跪求好心人，热电压是什么意思？电子热电压的公式是VT=kTq。是指电子在温度T下的平均动能吗？

闭合电路中，由于两点间存在温差而出现的电位差叫做热电压（Thermalvoltage）。也称为温度的电压当量。

电学中常用的热电压VT＝kT／q，具有正的温度系数。而三极管的BE结电压VBE具有负的温度系数，二者的平衡可以产生一个在某一温度下温度系数为零的基准电压。

当T＝300K时，根据k（k＝1．38×10J／K）和q（q＝1．6×10C）的数值可求得kT／q≈0．026V。该电压与温度有关，用VT表示。

在二极管和三极管的研究中，该物理量可以表示扩散系数和迁移率的内在联系，也表示载流子在半导体中定向运动的难易程度。VT＝Dp／μp＝Dn／μn。

扩展资料：

温度电压当量，与热力学温度成正比，二极管的温度电压当量表示为 ：VT = kT／q。

其中，T为热力学温度，单位是K，T=t+273，其中t为摄氏温度。

q是电子的电荷量。

k为玻耳兹曼常数。

在室温27°C左右时，（相当T=300 K），则有温度电压当量为UT=26 mV。

P-N 结电容包括势垒电容和扩散电容两部分：C=CT+CD

当结两端的外加电时为负（即n 区为正，p 区接负）时，由于P 区、n 区的少数载流子

很少，负电压的变化并不引起p 区、n 区中电荷有多大的变化，所以扩散电容很小，相对势

垒电容来讲，扩算电容可以忽略。即：

C=CT+CD≈CT

所以，在外加负偏压的条件下测得的P-n 结电容认为是P-n 结势垒电容。

势垒电容CT 与势垒区厚度δ 的关系同平行板电容器一样：

（1）

式中ε是硅的相对介电常数ε=12；ε0 是真空介电常数ε0=8.85×10-2 微微法/厘米；A 是P-n

结的结面积，用cm2 作单位；δ是势垒厚度，用cm2 作单位。

P-n 结势垒区的厚度δ是随外加电压的变化而变化的,它的变化规律与P-n 结两边的杂

质浓度的大小及杂质的分布状况有关。

Ge:ε=16

Q=1.6×10-19 库仑

对于突变结，在经过相关简化计算后有电容公式如下：

 

（2）

这样就可以通过垃替代法来量测电容，其线路图如下图所示。

图中“Ug”为标准高频信号发生器；⊙为视频毫伏表；C 为可变电容；Cx 为待测的P-n结。

测量前首先把可变电容器旋到最大值（此值用C’表示），然后调节讯号频率，使LC 回路

谐振，即“视频毫伏表”指示最大。当接上待测P-n 结电容Cx 时，由于Cx 与可变电容C

并联，因此使谐振回路失去谐振状态，减小可变电容C 到某一值（此值用C’’表示）会师谐

振回路重新谐振。显然，C’-C’’=Cx，其中C’为C 调到最大值时的电容值。

这里需要指出：

1、量时需要满足小讯号条件，由于P-n 结电容与外加电压的关系不是线性的，所以要测量

某一偏压V 下的结电容就应该在这一偏压下加一足够的交流电压。实验中我们家的交流

电压为几mV 到十几mV。

2、扣除分布电容 Cs

我们用上述方法测到的Cx 实际上包括了两部分，一部分是P-n 结电容，另一部分是分

布电容Cs。在测得Cx 后，必须扣除分布电容Cs 才是真正的P-n 结电容。为扣除Cs，取一

个与待测管同一类型的管壳，测量它的电容就是分布电容Cs，于是P-n 结电容CT 为：

CT=Cx-Cs

 

希望可以帮到你呵

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