现有A、B、C、D、E五种短周期元素，其中元素A、B、C组成的化合物俗称“烧碱”，D是最重要半导体材料，它

A、B、C、D、E五种短周期元素，其中元素A、B、C组成的化合物俗称“烧碱”，三元素形成化合物为NaOH；D是最重要半导体材料，它的高纯度单质是制造电脑CPU芯片的主要材料，则D为Si；E的单质是一种常用于杀菌消毒的气体，则E为Cl；结合高纯度D单质的生产流程，可知甲为SiO2，B为O元素，乙为HCl，A为H元素，C为Na，丙为SiHCl3，

（1）Cl-的核外电子排布式为1S22S22P63S23P6，C2B2为Na2O2，其电子式为，

故答案为：1S22S22P63S23P6；；

（2）同周期自左而右电负性增大，故电负性：Si＜Cl，

故答案为：＜；

（3）D的氢化物为SiH4，Si原子价层电子对数=4+

4?1×4

2

=4，Si原子没有孤对电子，故其空间构型为正四面体，化合物丙SiHCl3，Si原子成4个σ键，不含孤对电子，杂化轨道数目为4，采取sp3杂化，SiHCl3的沸点很低，属于分子晶体，

故答案为：正四面体；sp3；分子；

（4）H2O分子间存在氢键，故沸点比较HCl高，

故答案为：H2O分子间存在氢键；

（5）Si单质的结构与金刚石类似，每个Si原子形成4个Si-Si键，每个Si-Si键为1个Si原子提供

1

2

，则该晶体中Si原子数与Si-Si单键的数目比=1：4×

1

2

=1：2，

该晶胞的边长为a cm，则晶胞体积=a3 cm3，晶胞中Si原子数目=4+8×

1

8

+6×

1

2

=8，晶胞质量=8×

M

NA

g，则该晶体的密度为=

8× M NAg

a3cm3

=

8M

a3?NA

g?cm-3，

故答案为：1：2；

8M

a3?NA

．

善于传导电流的物质称为导体。常见的导体有金属、电解质水溶液、电离气体等。对金属来说，内层电子能量较低，充满能带，故不参与导电。金属多数是一价的，每个原子的外层轨道有一个价电子，故晶体中N个价电子不能填满一个能带而形成导带，在外电场作用下导带中的自由电子可从外电场吸收能量，跃迁到自身导带中未被占据的较高能级上，形成电流。 绝缘体在形态上可分为固态、液态和气态。固态绝缘体中又分为非晶态（如塑料、橡胶、玻璃等）和晶态（如云母、金刚石等）两类。晶态绝缘体能带的结构与导体的不同点是：电子恰好填满能量低的能带，其它的能带都是空的，亦即绝缘体中不存在导带，只有满带和空带。满带和空带之间不可能存在电子的能量区域被称为禁带。绝缘体的基本特征就是禁带的宽度（又称能隙）很大。电子很难在热激发或外电场作用下获得足够的能量由满带跃入空带。半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间，其能带结构与绝缘体类似。在绝对零度时，只存在满带和空带。与绝缘体不同的是禁带较窄，在室温下，在外界光、热、电作用下能容易地把满带中能量较高的电子，激发到空带，把空带变为导带。同时，在满带中留下一些电子空位，这些空位称为空穴，可看成是带正电荷的准粒子。在半导体中，一方面，在外电场作用下，导带中电子作定向运动，形成电流，起导电作用；另一方面，满带中的空穴，在外电场作用下，将被其它能态的电子进来填充，同时，在这个电子能态中又产生了新的空穴，于是就出现了电子填补空穴的运动。在电场作用下，填补空穴的电子也作定向移动，形成电流。这种电子填补空穴的运动，完全相当于带正电的空穴在作与电子运动方向相反的运动。为了区别于自由电子的导电，这种导电称之为空穴导电。导带中自由电子的导电和满带中空穴导电是同时存在的，宏观上的电流就是电子电流和空穴电流的代数和。满带中的空穴数和导带中电子数正好相等，都是参与导电的载流子。半导体导电与金属导电的差别，那就是金属中只有自由电子参与导电，而半导体中导带中电子和满带中空穴都参与导电。半导体中自由电子数目较小，有可能通过外部电场作用来控制其中的电子运动。半导体的电阻率随温度不同而明显变化。温度升高时，有更多的电子被热激发，使满带中的空穴数和导带中的电子数急剧增加，导电性能大大提高，电阻率相应地大大降低。

砷元素显-3价，设镓元素的化合价是x，根据在化合物中正负化合价代数和为零，可得：x+（-3）=0，则x=+3价． 故选D．

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