半导体有源区是什么

半导体有源区是有源区是硅片上做有源器件的区域。硅片上做有源器件的区域。（就是有些阱区。或者说是采用STI等隔离技术，隔离开的区域）。有源区主要针对MOS而言，不同掺杂可形成n或p型有源区。有源区分为源区和漏区（掺杂类型相同）在进行互联之前，两个有源区没有差别。另外，业内通俗的把有后续杂质注入的地方就都叫做有源区了。

减少硅料消耗

对于以硅片为基底的光伏电池来说，晶体硅(c-Si)原料和切割成本在电池总成本中占据了最大的部分。光伏电池生产商可以通过在切片过程中节约硅原料来降低成本。降低截口损失可以达到这个效果，截口损失主要和切割线直径有关，是切割过程本身所产生的原料损失。提升机台产量。

半导体器件中iso区是浅沟道隔离。能实现高密度的隔离，深亚微米器件和DRAM等高密度存储电路。在器件制作之前进行，热预算小，STI技术工艺步骤类似LOCOS，依次生长SiO2淀积Si3N4涂敷光刻胶，光刻去掉场区的SiO2和Si3N4。利用离子刻蚀在场区形成浅的沟槽。进行场区注入，再用CVD淀积SiO2填充沟槽，用化学机械抛光技术去掉表面的氧化层，使硅片表面平整化。工艺复杂，要回刻或者CMP。

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