栅极源极漏极怎么区分

栅极源极漏极区别如下：

一、指代不同：

将两个p区的引出线连在一起作为一个电极,称为栅极,在N型硅片两端各引出一个电极,分别称为源极和漏极,很薄的N区称为导电沟道。 若两次测出的阻值都很小,说明均是正向电阻,该管属于N沟道场效应管,黑表笔接的也是栅极。

二、原理不同：

1、源极：在一块N型半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的P型区（用P+表示），就形成两个不对称的P+N结。把两个P+区并联在一起，引出一个电极，称为栅极（g），在N型半导体的两端各引出一个电极。

2、漏极：将两个P区的引出线连在一起作为一个电极，称为栅极，在N型硅片两端各引出一个电极。

3、栅极：由金属细丝组成的筛网状或螺旋状电极。多极电子管中排列在阳极和阴极之间的一个或多个具有细丝网或螺旋线形状的电极，起控制阴极表面电场强度从而改变阴极发射电子或捕获二次放射电子的作用。

源极的含义：

源极简称场效应管。一般的晶体管 是由两种极性的载流子，即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电，因此称为双极型晶体管，而FET仅是由多数载流子参与导电，它与双极型相反,也称为单极型晶体管。

半导体电子器件，有两个PN结组成，可以对电流起放大作用，有3个引脚，晶体三极管分别为集电极（c），基极（b），发射极（e），电子三极管分别为屏极、栅极、阴极。晶体三极管有PNP和NPN型两种，以材料分有硅材料和锗材料两种。

三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区。

原理：

在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）及基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电子流。

以上内容参考：百度百科-三极管