在掺杂的元素半导体Si、Ge中，一般情况下的主要散射机构是什么？

答：1) 对掺杂的Si、Ge，主要的散射机构是声学波散射和电离杂质散射；

2) 对III-V族化合物半导体，如GaAS，光学波散射也很重要，即主要散射机构是声学波散射、电离杂质散射和光学波散射；

3) 电离杂质散射：τi∝Ni^(-1)T^(3/2),

声学波散射：τs∝T^(-3/2),

光学波散射：τ0∝exp[(hυl/k0T)-1]

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1)

本征半导体是一种完全纯净的、结构完整的半导体晶体。绝对零度时价带被价电子填满，导带是空的。

2)

随着温度的升高，本征载流子浓度迅速地增加，在本征时器件不能稳定工作。而对于掺杂半导体，室温附近载流子主要来源于杂质电离，在杂质全部电离的情况下，载流子浓度一定，器件就能稳定工作。所以，制造半导体器件一般都会用含有何当杂志的半导体材料，而且每一种半导体材料制成的器件都有一定的极限工作温度，超过这一温度后，器件就会失效。

3)

杂质在元素半导体

Si和Ge中的作用:是半导体Si\Ge的导电性能发生显著的改变。

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p。在本征半导体Si中掺入定量的B元素会形成p型半导体，由于失去了电子而产生了一个正离子，因为这对于别的电子而言是个"空位"，所以通常叫做"空穴"，而这种材料被称为"P"型半导体。半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。

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