半导体制冷时的电能消耗更大。半导体制冷的效率是比较低的, 制冷的同时,还会产生大量的热量在散热器端。反之,制热时,相对制冷时比较省电了。
若将电源反接,则接点处的温度相反变化。纯金属的热电效应很小,若用一个N型半导体和一个P型半导体代替金属,效应就大得多。接通电源后,上接点附近产生电子空穴对,内能减小,温度降低,向外界吸热。
扩展资料:
一对半导体热电元件所产生的温差和冷量都很小,实用的半导体制冷器是由很多对热电元件经并联、串联组合而成,单级热电堆可得到大约60℃的温差,即冷端温度可达-10~-20℃。增加热电堆级数即可使两端的温差加大。但级数不宜过多,一般为2~3级。
当一块N型半导体材料和一块P型半导体材料联结成的热电偶对中有电流通过时,两端之间就会产生热量转移,热量就会从一端转移到另一端,从而产生温差形成冷热端。
但是半导体自身存在电阻当电流经过半导体时就会产生热量,从而会影响热传递。而且两个极板之间的热量也会通过空气和半导体材料自身进行逆向热传递。
参考资料来源:百度百科--半导体制冷片
参考资料来源:百度百科--半导体制冷
小10%。半导体工艺把芯片从大做小,是芯片晶体管栅极宽度的大小,数字越小对应晶体管密度越大,芯片功耗越低,会小10%,性能越高,但要实际做到这一点却并不容易。从芯片的进化历史来看,芯片的研发主要遵循着摩尔定律,即每18个月到两年间,芯片的性能会翻一倍,使一块芯片内装上尽可能多的晶体管来提升芯片性能。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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