【研究内容】
研究范围：电力半导体器件和装置的研究。
推广技术与项目：4英寸超大功率快速晶闸管；5英寸大功率晶闸管。
学科分类： 电子、通信与自动控制技术 ； 动力与电气工程
【科研能力】
职工人数：740 (人)
技术人员： 375 (人)
机构类别： 省市系统
上级主管单位： 省科技厅
成立年代： 1966
主要研究人员：
内部机构名称： 第一研究室，第二研究室，第三研究室，第四研究室，国家工程研究中心，国家质量检测中心，行业标准室，
下属机构名称： 西安千岛实业有限责任公司，西安屹立电力电子有限责任公司，西安爱帕克电力电子有限公司，西安西普电力电子有限公司
出版刊物： 电力电子技术 季刊
生产产品： KS双向晶闸管 ； 超大功率晶闸管 ； 大功率晶闸管 ； 大功率GTO组件 ； 大功率整流管 ； 高压电子束轰击炉电源 ； 快恢复二极管 ； 快开通晶闸管 ； 脉冲电镀电源 ； KK快速晶闸管 ； 高压等离子风洞整流电源
科研成果： LGBT模块封装技术研究 ； 绝缘栅双极晶体管IGBT模块 ； 小光控晶闸管DV/DT测试台 ； MJ-Ⅱ/50型半自动磨角机技术工艺设备研究 ； GTR模块结构及封闭工艺 ； GTO应用共性基础技术研究 ； 晶闸管综合特性测试台 ； GTR模块测试技术和设备 ； 地铁动车斩波调压系统 ； KK2000A/1600V超大功率快速晶闸管 ； 12KV1500A高压晶闸管组件 ； 功率器件用中子嬗变掺杂直拉硅及其应用 ； Φ77MM系列大功率低损耗晶闸管 ； 直径100MM特大功率晶闸管 ； 城市轨道交通车用大功率GTO组件 ； KHS型大电流整流装置 ； 阳极短路型可关断晶闸管研究 ； 光控晶闸管能发源 ； Φ100MM3000A/5500V特大功率晶闸管 ； IGBT测试技术研究 ； KDH-Ⅱ型3000KW电力回收装置 ； 600A、1000～1800V大功率GTO晶闸管 ； Φ125MM三峡直流输电用超大功率晶闸管 ； 大容量高频率IGBT模块 ； IGBT器件封闭技术 ； GTO元件及组件开关时间测试台 ； GTR模块、GTO组件及应用模块测试技术和设备 ； 300MW汽轮发电机旋转励磁整流组件 ； 非对称晶闸管ASCR500A/2000V研究 ； 大功率GTO组件 ； 中板可逆轧机主传动晶闸管微机控制 ； 高压大电流快速晶闸管KK1000A/2000V的研究 ； 高频晶闸管的研制 ； KHS、ZHS电冶、电化学用整流电源 ； 高电压大电流高可靠性晶闸管研究 ； ±100KV舟山直流输电成套设备 ； 晶闸管稳态热阻及瞬态热阻抗测试方法研究和测试设备研制
拥有专利： 制造快速晶闸管的扩金新工艺 ； 桥臂组件结构的密封励磁功率柜
获奖情况： 部委级奖 ； 省级奖 ； 国家级奖 ； 部委级奖 ； 省级奖 ； 国家级奖
【研究成果】（共71项，以下显示其中10项）
￠77mm晶闸管元件
超高压大功率晶闸管的国产化 (中国机械工业科学技术奖三等奖)
4in超大功率快速晶闸管 (中国机械工业科学技术奖二等奖)
大功率电解整流电源
GTO GTR应用电路模块
GTO GTR应用共性基础技术
IGBT器件的制造和工艺技术
MCT计算机辅助设计制造技术和测试技术
绝缘栅双极晶体管IGBT模块
KHS、ZHS电冶、电化学用整流电源
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【申请专利】（共3项 ，以下显示其中10项）
桥臂组件结构的密封励磁功率柜 (申请号:97239564.4)
钼片回收新方法 (申请号:88103038.4)
制造快速晶闸管的扩金新工艺 (申请号:86102417)
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【发表期刊论文】（共41篇 ，以下显示其中10篇）
阀组件在电力系统中的应用前景 楼晓峰 (电力设备 2006(7) )
ZK1150/4500快恢复二极管的研制 郭永忠 (电力电子技术 2006(5) )
60 t进口直流电弧炉电源的改造 王保荣 (工业加热 2006(1) )
Ф100快速晶闸管的研制 高山城 (电力电子技术 2005(5) )
X射线衍射分析热处理温度对透明导电膜结构与导电性能的影响 马颖 (液晶与显示 2005(4) )
高压变频器散热系统的设计 王丹 (电力电子技术 2005(2) )
有关交流拖动系统的IEC及国内标准动态 金东海 (电力电子技术 2005(2) )
直流输电用超大功率晶闸管少子寿命在线控制 李建华 (电力电子技术 2005(1) )
电弧炉与电网 张殿军 (工业加热 2004(5) )
采用谐振极软开关逆变器的异步电机直接转矩控制仿真研究 黄晓东 (西安理工大学学报 2004(3) )
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【发表学术会议论文】（共19篇 ，以下显示其中10篇）
国内外电力电子器件发展现状 (2004年全国电力网无功/电压技术研讨会 (2004-10-1))
晶闸管智能模块 (中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会 (2002-11-1))
热管结构的10kV晶闸管阀组件 (中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会 (2002-11-1))
PRC电路中负载变化对逆变器开关状态的影响 (中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会 (2002-11-1))
三峡工程与高压直流输电 (中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会 (2002-11-1))
电力电子集成技术的现状及发展方向 (中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会 (2002-11-1))
质子辐照用于改善大功率快速晶闸管的特性 (中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会 (2002-11-1))
4万t/a离子膜整流装置的运行总结 (第20届全国氯碱行业技术年会 (2002-9-1))
基于空间电压矢量的永磁同步电机控制系统仿真 (第七届中国电力电子与传动控制学术会议 (2001-7-1))
采用热管散热和φ100mm晶闸管的巨型励磁功率柜 (CSEE中国电机工程学会大电机专业委员会2001年度励磁学术讨论会 (2001-5))
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【起草标准】（共61项 ，以下显示其中10项）
半导体器件 分立器件第6部分:晶闸管第三篇 电流大于100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范 (标准编号:GB/T 13151-2005)
半导体器件 分立器件 电流大于100A、环境和管壳额定的双向三极晶闸管空白详细规范 (标准编号:GB/T 13150-2005)
电力半导体器件用接插件 (标准编号:JB/T 5843-2005)
电力半导体器件用门极组合件 (标准编号:JB/T 5835-2005)
电力半导体器件用管芯定位环 (标准编号:JB/T 5842-2005)
电力半导体器件用管壳瓷件 (标准编号:JB/T 10501-2005)
低压直流电源设备的性能特性 (标准编号:GB/T 17478-2004)
半导体变流器 包括直接直流变流器的半导体自换相变流器 (标准编号:GB/T 3859.4-2004)
电工术语 电力电子技术 (标准编号:GB/T 2900.33-2004)
电力半导体器件用散热器 第1部分:铸造类系列 (标准编号:GB/T 8446.1-2004)
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【媒体新闻】（共6篇 ，以下显示其中10项）
直流设备全面国产化之路能走多远 (2006-9-13)
大型清洁高效发电装备被列入重点发展对象 (2006-6-21)
曾培炎：振兴装备制造业关系现代化建设的全局 (2006-6-20)
国务院振兴装备制造业工作会议举行 (2006-6-20)
电力电子行业修改生产许可证实施细则 (2003-4-16)
西安电力电子技术研究所勇攀科技高峰 (2003-4-9)
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【联系信息】
机构名称： 西安电力电子技术研究所
曾 用 名： 机械工业部西安整流器研究所
负 责 人： 陆剑秋 职务： 所长 职称： 高级工程师，教授
地 址： 陕西省西安市朱雀大街94号 (710061)
电 话： (029) 85271717（办），85271888，85271829（科）
传 真： (029) 85261691
电子邮件： peri@chinaperi.com ； xwangi@pop3.irf.com
网 址： http://www.chinaperi.com
一、可控硅的工作原理：
1、双向可控硅：双向可控硅是一种硅可控整流器件，也称作双向晶闸管。这种器件在电路中能够实现交流电的无触点控制，以小电流控制大电流，具有无火花、动作快、寿命长、可靠性高以及简化电路结构等优点。
2、双向可控硅除了其中一个电极G仍叫做控制极外，另外两个电极通常却不再叫做阳极和阴极，而统称为主电极Tl和T2。它的符号也和普通可控硅不同，是把两个可控硅反接在一起画成的，它的型号，在我国一般用“3CTS”或“KS”表示。
3、用“TRIAC”来表示的。双向可控硅的规格、型号、外形以及电极引脚排列依生产厂家不同而有所不同，但其电极引脚多数是按T1、T2、G的顾序从左至右排列(观察时，电极引脚向下，面对标有字符的一面)。市场上最常见的几种塑封外形结构双向可控硅的外形及电极引脚排列就可以工作。
二、主要作用：
1、普通晶闸管最基本的用途就是可控整流。以最简单的单相半波可控整流电路为例，在正弦交流电压U2的正半周期间，如果VS的控制极没有输入触发脉冲Ug，VS仍然不能导通，只有在U2处于正半周，在控制极外加触发脉冲Ug时，晶闸管被触发导通。
2、通过改变控制极上触发脉冲Ug到来的时间，就可以调节负载上输出电压的平均值UL。在电工技术中，常把交流电的半个周期定为180°，称为电角度。这样，在U2的每个正半周，从零值开始到触发脉冲到来瞬间所经历的电角度称为控制角α；在每个正半周内晶闸管导通的电角度叫导通角θ。
3、α和θ都是用来表示晶闸管在承受正向电压的半个周期的导通或阻断范围的。通过改变控制角α或导通角θ，改变负载上脉冲直流电压的平均值UL，实现了可控整流。
扩展资料：
1、可控硅从外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三种，螺旋式的应用较多。可控硅有三个电极---阳极（A）阴极（C）和控制极（G）。它有管芯是P型导体和N型导体交迭组成的四层结构，共有三个PN结。
2、可控硅和只有一个PN结的硅整流二极度管在结构上迥然不同。可控硅的四层结构和控制极的引用，为其发挥“以小控大”的优异控制特性奠定了基础。
3、在应用可控硅时，只要在控制极加上很小的电流或电压，就能控制很大的阳极电流或电压。电流容量达几百安培以至上千安培的可控硅元件。
4、一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。
参考资料：百度百科-可控硅
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