三星(中国)半导体有限公司在那

苏州有，西安马上有。

目前三星电子半导体总部已经在中国成立了两个生产型公司：三星电子（苏州）半导体有限公司和

苏州三星电子液晶显示器有限公司。两个销售型公司，分别为：上海三星半导体有限公司和三星半导体（香港）有限公司。

三星电子苏州半导体工厂第二区位于中国苏州工业园区内，占地面积达28万平米。设置在同一个工业园区内的半导体工厂一区主要包括产品组装、检查等三个生产线，而计划在明年第一季度正式启动的工厂二区将负责第四个组装生产线，三星半导体总部在苏州、杭州成立研究所——三星半导体（中国）研究开发有限公司，对电子零部件（Device）和集成电路（IC）的软件及硬件设计，电子产品解决方案（Device solution）的研发，半导体封装技术进行研发

三星半导体西安，将成为在半导体存储芯片领域非常重要的基地之一。三星电子半导体存储芯片事业部，具有领先世界最新先进研发与制造DRAM，FLASH等半导体存储芯片技术能力，并一直引领该行业的研发与生产

一、据该公司称，新的 NAND 已经以有限的数量交付给客户和 Crucial 英睿达 SSD 产品，今年晚些时候将进一步增加产量。美光表示，232层NAND 技术 可以 支持资料中心和汽车应用所需的先进解决方案和即时服务，也能提供行动装置、消费性电子产品和 个人电脑所需的回应速度及沉浸式体验。最终可能有 4 座 600,000 平方英尺无尘室，达 240 万平方英尺，约相当于 40 个美式足球场。

纽约工厂将采用最先进的半导体制造工艺和工具，包括极紫外线（EUV） 光刻技术 ，以巩固公司在DRAM行业中的领先地位。

二、在2031年-2040年期间，美光将致力于推动DRAM在美产量

的增长，目标是占全球产量的40%以上。

总统拜登盛赞美光投资是美国又一次胜利，创造数以万计高薪工作。不过近期存储器市场放缓，美

光执行长 Sanjay Mehrotra 也表示个人计算机和智慧手机需求放缓，到 2023 财年资本支出下降

30% 以上，金额约 80 亿美元。

从市场预期看，2022年全球半导体市场仍将保持增长，但是增幅低于2021年。根据Gartner数据显

示，全球半导体市场在2021年达到5529亿美元，同比增长26%；预计到2022年将进一步增长9%，

达到6014亿美元。从arrow报告趋势来看，存储芯片的交期和价格趋于平稳。据相关机构调查显

示，自6月以来，DRAM现货价格开始下滑，在近两个月的时间里下滑了近20%。

美光是一家基于DRAM、NAND、3D XPoint内存、NOR等半导体技术的内存和存储产品制造商。

总部位于爱达荷州博伊西 ，在中国台湾、新加坡、日本、美国、中国大陆和马来西亚都建有工厂，并通过某些外包进行生产。

三、以美光和关键品牌的形式销售产品，包括晶圆、元件、模组、

SSD、managed NAND和MCP产品。美光的四个业务部门:

计算与联网业务(CNBU，约占收入的43%)：主要负责为云服务、企业、图形处理和互联网等市

场提供存储产品。据

移动业务 (MBU，约占收入的27%)：包括销售到智能手机和其他移动设备市场的内存产品，包

括NAND、DRAM。

存储业务（SBU，约占收入的18%)：主要是为企业和云存储市场提供固态硬盘和组件及解决方

案。

嵌入式业务 (EBU，约占收入的13%)：该部门主要负责为汽车和工业等市场提供存储产品，包括

各种DRAM、NAND 和 NOR。

美光是美国第一大、全球第三大内存芯片 公司，市场份额超过20%，不过主要生产并不在美国，

而且三星及SK海力士 两家韩国公司就占据了全球70%的内存份额。

但美光近日宣布他们的下一代 232 层 NAND 已经开始出货。这是存储的分水岭！美光的第六代

3D NAND 技术 232L 将提供更高的带宽和更大的芯片尺寸最值得注意的是，美光推出了目前

业界最密集的 1Tbit TLC NAND 芯片。

四、关于NAND，我记得长存的进展是192L。芯片法案的产物

《芯片与科学法案2022》总额2800多亿美元的科技补贴法案，其中针对半导体领域的就有520多亿

美元，开始给美国的芯片行业输血补贴。旨在重振美国国内芯片制造，提高美国竞争力。尽管美国

生产的半导体占世界供应总量约10%，但全球另外75%的半导体生产都依赖于东亚地区。

该法案也促使高通（Qualcomm）决定从格罗方德（GlobalFoundries）纽约工厂加购价值42亿美

元的芯片。美光表示大型半导体工厂将成为全球最大半导体厂区，完工后可创造约 50,000 个就业机会，第一阶段投资金额预估 200 亿美元，将在纽约州克莱镇 新建一个巨型内存工厂，2023 年开始场地准备工作，2024年开始施工，2025年实现量产，并在2026年-2030年间根据行业需求逐步增产。

作为全球领先无晶圆半导体公司，高通宣布计划在未来5年将其在美国的半导体产量增加

50%。

同样，英特尔在一月份曾宣布计划投资1千亿美元用于在俄亥俄州建造新的芯片厂区，启动资金高达

200亿美元。该项目的全面建成也离不开此芯片法案 的资助。

五、该公司总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示，在《芯片和科学法案》预计带来的补贴和支持

下，这项投资案将在美国制造最先进的存储器，并将美国国内内存产量从不足全球市场的2%推升至

10%。低端制造业的战略无法执行，中端的汽车呢？好像也不乐观。

高端的航空航天和芯片，至少波音这

边翻车连连，但好在私营部门的空x进展顺利；半导体这边英特尔的服务器至强芯片出了12版还没

能量产，也并不是那么顺利。

所以镁光这个扩产计划，理论可行，实际上美国也能干预全球芯片市场（只有中美日韩四个国家做

存储，都受美国约束）。

但实际执行成什么样，还不确定。

包括英特尔的ucie，fab2.0，都是非常漂亮，理论上万事俱备的概念，但说实话我确实想不明白，富

士康为啥都搞不起来。

所以，无论是英特尔镁光的扩产，还是台积电三星在美国建厂，都还需要看后续。都是很漂亮的计划，但按照经验来看执行是有难度的。

海力士半导体（无锡）有限公司联系电话号码为0510-85208888，联系传真为0510-85208298。该公司的具体地址位于江苏省无锡高新区综合保税区K7地块即无锡新区新达路32号（海力士意法路）。

该公司是由由韩国SK海力士株式会社于2005年4月在江苏省无锡市投资设立的半导体制造工厂。主要产品包括用于个人电脑、笔记本电脑的PC-DRAM、数据中心大容量服务器的服务器DRAM、用于手机等移动设备的移动DRAM等。

扩展资料：

海力士半导体（中国）有限公司在中国的发展历程：

1、2004年与无锡市签订合作协议。

2、2005年一期项目投资，厂房建设开工。

3、2006年开始8英寸和12英寸量产。

4、2007年二期项目投资。

5、2008年三期项目投资。

6、2010年4xnm DRAM量产。

7、2011年四期项目投资。

8、2012年公司更名为SK海力士半导体（中国）有限公司。

9、2013年五期项目投资。

10、2xnm DRAM量产。

11、2017年六期项目投资，C2F开工。

12、2018年设立无锡销售总部。

13、2019年C2F竣工仪式。

参考资料来源：SK海力士半导体（中国）有限公司-联络我们

参考资料来源：SK海力士半导体（中国）有限公司-公司历程

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