

衬底就是说最底部是这种材。

赝晶：不是真晶。结构较松散，还有较多气孔等，待进一步烧结后，致密化成陶瓷晶体。赝晶体就是晶格存在畸变的晶体。一般，赝晶体是生长在晶格失配（晶格常数不同）的衬底上的薄膜材料。赝晶生长技术是制备高质量的晶格失配异质结的一种重要技术——一种特殊的外延技术。

在外延生长中，当生长层与衬底的晶格常数失配时，则生长层中就存在应力、积累有应变能，并且这种能量随着生长层厚度的增加而增大；当薄膜生长到某一定厚度时，即将在异质结界面处产生所谓失配位错，以释放出积累的应变能。而这些失配位错对于异质结的电学性能极其有害（因为这些位错将会导致出现大量表面态——少数载流子的复合中心），因此，为了生长出优质的晶格失配的异质结，就必须控制生长层的厚度，以避免在界面上出现失配位错。在界面上不出现失配位错的生长层的最大厚度，是一个重要的工艺控制参量，称为临界厚度（当小于此厚度时才不出现失配位错，否则就将发生晶格弛豫——产生位错）。这种异质结界面处不出现失配位错、内部含有应力的薄膜，就称为应变层，这时薄膜内部的价键处于畸变的状态——晶格发生了d性应变，存在着应力（压应力或者张应力）。这种非严格完整、而又不是非晶体的薄膜材料——应变层，往往称为赝晶体，相应的外延生长即称为赝形生长或者共度生长。

赝晶薄膜的组分不同、衬底的种类不同，外延薄膜中的应变能也将有所不同，从而赝晶膜的临界厚度也就不一样。对于在Si衬底上生长的Si(1-x)Ge(x)薄膜，其中Ge的含量x越大，薄膜的临界厚度也就越小；例如，当x=0.5时，Si(1-x)Ge(x)薄膜的临界厚度大约只有8nm，如果是纯Ge薄膜（即x=1），则临界厚度就更小（约只有1nm）。

介面厚度。

半导体中blt的英文全称为BondLineThickness，是介面厚度的意思，代指半导体制造中的介面厚度，也代指债券的线。

半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用，如二极管就是采用半导体制作的器件。

半导体外延生长厚度是500-800微米。通过气相外延沉积的方法在衬底上进行长晶，与最下面的衬底结晶面整齐排列进行生长，新生长的单晶层称为外延层，长了外延片的衬底称为外延片。作为衬底的硅片根据尺寸不同，厚度一般在500-800微米，常用的外延层厚度为2-100微米。

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