2019年,在一些关键技术上,我国集成电路企业也获得重大突破。9月6日,华为海思在IFA 2019上正式发布麒麟990旗舰芯片,采用全球最先进的7纳米+EUV工艺,实现5G手机芯片的成功开发。8月8日,中芯国际在第二季度财报中披露,14纳米工艺进入客户风险量产阶段,可以贡献有意义的营收,第二代FinFET N+1技术平台已开始进入客户导入阶段,将与客户保持合作关系,把握5G、物联网、车用电子等产业发展机遇。存储芯片实现了初步的布局,长江存储成功投产64层3D NAND,长鑫存储成功投产19纳米DRAM。随着异构计算的发展,先进封装的重要性不断提升,我国在先进封装领域取得进展,长电科技、通富微电、华天科技等逐渐掌握凸块封装、TSV等先进封装技术。在装备材料方面,中微半导体的等离子体刻蚀机进入台积电7nm逻辑器件生产线上海新升的12英寸大硅片开始批量供货。
供给不足矛盾仍旧尖锐
在取得一系列成绩的同时,我国集成电路产业仍然存在诸多不足。首先是集成电路产品种类虽然齐全,但高端核心芯片缺乏。如CPU、存储器和高性能模拟芯片等均存在巨大的缺口。国产存储器虽在2019年实现了初步布局,但尚未形成规模。国产CPU主要集中在党政办公系统的专用市场当中,虽然部分企业已开始尝试进入公开市场参与竞争,但总体上我国芯片尚不能满足市场的需求。正如魏少军指出,“需求旺盛与供给不足”依然是当前面临的根本矛盾。
其次,2019年虽然在一些重点技术领域取得突破,但是整体差距仍然很大,特别是在底层基础领域。从设计业来看,我国的集成电路设计企业依靠制造工艺和EDA工具的进步,实现产品升级换代的现象依然严重。在制造领域,中国大陆企业的制造技术节点,与三星和台积电7nm仍有大概两代的差距。在封测方面,虽然通过自主研发和兼并收购,本土封测厂基本形成先进封装的产业化能力,但占封测总营收比例只有30%,远低于全球水平。在装备材料方面,虽然有部分高端装备与材料进入生产线实现供货,但主要依赖进口的局面仍未改变,产业发展存在瓶颈。
最后,随着我国集成电路产业的快速发展,对高质量的专业人才需求极为迫切。人才问题正在成为制约我国集成电路产业可持续发展的主要瓶颈。《中国集成电路产业人才白皮书(2018-2019年版)》显示,截至2018年年底,我国集成电路产业从业人员规模约为46.1万人,比2017年同期增加了6.1万人,增长率为15.3%,人才供需状况得到一定程度的改善,但整体来看缺口依然较大。
对此,国家集成电路产业发展咨询委员会副主任马俊如分析指出,从我国集成电路领域现有的人才状况来看,虽然经过多年的发展,我国已培养出大批人才队伍,但仍感到人才供给不足。主要问题集中在三个方面,一是高端和领军人才紧缺,二是集成电路专业领域的高校毕业生流失严重,三是人才工程和实践经验匮乏。应积极探索产教融合人才培养新模式,在创新实践中发现人才,在创新活动中培育人才,在创新事业中凝聚人才。
在同样温度和电压下,电流密度=nev,金属的载流子浓度数量级在10^22/cm^3,本征si的载流子浓度数量级在10^10/cm^3,金属的电阻会随着温度的升高电阻变大,而半导体的会减小,在同一电压下,由半导体载流子浓度公式n= (NcNv)^(1/2) exp[-Eg/(2kT)] ,可以看出当温度升高到一定程度时,载流子浓度会以指数级增加,可能会比金属的导电性好,只不过到那时候半导体不知道还会是固体吗?还有就是半导体在强磁场下电阻会增大,例如磁阻效应。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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