鸟嘴效应是什么，为什么不受欢迎

产生原因:由于氧在二氧化硅中的扩散是一个等向性过程，因此，氧也会通过氮化硅下面的衬垫二氧化硅层进行横向扩散，在靠近刻蚀窗口的氮化硅层底下就会生长出二氧化硅。由于氧化层消耗的硅更厚，所以在氮化物掩膜下的氧化物生长将抬高氮化物的边缘。即为鸟嘴效应。解决方法:这是LOCOS工艺中一种不好的现象，氧化物越厚，"鸟嘴效应"更显著。通常会在氮化物和硅之间生长一层薄氧化层，称之为垫氧,这样可以有效的减小氮化物掩膜和硅之间的应力。另外采用(111)晶向的P沟工艺比采用(100)晶向的N沟工艺有更短的"鸟嘴"若SiO2膜加厚，则可减小缺陷，但"鸟嘴"就增大。

采用浅沟槽隔离代替了以前的LOCOS局部隔离。

外延双井工艺代替单井工艺。

逆向掺杂和环绕掺杂代替了均匀掺杂。

铜互联代替了铝线互联。

硅化物自对准结构。

对NMOS、PMOS分别采用N+,P+硅栅。

浅沟槽隔离就是为了克服LOCOS隔离的一些缺点，譬如：形成的鸟嘴使有源区面积减小，厚的场氧化层要占用较大的面积影响了集成度，且高温氧化会造成硅片损伤和变形。浅沟槽隔离占用的面积小，有利于提高集成度。他减少了高温过程，对硅片有好处。

双阱工艺有利于改善CMOS集成电路的性能，提高可靠性。

逆向掺杂有利于降低表面电场，提高反型载流子的迁移率。

分别采用N+、P+主要是希望在CMOS电路中希望NMOS、PMOS性能对称，有利于获得最佳电路性能。

采用铜互联将减小很多工艺步骤，缩短加工周期，降低工艺成本，采用铜互联的总成本可以比铝线互联减小20%-30%。铜的电阻率比铝低很多，可靠性比铝高，特别是迁移率比铝高了一个数量级。缺点就是铜易于扩散到硅中，会影响器件的性能，铜还会对加工设备造成污染。

以上不够全面，希望对你有一些用处。O(∩_∩)O~

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