科创板被誉为"中国版纳斯达克"，自获批以来即被火速推进。6月27日共有10家公司科创板IPO申请获受理，单日受理企业数量新高。目前，过会企业增至27家；受理企业达141家。这速度，跟点了火的窜天猴一样，噌噌噌的往上升。不仅投资者们跃跃欲试，创投机构也热血沸腾。这不，科创猫君了解到一家逾40家VC/PE入局，以9.08亿美元的金额高居美元融资榜首的芯片"独角兽"--澜起 科技 。
高额融资的背后反映出创投机构对芯片"独角兽"的热 捧。公开资料显示，澜起 科技 是一家从事研发并量产服务器内存接口芯片的企业。能让创投机构青睐有加，这个"独角兽"有什么过人之处呢？
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DRAM市场规模总体向上
首先，先在这里做一个简单的科普，内存接口芯片和DRAM是什么？
我们知道服务器有两大核心部件：CPU和DRAM内存。所谓的内存接口芯片就是服务器CPU存取内存数据的连接通路，主要应用于服务器内存条，用来提升内存数据访问的速度及稳定性，满足服务器CPU对内存模组的大容量需求。
在公司2018年的营业收入中，内存接口芯片贡献了99.49%的营业收入。内存接口芯片直接面向DRAM存储器市场，要说公司业绩取决于DRAM市场行情也不为过。
DRAM是什么？DRAM属于易失性存储芯片，断电之后数据就会消失，我们最常说的系统内存就是DRAM。
根据技术规格的不同，DRAM可分为DDR系列、GPDDR系列、LPDDR系列等类别。简单点说，DDR/DDR3/DDR4/DDR5就是内存颗粒，而内存条就是把多颗颗粒一起嵌入板中而成，用于电脑等。目前，DDR和DDR2已经基本退出市场，而以DDR3、DDR4以及LPDDR系列为主，预计DDR5在2019年底实现量产。
2018年，DRAM的制程工艺处于1X/1Ynm阶段，预计1Znm以下制程要在2021年才大规模进入市场。1Xnm处于16-19nm之间，1Ynm处于14-16nm之间，1Znm处于12-14nm之间。数值越小说明相同芯片上可以放下的电子元件更多，能让晶体管运行速度变小，能耗变小的同时，降低单个芯片的制造成本。
DRAM的市场基本被三大寡头垄断，2019财年1季度，三星，海力士，美光 科技 这三大巨头市占率分别为42.7%、29.9%、23%。
近几年，云服务、数据中心一路发展壮大，推动DRAM的需求急剧上升。一时间供不应求，导致产品价格大幅上涨。随后全球厂商们纷纷加大产量，2018年三星扩产8%，海力士无锡厂也小幅扩产，快速填补2017年残存的需求缺口，结果就是DRAM价格应声而落。2019财年以来，DRAM二季度的价格比一季度下降了30%。预计2020年左右前期库存和轻微的供大于求会一并消化完毕，重新达到平衡。2020年以后，5G和AI热潮到来，拉动半导体需求，叠加下一代制程的DRAM（1Znm）也将开始普及，整个DRAM市场供需关系会更加复杂，但规模总体向上的趋势是确定的。
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净利润爆发式增长，2018年毛利率高增
澜起 科技 的主营业务是为云计算和人工智能领域提供以芯片为基础的解决方案。2017年及以前，公司以内存接口芯片和消费电子芯片为主。2017年剥离消费电子芯片业务后，公司主要产品包括内存接口芯片、津逮服务器CPU以及混合安全内存模组。
公司采用无晶圆厂的集成电路设计企业模式，只需负责芯片的电路设计与销售，生产、测试、封装等环节则外包。市场上，海思、高通、联发科、博通均采用该模式。在这种模式下，公司无需花费成本建立晶圆生产线，企业运行费用较低，能充分发挥技术优势，快速开发出相关产品。
公司营收保持稳健高速成长，净利润呈现爆发式增长。 2016-2018年，公司实现营业总收入8.45、12.28、17.58亿元，CAGR达44.23%。实现归母净利润0.93、3.47、7.37亿元，同比增速237.98%、273.81%、112.41%。
公司经营业绩高速成长主要得益于三个因素，一是全球数据中心服务器内存市场需求的持续增长，二是因为公司发明的DDR4全缓冲"1+9"架构被JEDEC（全球微电子产业的领导标准机构）采纳为国际标准，公司凭借在DDR4内存接口芯片的技术先进性、可靠性和良好口碑，市场份额持续提升，三是剥离消费电子芯片业务后，公司更专注于内存接口芯片领域的深耕。可以看到，公司内存接口芯片实现了销售额的快速提升，2016-2018年CAGR高达77.04%，有力地推动了公司营业收入的大幅增长。
2016-2018年，公司实现毛利率51.2%、53.49%、70.54%。2018年毛利率大幅提升是剥离消费电子业务所致。高毛利率也反应公司内存接口芯片具有极强的竞争优势和盈利能力。
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机遇与风险
澜起 科技 面临的机遇大概有以下几点，一是大环境下旺盛的市场需求，二是公司市占率高，三是公司技术壁垒高企，护城河渐深。
在国家政策大力支持，全球集成电路产业重心转移至中国，下游云计算、大数据、物联网等产业逐步成熟的背景下，行业具有爆发增长的趋势，前景广阔。
目前，行业已经进入三足鼎立的状态，三巨头分别是澜起 科技 、IDT和Rambus。公司和IDT在内存接口芯片领域市占率较为接近，Rambus占比则相对较小。马太效应告诉我们，强者会愈强，而弱者只会愈弱。 商场如战场，在一个行业里面，独占鳌头的永远只有那两三个公司。 澜起 科技 已经位列全球前三，在可预见的未来，会有较高的投资回报。
2016年至2018年内存接口芯片市场规模情况（单位：亿美元）
对于芯片设计企业来讲，人才和技术研发就是生命线。澜起 科技 的核心技术均系自主研发结果，公司每年的研发支出占营收比例均在15%以上。截至2019年4月1日，公司已获授权的国内外专利达90项，获集成电路布图设计证书39项。公司整体员工中70%以上为研发类工程师，且研发人员中50%以上拥有硕士及以上学位，为公司持续的产品创新提供了重要的人才基础。
澜起 科技 面临的挑战大概有以下三点，一是客户集中度较高，二是下游客户出货量下滑将导致公司经营业绩波动，三是中美贸易摩擦风险。
受下游DRAM市场三星电子、海力士、美光 科技 市占率合计超90%的影响，公司客户集中度较高。 2016-2018年，公司对前五大客户的销售占比分别为70.18%、83.69%和90.10%。根据公司披露，公司主要客户是三星、海力士、海昌电子，如果公司产品开发策略不符合市场变化或不符合客户需求，则公司将存在不能持续、稳定地开拓新客户和维系老客户新增业务的可能，从而面临业绩下滑的风险。
根据下游客户（DRAM生产商）公开披露的资料及行业研究报告分析，DRAM市场规模预计在2019年将出现一定程度的下滑，其主要原因是受行业周期性波动和供求关系的影响，DRAM产品的平均销售价格处于下行周期。同时，受行业景气度影响，公司下游客户的总体出货量存在下滑的风险。如果DRAM行业景气度进一步下滑或回升不及预期，将有可能导致内存接口芯片市场规模同步出现下滑或增速放缓，可能对公司未来业绩造成一定不利影响。
公司的主要晶圆代工厂为富士通和台积电，主要封测厂为星科金朋和矽品 科技 ，相关供应商在中国大陆外均有相关产能。经过多年的发展，公司的销售区域覆盖中国大陆、亚洲、欧洲、美洲等地。2018年来自境外、国内、其他（地区)的营收分别为11.07亿元、5.68亿元、0.83亿元。其中，来自美国地区的营收占总收入比为4.53%、6.58%、3.22%。
美国于2018年3月22日公布计划对中国600亿美元的商品加征关税，其后中国也采取相应反制措施，近一年来中美双方就经贸问题进行了多轮磋商。截至2019年6月29日，中美双方元首会晤，美方表示将不再对中国出口产品加征关税。但具体贸易协议仍未未达成。鉴于集成电路产业是典型的全球化分工合作行业，如果中美贸易摩擦进一步升级，有可能造成产业链上下游交易成本增加，下游需求受限，上游供给不畅，从而有可能给公司的经营带来不利影响。
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澜起 科技 市值大概有多少
澜起 科技 充分享受了2017-2018年两年下游DRAM行业高速增长的红利，现在摆在公司面前的是下游景气度下滑、产品价格下降将带来公司内存接口芯片需求的下降。
是争取做到成本领先，还是寻找新的增长点呢？目前来看，津逮服务器占收入比仍然只有0.5%左右，人工智能芯片研发项目才刚刚起步。看来，摆脱产品结构单一，寻找新的增长点，澜起 科技 还有很长一段路要走。
话说，如果每台电脑都像苹果公司新推出的Mac Pro那样配12个DDR4 DIMM插槽。对，没错，就是那个被调侃的刨丝器！1配12！下游DRAM市场需求妥妥的暴增，将会带动澜起 科技 的业绩爆发，但前提是"刨丝器"热销。"刨丝器"能引起抢购潮吗？科创猫君觉得，理想很远大，现实有点骨感23333。
目前在全球范围内从事研发并量产服务器内存接口芯片的主要包括3家公司，分别为澜起 科技 、IDT和Rambus。IDT是一家为通信、计算机和消费类行业提供组合信号半导体解决方案的公司，曾是美国上市公司，2019年1季度被瑞萨电子收购。Rambus是一家在美国上市的技术解决方案研发公司，同时提供安全研发、高级LED照明设备和显示器以及拟真移动媒体领域的产品与服务。总体上看，澜起 科技 和IDT在内存接口芯片市场占有率较为接近，Rambus占比则相对较小。
国内公司中暂无与澜起 科技 在业务模式、产品种类上均完全可比的竞争对手。考虑到科创板的特点及Rambus内存接口芯片业务占比较低等因素，选取A股IC设计公司全志 科技 、东软载波、纳思达、汇顶 科技 、欧比特、圣邦股份、中颖电子、和紫光国微作为可比公司对其进行估值。目前，可比A股上市公司股价对应2019年PE平均为40.35倍。
预计澜起 科技 2019-2021年营业收入为20.81、24.72、29.34亿元，净利润8.75、10.15、11.74亿元。
采用相对估值法，以国内行业平均PE（2019E）40.35计，澜起 科技 市值353亿元，除以总股本11.3亿股，得到澜起 科技 的合理估值为31.24元/股。
若剔除国内行业企业PE（2019E）最高值紫光国微PE（2019E）65.6、圣邦股份PE（2019E）65.6、最低值纳思达PE（2019E）19.3、则行业平均PE（2019E）34.46。以行业平均PE（2019E）34.46计，澜起 科技 市值301亿元，除以总股本11.3亿股，得到澜起 科技 的合理估值为26.64元/股。
据以上，预计澜起 科技 的询价区间为26.64-31.24元/股。
东微半导是一家工业及 汽车 领域应用的半导体企业，在高压超级结、中低压SGT功率器件、IGBT芯片领域中，实现了国产化。
与比亚迪半导体一样，作为炙手可热的车载芯片，东微半导IPO备受瞩目，其背后的投资阵容非常亮眼，包含了哈勃投资、中芯聚源、中兴创投以及元禾控股等。
结缘英飞凌 科技
东微半导的法定代表人为龚轶，其与王鹏飞是联合创始人。上市前，王鹏飞实控东微半导，持股比例达到16.0872%，龚轶持股13.2791%。
履历显示，龚轶出生于1976年6月，硕士毕业于英国纽卡斯尔大学。与半导体结缘，发生在1999年7月，龚轶担任美国超微半导体公司工程部工程师。
2004年9月，龚轶转投到德国英飞凌 科技 ，这是全球领先的半导体公司之一，前身为西门子集团的半导体部门。在 汽车 电子与芯片卡部门，龚轶做技术专家，一做就是3年。
2008年9月，龚轶与王鹏飞共同创办东微有限。
王鹏飞与龚轶有着相同的经历，也来自于英飞凌 科技 。凑巧的是，王鹏飞也出生于1976年，其为德国慕尼黑工业大学博士。2004年7月，在德国英飞凌 科技 ，担任存储器研发中心研发工程师一职。
值得一提的是，王鹏飞还于2009年7月起，担任复旦大学微电子学院教授，是国家高层次人才特殊支持计划领军人才入选者。
或许是两人年龄一样，背景相似，两位工程师在车载芯片上发生了交集。
成立东微半导后，王鹏飞为首席技术官，带领刘磊、刘伟及毛振东进行研发。其中，刘磊硕士毕业于安徽大学电路与系统学院，曾任职华润上华半导体 科技 ，担任工艺整合工程师。有意思的是，另一核心研发人员毛振东，也任职过华润上华 科技 ，为技术开发部工程师。
而龚轶则一直做总经理，负责东微半导的业务。按东微半导的话来说，公司核心技术人员均为半导体相关专业毕业，从事半导体技术开发和项目管理工作超过10年，有着丰富的产品开发经验和项目管理经验。
缺芯潮席卷 “充电桩芯片”第一股成色几何？
核心技术人员都是半导体行业出生，东微半导成色如何？
营收数据显示，2018-2020年东微半导分别实现1.53亿元、1.96亿元、3.09亿元，分别增长28%、57%。同时，公司还预计2021年度，营业收入为7.72亿元至8.03亿元，同比增长150％至160％。
营收大增的背后，是新能源 汽车 充电桩、通信电源、光伏逆变器等终端市场需求提升，公司产品规模增长所致。
细察发现，东微半导专注新能源 汽车 直流充电桩、5G基站电源及通信电源等领域，为国内少数专注工业级高压超级结MOSFET领域的高性能功率半导体厂商。
2019年度，东微半导MOSFET器件的平均销售单价为2.19元/颗，高于同行业的平均单价1.19元/颗。在缺芯潮下，2021年1-6月，MOSFET器件单价变为3.06元/颗，增长35.40%，为东微半导芯片中，变动幅度最大的产品。
中低压屏蔽栅MOSFET的平均单价则为1.16/颗，增长4.50%，而与比亚迪半导体一样，研发的TGBT半导体，单价则为9.10元/颗。
不过，值得注意的是，超级硅MOSFET单价却为2.81元/颗，反而同比增长-1.40%。
由于销售单价上涨，东微半导的MOSFET器件毛利率也随之上涨。2021年1-6月，该品类毛利率达到26.87%，较2020年的17.89%增长50%。
不过，在业务结构中，东微半导与士兰微和新洁能相近。士兰微主营MOSFET、IGBT半导体分立器件；新洁能则做沟槽型功率MOSFET、超级结功率MOSFET的。
2021年1-6月，两者对应的毛利率超过30%，分别为31.60%和36.93%。对应的生产模式，士兰微是IDM模式，即从设计、制造、封装测试到销售自有品牌，新洁能则以Fabless模式为主。
华为的第6个IPO来了，做VC最高回报超50倍
对于东微半导来说，哈勃投资的入局并不算太早。2020年7月，哈勃投资才向东微半导入股7530万元，对应持股比例为6.5913%，但哈勃投资为战略投资。
此前，东微半导曾发生过3次增资及3次股权转让。聚源聚芯、中芯国际的VC趁此进入。
根据披露，哈勃投资入股是看好东微半导所处行业及未来发展，入股价格为22.6075元/股，对应5053.2275的总股本，这意味着投后估值为11亿元。
2月10日，东微半导首日开盘涨13%，市值近百亿，回报近6倍。
这不是哈勃投资第一次在VC投资上，获取丰厚回报。
2022年1月12日，哈勃投资迎来了第5个IPO。其以1.1亿元投资天岳先进，持有10%股份。而哈勃投资介入的该轮融资投前估值为10亿元。
哈勃投资进入4个月后，天岳先进又进行了3.5亿元的融资，三家机构入场，这次投前估值涨到了18亿元。随着天岳先进的上市，哈勃投资在这笔投资中，回报倍数达到20倍。
此外，思瑞浦、灿勤 科技 、东芯股份、炬光 科技 ，均是哈勃投资投出的IPO。数据显示，从2019年成立，哈勃投资已经拿下了6个IPO。并且华为做VC，也发生了第一笔退出，减持480亿元芯片龙头。
或许是VC投资做的风生水起，哈勃投资也正式进军私募。1月19日，“中基协”公示了哈勃投资的私募基金管理人信息，公司于今年1月14日正式登记为私募股权、创业投资基金管理人。
股权穿透显示，实控人、大股东是华为投资控股有限公司工会委员会，持股99.25%，任正非持股0.75%。
在半导体领域上，哈勃投资还在不断加码。2021年以来，先后投资了苏州晶拓半导体、深迪半导体、东莞市天域半导体、杰华特微电子、上扬软件等等。
对于哈勃投资的成立，华为轮值董事长郭平曾谈说，华为的核心业务是聚焦在联接和计算，但贸易摩擦下，专门成立了哈勃投资，通过投资和华为的技术去帮助整个产业链。
截至目前，哈勃投资的公司中，纳芯微、好达电子、长光华芯等均已经过会。可以预见，一个“硬 科技 VC”巨头正在升起。
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