半导体工艺涂完胶为什么不能立马显影

半导体工艺涂完胶为什么不能立马显影,第1张

半导体工艺涂完胶不能立马显影是因为需要曝光过程。根据查询相关公开信息显示,光刻工艺是半导体元件制作中的常用工艺,通过在半导体基片(如硅晶圆)表面涂敷一定厚度的光刻胶,然后进行曝光,才能显影,以对基片表面的材料做图形化处理。

半导体黄光区不难学。

黄光区是指TFT工厂或者半导体工厂中的光刻区包含光刻胶涂布、曝光、显影及刻蚀工序

在半导体工业普遍使用的光刻胶,类似于相机的胶片,在遭遇光线照射(特别是紫外线)即有曝光之效果,因此在显影之前,都要远离此光源。因为黄光的波长较长,不容易使得光刻胶曝光,因此将黄光作为显影前最理想的照明光源。

光学显影。是在感光胶上经过曝光和显影的程序,把光罩上的图形转换到感光胶下面的薄膜层或硅晶上。光学显影主要包含了感光胶涂布、烘烤、光罩对准、 曝光和显影等程序。

关键技术参数:最小可分辨图形尺寸Lmin(nm) 、聚焦深度DOF

曝光方式:紫外线、X射线、电子束、极紫外光


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