中科院的半导体所怎么样?

中科院的半导体所挺好的，中国科学院半导体研究所于1960年成立，是集半导体物理、材料、器件及其应用于一体的半导体科学技术的综合性研究机构。研究所主要的研究方向和领域有半导体物理、材料、器件、工艺、电路及其集成应用研究等。

据2016年9月研究所官网显示，研究所拥有14个科研机构，与地方政府、科研机构、大学和企业等共建了1个院士工作站、3个研发（转移）中心、9个联合实验室。

拥有3个博士后流动站，3个一级学科博士培养点，包括5个二级学科博士培养点。拥有5个二级学科硕士培养点，3个专业学位硕士培养点。共有职工690余名，在学研究生近600名。

2019年，中国科学院半导体研究所牛智川研究员团队创新设计金属光栅侧向耦合分布反馈（LC-DFB）结构，成功实现了2μm波段高性能单模激光器，综合性能达到国际一流水平并突破国外高端激光器进口限制性能的规定条款。

以上内容参考：百度百科--中国科学院半导体研究所

迁移率是指载流子（电子和hole）在单位电场作用下的平均漂移速度，即载流子在电场作用下运动速度的快慢的量度，运动得越快，迁移率越大；运动得慢，迁移率小。同一种半导体材料中，载流子类型不同，迁移率不同，一般是电子的迁移率高于hole。如室温下，低掺杂硅材料中，电子的迁移率为1350cm^2/（VS），而hole的迁移率仅为480cm^2/(VS)。

迁移率主要影响到晶体管的两个性能：

一是载流子浓度一起决定半导体材料的电导率（电阻率的倒数）的大小。迁移率越大，电阻率越小，通过相同电流时，功耗越小，电流承载能力越大。由于电子的迁移率一般高于hole的迁移率，因此，功率型MOSFET通常总是采用电子作为载流子的n沟道结构，而不采用hole作为载流子的p沟道结构。

二是影响器件的工作频率。双极晶体管频率响应特性最主要的限制是少数载流子渡越基区的时间。迁移率越大，需要的渡越时间越短，晶体管的截止频率与基区材料的载流子迁移率成正比，因此提高载流子迁移率，可以降低功耗，提高器件的电流承载能力，同时，提高晶体管的开关转换速度。

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