(1)降低硬度,改善切削加工性.
(2)降低残余应力,稳定尺寸,减少变形与裂纹倾向;
(3)细化晶粒,调整组织,消除组织缺陷。
(4)均匀材料组织和成分,改善材料性能或为以后热处理做组织准备。
在生产中,退火工艺应用很广泛。根据工件要求退火的目的不同,退火的工艺规范有多种,常用的有完全退火、球化退火、和去应力退火等。
扩展资料:
退火技术:
1、半导体退火
半导体芯片在经过离子注入以后就需要退火。因为往半导体中注入杂质离子时,高能量的入射离子会与半导体晶格上的原子碰撞,使一些晶格原子发生位移,结果造成大量的空位,将使得注入区中的原子排列混乱或者变成为非晶区。
所以在离子注入以后必须把半导体放在一定的温度下进行退火,以恢复晶体的结构和消除缺陷。同时,退火还有激活施主和受主杂质的功能,即把有些处于间隙位置的杂质原子通过退火而让它们进入替代位置。退火的温度一般为200~800C,比热扩散掺杂的温度要低得多。
2、蒸发电极金属退火
蒸发电极金属以后需要进行退火,使得半导体表面与金属能够形成合金,以接触良好(减小接触电阻)。这时的退火温度要选取得稍高于金属-半导体的共熔点(对于Si-Al合金,为570度)
参考资料来源:百度百科-退火
半导体激光退火原理漏氧气会形小,升华或分解发生。根据查询相关信息得知,是氧元素形成的一种单质,化学式O,化学性质比较活泼,与大部分的元素能与氧气反应。常温下是很活泼,与许多物质不易作用。高温下很活泼,能与多种元素直接化合,氧原子的电负性仅次于氟有关。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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