硅片报废流程

我国是光伏组件的生产及应用大国，仅2017年我国生产光伏组件超过60gw，按照7.6万吨/gw折算，仅2017年的光伏组件，待其报废后，其总质量将超456万吨。

光伏组件的大部分材料是可循环再造的材料，对光伏组件回收实现循环再利用，可节约资源，减少对原生资源开采并降低资源提炼的耗能，从而减轻生态环境影响及破坏。

光伏组件的构成为玻璃70％(重量占比，下同)，铝框18％，硅料4％，贵金属0.15％，接线盒为0.85％，背板为1％，eva为6％。

当回收废旧的光伏组件时，需要对组件进行拆分，将铝边框、玻璃和接线盒部分去除，得到硅晶片。有效地完整硅晶片回收方法有“无机酸溶解法”和“热处理法”。其中，后者又分为“固定容器热处理法”和“流化床反应器热处理法”。

1)无机酸溶解法

用硝酸和过氧化氮混合酸，在一定的温度条件下，经过一段时间将eva溶解掉，与玻璃分类。此法可保持晶硅片的完整，但需要进一步对硅晶片进行处理。

2)固定容器热处理法

将光伏组件放入焚烧炉中，设置反应温度600℃进行焚烧。焚烧完成后，将电池、玻璃和边框等手工分离。回收的各类材料进入相应的回收程序，塑料类的材料完全焚烧。

3)流化床反应器热处理法

使用流化床反应器对废弃光伏组件进行热处理。将细沙放入流化床反应器中，在一定温度、流速的空气作用下，细沙处于滚烫流动状态，具有液体的物理性质。将组件放入流化床中，eva和背板材料会在反应器中气化，废气则从反应器中进入二次燃烧室，作为反应器的热源。对于厚度达到400微米以上的电池片，可以回收完好的硅片。由于制造技术不断发展，电池片逐代变薄，热处理法已无法获得完好的硅片，因此也只能够适用于回收硅料。

废硅片不属于hw45的危废。根据查询相关公开信息显示，半导体行业报废的硅片未被列入《国家危险废物名录》，这些废硅片未沾染其它有毒有害物质，就不是危险废物。HW48危废包括有色金属矿采选、常用有色金属冶炼、稀有稀土金属冶炼等行业。

将某一特定晶向的Si seed(种子,通常为一小的晶棒)棒插入熔融状态Si下,并慢慢向上拉起晶棒,一根和seed相同晶向的晶柱就被生产出来,晶柱的直径可以通过控制向上拉的速度等工艺变量来控制.将晶柱切割成很多的一小片,wafer就被制造出来了.晶柱两头无法切割成可用的wafer的部分可被称为头尾料.初步切割出来的wafer,表面通常比较粗糙,无法用作晶圆生产,因而通常都在后续工艺中进行抛光,抛光片的名词就由此而来.针对不同晶圆制造要求,通常需要向粗制晶圆内掺杂一些杂质,如P,B等,以改变其阻值,因而就有了低阻,高阻,重掺等名词.镀膜片可以理解为外延片Epi,是针对特定要求的半导体device而制定的wafer,通常是在高端IC和特殊IC上使用,如绝缘体上Si(SOI)等. 在晶圆IC的生产过程中,需要一些wafer来测试生产设备的工艺状态,如particle水平,蚀刻率,缺陷率等,这些wafer通常叫做控片,控片也用来随正常生产批一起工艺以测试某一工艺的质量状况,如CVD膜厚等.生产设备在维护或维修后,立即工艺生产批的wafer,容易造成报废,因而通常要用一些非常低成本的wafer来运行工艺以确定维护或修理工作的质量,这类wafer通常叫做dummy wafer,当然有的时候dummy wafer也会用在正常生产过程中,如某些机台必须要求一定数量的wafer才能工艺,不足的就用dummy wafer补足,而有的机台必须在工艺一定数量的wafer后进行某一形式的dummy run,否则工艺质量无法保证等等诸如此类的很多wafer都可以叫做dummy. 挡片基本上可以视为dummy wafer的一种. dummy wafer,控片,挡片等通常都是可以回收利用的.

硅片，是制作集成电路的重要材料，通过对硅片进行光刻、离子注入等手段，可以制成各种半导体器件。用硅片制成的芯片有着惊人的运算能力。科学技术的发展不断推动着半导体的发展。自动化和计算机等技术发展，使硅片（集成电路）这种高技术产品的造价已降到十分低廉的程度。这使得硅片已广泛应用于航空航天、工业、农业和国防，甚至悄悄进入每一个家庭。

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