我们一直在研发半导体技术，所谓的半导体，有何用途？

半导体是电子元件的主要原材料。它以硅、砷、锗、镓等为半导体材料，是一种介于导体和绝缘体之间的材料，是所有电子元件生产的最佳材料，其导电性能随温度升高而增加，与金属导体的性能相反，使用电子三极管，可产生电子频率放大和缩小的功能，常用的电子三极管有PNP和NPN。现代它的用途非常广泛，如1c集成电路、手机芯片、电子二极管、晶体管、电阻、电子元件等，制成的晶体管通常被称为锗管、硅管型，随着科学家对半导体材料的不断开发，新材料如砷化镓，用它开发的微波和光电电子元件都促进了现代微波和光电技术的发展。

导体是通电的，绝缘体是不通电的。介于两者之间的是半导体。你可以在初中化学的周期表中看到它。具体来说就是半导体。举个例子。普通铜线可以通电，但通电的能量不易控制，绝缘体不通电，但也不易控制绝缘程度。半导体本身就介于两者之间。其优点是，人们可以控制它的带电程度。

现在大多数电子产品都是由硅半导体制成的，常用的有，二极管、音频、晶闸管、自动控制的各种传感器（光、磁、力温度...）、显示屏、集成电路等。半导体中的杂质对电阻率的影响非常大，但如果在具有晶体结构的半导体中人为地掺入特定的杂质元素，其导电性是可以控制的。有了半导体，才有了晶体管，有了晶体管，才有了集成电路，半导体是集成电路的基础。应用最广泛、商业上最成功的半导体材料是硅。在集成电路的平面工艺中，硅更容易实现氧化、光刻、扩散等工艺，更方便集成，其性能也更容易控制。

易车讯 在电气化汽车高速发展的大背景下，自动驾驶技术也在稳步发展，同时城市智能化等社会转型也正在推进。为了让未来的智能出行和机器人能够发展到处理海量信息并快速做出决策以应对复杂的环境，株式会社电装（以下简称“电装”）正在开发新半导体DFP（Data Flow Processor），用以支持自动驾驶、工厂和边缘计算等工业领域。

更灵活判断的新半导体“DFP”

在驾驶过程中为例，当“行人”、“摩托车”、“飞来的报纸”等同时靠近时，需要迅速环顾四周、认识到靠近物体是什么、找出危险、做出判断、执行 *** 作等顺序采取规避危险的行为。

在自动驾驶的过程中让行驶的汽车“认知”周围环境找出危险，在此基础上进行“判断”来决定恰当的移动路径，然后按照决定的方向控制“ *** 作”车辆。实现上述要求，高度的智能是必不可少的。

更多优势促进更灵活的解决方案

继CPU和GPU之后被称为“第三处理器”的DFP兼具“高电力效率”、“实时监控”、“功能安全”、“灵活定制”这4个优势。

首先就提高电力效率而言，DFP相对于GPU而言可以更有效利用运算单元快速执行多个复杂计算，实时优化计算区域，减少海量计算导致的电力消耗，抑制设备运行导致的发热问题。因此处理器的冷却装置也可以相对缩小尺寸，使其在嵌入时更具备优势。

其次为了快速应对突发事件而进行的“实时监测”也是其优势之一，通过短周期持续监控系统所处的状况，确认系统是否出现异常。

对于自动驾驶来说尤为重要的“功能安全”是确保冗余，在发生错误时可以即刻恢复。并在可立即停止的情况下停止工作，在无法停止的情况下，则在未发生错误的部分弥补错误同时继续运行。

不同的系统需要不同的功能，DFP可根据系统进行“灵活定制”。例如，搭载的系统需要高效处理复杂任务或需要处理大量简单的任务时进行灵活定制。

适用于自动驾驶以外的“嵌入式系统”

正因为具备以上四个优势，电装一直致力于在对可靠性要求很高的“车载”领域进行开发。未来DFP不仅在自动驾驶领域，还有望转向其他领域的“嵌入式系统”，如在工厂和农业生产现场运行的机器人，以及边缘计算等。

事实上，电装与其他公司所构建的合作体制并不局限于提供IP。对于DFP本身的开发，与合作伙伴的开放合作是成功的主要原因。

开放式合作机制，大幅缩减开发周期和人数

目前，半导体技术的研发现状是开发费用和制造费用都在飙升，仅靠一家公司很难完成。因此，电装与各种合作伙伴展开合作。例如，与硅谷初创公司Blaize达成合作。从DFP的概念构建开始便参与其中，同时使用了开放体系结构的RISC-V格式，正是因为这样的合作机制，电装得以在短时间内推进了DFP的开发。

关于电装公司

电装是世界先进的汽车零部件生产厂家之一。在美国《财富》杂志发布的2022年世界500强企业中排名第278名。如今，电装在全球30多个国家和地区拥有约200家关联公司，集团员工数约17万人。作为电装在中国的统括公司——电装（中国）投资有限公司，成立于2003年，近年来在社会责任事业和可持续发展道路上获得了不错的成绩。目前在国内设有生产公司、销售公司以及软件开发公司等共计30多家关联企业，员工约17000人，建立了完善的销售、售后服务和生产供应体制。

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电子发烧友网报道（文/程文智）在目前的中美贸易摩擦下，电子产业首当其冲，特别是芯片产业，据业内人士透露，现在跟美国的公司交易，周期一般都特别长，而且基本都需要提前付款和面临各种各样的审查。如果是跟华为有交易的话，还要求来自美国的技术不能超过25%。这迫使国内很多企业不得不考虑国内的供应链企业提供的产品。

在半导体行业方面，根据2018年的统计数据，美国在全球半导体市场占有的份额为48%、韩国为24%、中国除去外资企业的市场份额的话，仅占3%左右的市场份额，当然这两年这个比例可能有所提升。

即便美国已经占了如此多的市场份额，美国国防部在今年上半年，还调整了其12个重点发展的关键技术顺序，将微电子技术和5G军事技术调整到了前两位。在2019年的时候超高速、飞行器、生物技术排在前几位。

西安电子 科技 大学微电子学院副院长、宽禁带半导体国家工程研究中心马晓华在最近的一个论坛上分析称，半导体芯片的博弈是如此的激烈，主要原因是 一个技术密集型的企业，不管从材料、制造以及装备，甚至包括它的管理和运营都是非常专业的一个体系，基本上涵盖了所有技术，走在最先进的前沿。

根据整个集成电路发展规律，半导体进行已经进入了5纳米的技术节点，从常规的二维的器件向三维器件发展。技术节点的发展，带来了一个很大的挑战，就是整个加工的能力逐渐集中到极少数的企业。

对于美国来说，这几年他最大的一个优势是大量的研发投入，去年整个半导体收入有2260多亿美元，有17%的研发投入。正是因为美国的高投入，使得它能在半导体领域长期处于领导地位。不过这几年来，中国也开始加大了半导体基础方面的投入，这也是我们目前发展迅速的一个主要原因。

集成电路芯片技术发展趋势，除了常规的硅基，沿着制程不断缩小，实际上还有几个方面的发展趋势，从材料、器件和功能方面的高度融合，包括提供MEMS技术以及新型材料石墨烯的技术、光电以及通信一体化的芯片技术，甚至包括生物、传感、有源无源、功率射频如何融入一体的发展。所以未来的发展除了沿着摩尔定律制程的缩小以外，还有就是多功能的发展，以及个性化从新材料重新发展的体系。

在材料方面，除了硅基，第三代宽禁带半导体是这几年的热门技术，我国除了在硅基方面进行追赶外，在第三代半导体方面也做了很多投入，有了不少的创新研究。

其实，宽禁带半导体，经过LED照明和Micro LED的技术发展，它的市场已经比较成熟了，现在宽禁带半导体产业的产能已经有了很大的提升，成本也在逐渐下降。因此，宽禁带半导体在的电子器件，包括射频功率器件、 汽车 雷达、卫星通信，以及5G基站和雷达预警等应用领域开始得到应用。在电力电子方面，尤其是电动 汽车 应用领域，充电桩和手机充电器将是很大的一块市场。新能源 汽车 方面，特斯拉已经将碳化硅器件应用在了Model 3上，后续可能会有更多的 汽车 厂商跟进。

在未来的发展，包括未来6G通信，未来定义的业务它的频段更高，通信的速率更高，这一块未来主体的材料，硅基器件的性能已经不能满足要求，这对氮化镓器件的发展提供了更大的动力。

据马晓华介绍，西安电子 科技 大学在2000年初就开始了基于第三代半导体方面的研究。目前他们主要基于两个平台：一是宽禁带半导体器件与集成电路国家工程研究中心；二是两个国家级的重点实验室。

“我们在早期围绕着第三代半导体材料生长设备以及它解决材料生长过程中的一些关键技术问题，包括我们器件的设计、最终的应用和它的可靠性分析，整个实验室是一个非常完整的第三代半导体，材料和芯片研究的体系。目前我们实际上具备了整个小批量，可以实现大功率，或者毫米波芯片的设计和制造能力。”马晓华表示。

目前，他们主要的研发包括 面向高质量外延片的生产，包括基于碳化硅，大储存的硅寸，以及我们先进的氮化镓器件制造工艺，基于5G基站用的大功率芯片，以及高频和超高频的芯片，包括电源转换的电力电子芯片。 他还透露，“基于应用端我们也有一些功率研究以及MMIC电路的封装体系，我们也是希望和终端用户实现未来在芯片实际应用的全路径的体系。”

从2000年开始，马晓华他们的团队分别从设备、材料、芯片以及电路方面进行攻关，并取得了一定的成绩，2009年他们的设备获奖，2015年设计的器件获奖，2018、2019年在应用放，他们也获得了国家的 科技 发明，或者是 科技 进步奖。

第三代半导体方面的成果

一是氮化 镓 半导体设备。 在最开始，马晓华他们团队需要解决的是第三代半导体材料生产的设备问题，包括高温MOCVD，因为在早期，氮化镓的设备对我国的限制还比较大，但是目前问题已经基本得到了解决。国内这几年，整个MOCVD设备已经占了国内市场的50%以上。其2007年研发出的620型第三代MOCVD设备还获得了2009年国家发明二等奖。

二是氮化镓毫米波功率器件。 因为氮化镓一个很大的优势，它可以在高频条件下，实现大的功率输出。其团队研发的氮化镓毫米波功率器件实现了高频、高效率氮化镓微波功率器件的核心技术开发，其毫米波段器件和芯片技术指标达到了国际领先水平。马晓华透露说，目前他们的器件在6GHz频段能够满足5G毫米波的需求。

三是面向5G的C波段高效率氮化镓器件。 该类器件主要是面向基站使用的。目前基于4英寸或者6英寸大功率的氮化镓基站芯片，主要的应用场景是C波段，它可以实现更高的输出效率和更高的输出功率，“目前我们对100瓦基站用的芯片，效率可以到72%，这个效率相对于硅基MOCVD来讲，整个技术进展还是蛮快的。”马晓华指出。

他还进一步指出，对于脉冲方面，如果通过一些斜波的技术处理，他们也可以实现85%的效率，基本上快接近微波的极限效率。

四是低压氮化镓HEMT射频器件。 未来氮化镓器件除了在基站中使用外，能够在终端上也使用氮化镓技术呢？这就涉及到了低压氮化镓射频器件的发展了。也就是说要从新的材料体系方面去更新，实现氮化镓射频器件在终端上的应用，即在10V以下的工作电压下，是不是还能实现更高效率跟带宽的情况，“这块我们也做了前瞻的研究，在6V的工作条件下，它的效率可以达到65%以上，整个体系基本上已经接近砷化镓在目前手机中的应用效率。”马晓华透露。

五是氮化镓高线性毫米波器件。 这类器件主要解决的是快速的压缩问题。我们现在的通信对于线性主要是通过电路和系统去提升，它牺牲的是效率，马晓华指出，“我们能否从器件的结构，工作原理中提升它的线性，这个也是未来氮化镓在5G通信中非常有用的场景。”

六是氮化 镓 微波功率芯片。 他们团队在整个S波段以下，未来通信的频段都有一系列的研究成果。包括未来面向毫米波，在19-23GHz，或者23-25GHz等频段，即未来5G的毫米波通信芯片方面也做了相关的研究，他透露说，目前他们研发的芯片产品主要是基于氮化镓低噪运放、驱动功放以及功率放大器等。

七是异质结构新材料与多功能集成器件。 未来的器件，除了基于氮化镓的器件，还有很多基于异质结构，或者多功能的芯片，它的模型基于硅基的氮化镓，以及硅基CMOS器件异质集成，因为如果采用硅基的话能够大大降低氮化镓和砷化镓铟等芯片成本，实现与CMOS集成、多功能集成，大大降低功耗。“这块我们也做了一些研究，通过对不同材料的转移和建核的方法，目前也实现了对硅基材料和氮化镓材料两种器件的优势互补，在未来电力电子这块，可能它的应用场景比较高。”马晓华指出。

八是大尺寸硅基氮化镓射频技术。 如果要大量的展开应用，尤其我们的消费电子类产品，对成本的要求很高。因此，低成本、大尺寸、基于硅基的氮化镓射频技术，也是一个需要发展的产业。这些技术的发展，一定会促进氮化镓在整个产业链中的应用，同时也降低了它的应用成本。

九是氮化 镓 可靠性机理研究。 马晓华也坦承，虽然第三代半导体的研究取得了一定的成果，但目前还有很多问题需要解决，比如氮化镓的可靠性和一些机理性问题，还需要企业应用过程中逐步反映到研发机构，他们相互去解决。“目前很多基于氮化镓机理性的问题，包括它的可靠性方面，我们还有一些机理上不是那么清晰和明确，这一块可能还需要一段时间，从应用的层面和研究的层面去协同解决”。

结语

对于第三代半导体器件和集成电路未来产业的发展，目前在通信、 汽车 和智能化未来的应用方面有非常大的潜力。国内目前从事这方面研究的企业和研究机构也很多，我们需要考虑的是如何从全产业链方面布局，实现产业化的聚集，从设备、材料，芯片设计制造和封测应用、服务以及人才方面的布局。

第三代半导体是一个很好的产业，也有着很好的机遇，目前正好面临着通信的高度发展，可以说现在是发展第三代半导体最好的时代。

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