Al,Ar,Ge,Ne 中哪个可以做半导体

Al是铝,金属,但性质有些接近非金属；

Ar是氩,惰性气体；

Ge是锗,金属,但性质有些接近非金属；

Ne是氖,惰性气体.

能做半导体的元素都是在元素周期表上处于金属和非金属交界的元素.惰性气体是一定不行的.因此应该是Al和Ge.

锗、硅、硒、砷化镓及许多金属氧化物和金属硫化物等物体，它们的导电能力介于导体和半导体之间. 纯净半导体掺入三族或五3族元素会形成受主或施主半导体。但掺入的要是半导体材料，如果掺入导体(如铝)那么半导体材料就会变成导通材料。

fab工艺中金属连线就是铝硅铜合金。

P型半导体

也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。

在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半导体。在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故P型半导体呈电中性。空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能就越强。

N型半导体

也称为电子型半导体。N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。

在纯净的硅晶体中掺入Ⅴ族元素（如磷、砷、锑等），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。这类杂质提供了带负电（Negative）的电子载流子，称他们为施主杂质或n型杂质。在N型半导体中，自由电子为多子，空穴为少子，主要靠自由电子导电，由于N型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故N型半导体呈电中性。自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。

你纠结的是“一般来说金属中自由电子很多”，这个理解可能有误，自由电子是最外层受质子束缚最小最不稳定的电子，铝原子只有3个，也就是理论上能提供3个自由电子，与相邻的3个硅原子空穴组成共价键，但还有一个相邻的硅原子空穴不能获得自由电子成键，多出一个空穴，空穴是多子，应该属于P型。希望能帮到你。

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