1 电缆的钢铠与铜屏蔽的接地方式不对引起.(这个原因很复杂,目前对高电压电力电缆的钢铠与铜屏蔽的接地方式有争议,也有多种意见)
2 电缆的外半导体层断口处未处理好,导致电场分布非常不均匀,应力过度集中在外半导体层断口处.(外半导体层断口有无倒角,有无使有应力疏散胶,有无套入应力控制管,应力控制管套入距离是否适当)
刚刚投运的交联电力电缆电缆头爆炸的,95%的概率是因为电缆的外半导体层断口处未处理好引起的.
以上推论都是在电缆有做过电气试验且合格的前提下得出的
单晶硅片倒角是为了充分利用硅棒,单晶多晶都有倒角。
单晶一般都为大倒角,是有单晶的工艺决定。单晶是有硅棒切割出来的,为了充分利用硅棒,才会出现大的倒角;而多晶一般为小倒角,是为了减少由于硅片边缘的裂纹,在外界应力的作用下使硅片或者电池片破裂。
多晶电池片也会出现大的倒角,那些一般都是小倒角的电池片,发现存在问题后有切成大倒角的。
单晶硅片用途:
区熔法单晶主要用于高压大功率可控整流器件领域,广泛用于大功率输变电、电力机车、整流、变频、机电一体化、节能灯、电视机等系列产品。目前晶体直径可控制在Φ3~6英寸。外延片主要用于集成电路领域。 是电子信息材料中最基础性材料,属半导体材料类。
单晶硅已渗透到国民经济和国防科技中各个领域,当今全球超过2000亿美元的电子通信半导体市场中95%以上的半导体器件及99%以上的集成电路用硅。
直拉单晶硅产品,可以用于二极管级、整流器件级、电路级以及太阳能电池级单晶产品的生产和深加工制造,其后续产品集成电路和半导体分离器件已广泛应用于各个领域,在军事电子设备中也占有重要地位。
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