不同的半导体颜色不同,这与带隙有关,窄带隙吸收可见光会偏灰黑(比如Si),宽禁带透可见光就是透明的(比如ZnO、GaN);
掺杂少了,颜色没啥变化,掺杂多了有变化。杂质在禁带中会形成不同的能级(与杂质种类有关,掺多了会形成杂质局域能带,称之为中间带,或与导带底、价带顶等衔接),影响光吸收,从而改变颜色;
体材料和薄膜的颜色有时不一样。薄膜薄的会透光,厚的透光少;
若薄膜厚度与波长相近还会产生干涉相应,也影响薄膜颜色(类似与肥皂泡上的彩色,有时据此简单推测薄膜厚度)。
氧化镓是一种无机化合物,化学式为Ga₂O₃。别名三氧化二镓,是一种宽禁带半导体,Eg=4.9eV,其导电性能和发光特性长期以来一直引起人们的注意。Ga₂O₃是一种透明的氧化物半导体材料,在光电子器件方面有广阔的应用前景 ,被用作于Ga基半导体材料的绝缘层,以及紫外线滤光片。它还可以用作O₂化学探测器。
氧化镓
作为“新一代电子的基础材料”而备受全球显示器技术人员关注的就是氧化物半导体TFT。因为氧化物半导体TFT是驱动超高精细液晶面板、OLED面板 以及电子纸等新一代显示器的TFT材料最佳候选之一。预计最早将在2012~2013年开始实用化,将来或许还会成为具备“柔性”和“透明”等特点的电子元件的实现手段。氧化物半导体是通常容易成为绝缘体的氧化物,但却具有半导体的性质。在众多物质当中,最受关注的是“透明非晶氧化物半导体(TAOS:Transparent Amorphous Oxide Semiconductors)”。非晶IGZO(In-Ga-Zn-O)就是一个代表性例子。除了三星和LG显示器等韩国企业外,日本的夏普、凸版印刷以及佳能等企业也在致力于TFT的应用开发。 TAOS类TFT的载流子迁移率高达10cm2/Vs以上,特性不均现象也较小。因此,可驱动像素为“4K×2K”(4000×2000像素级)、驱 动频率为240Hz的新一代高清晰液晶显示器。当前的标准技术——非晶硅类TFT以及作为新一代技术而被大力开发的有机半导体TFT因载流子迁移率只有数 cm2/Vs以下,很难应用到上述用途中。即使是在OLED显示器领域,与开发案例较多的低温多晶硅类TFT相比,实现大屏幕化时还是TAOS类TFT具 有优势这是因为AOS类TFT可以抑制OLED面板中存在着的因TFT特性不均而导致的显示不均现象。TAOS薄膜可通过溅射法形成,制造成本也容易降 低。制造工艺温度可低至接近室温这一点也是TAOS类TFT的一大魅力。可利用耐热性较差的树脂基板,因此能够实现可弯曲的电子纸等柔性显示器。利用TAOS膜的透明特性,有望使电子元件实现透明化等。进一步扩大氧化物半导体的用途时碰到的课题是如何实现p型半导体。如果能实现高质量的pn结,就有望应用于柔性透明的集成电路、LED以及太阳能电池等用途。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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