硒铁和硅铁有辐射吗

硒铁和硅铁均有辐射，但是，硒铁辐射小，可以不用太在意；硅铁辐射到，特殊人群如孕妇等不要靠近，一般人靠近也要做好防辐射准备。

硅铁是铁和硅的混合物，是铁和硅一定比列的混合。主要部分是硅，它主要用于炼钢，做脱氧剂。

硅化铁是纯净物，就一种硅和铁的化合物。

硒是半导体，一般制作为光感关键元件，复印机等就有。物体都有辐射，看到底是什么辐射，量多少。硒的辐射较小，对人体危害可以忽略不计。

硅铁是放射性物质，孕妇不要靠近以免对胎儿造成伤害。

（1）热敏性 半导体材料的电阻率与温度有密切的关系。温度升高，半导体的电阻率会明显变小。例如纯锗（Ge），温度每升高10度，其电阻率就会减少到原来的一半。

（2）光电特性 很多半导体材料对光十分敏感，无光照时，不易导电；受到光照时，就变的容易导电了。例如，常用的硫化镉半导体光敏电阻，在无光照时电阻高达几十兆欧，受到光照时电阻会减小到几十千欧。半导体受光照后电阻明显变小的现象称为“光导电”。利用光导电特性制作的光电器件还有光电二极管和光电三极管等。

近年来广泛使用着一种半导体发光器件--发光二极管，它通过电流时能够发光，把电能直接转成光能。目前已制作出发黄，绿，红，蓝几色的发光二极管，以及发出不可见光红外线的发光二极管。

另一种常见的光电转换器件是硅光电池，它可以把光能直接转换成电能，是一种方便的而清洁的能源。

（3）搀杂特性 纯净的半导体材料电阻率很高，但掺入极微量的“杂质”元素后，其导电能力会发生极为显著的变化。例如，纯硅的电阻率为214×1000欧姆/厘米，若掺入百万分之一的硼元素，电阻率就会减小到0.4欧姆/厘米。因此，人们可以给半导体掺入微量的某种特定的杂质元素，精确控制它的导电能力，用以制作各种各样的半导体器件

半导体的导电性能比导体差而比绝缘体强。实际上，半导体与导体、绝缘体的区别在不仅在于导电能力的不同，更重要的是半导体具有独特的性能（特性）。

1． 在纯净的半导体中适当地掺入一定种类的极微量的杂质，半导体的导电性能就会成百万倍的增加—-这是半导体最显著、最突出的特性。例如，晶体管就是利用这种特性制成的。

2． 当环境温度升高一些时，半导体的导电能力就显著地增加；当环境温度下降一些时，半导体的导电能力就显著地下降。这种特性称为“热敏”，热敏电阻就是利用半导体的这种特性制成的。

3． 当有光线照射在某些半导体时，这些半导体就像导体一样，导电能力很强；当没有光线照射时，这些半导体就像绝缘体一样不导电，这种特性称为“光敏”。例如，用作自动化控制用的“光电二极管”、“光电三极管”和光敏电阻等，就是利用半导体的光敏特性制成的。

由此可见，温度和光照对晶体管的影响很大。因此，晶体管不能放在高温和强烈的光照环境中。在晶体管表面涂上一层黑漆也是为了防止光照对它的影响。最后，明确一个基本概验：所谓半导体材料，是一种晶体结构的材料，故“半导体”又叫“晶体”。

P性半导体和N型半导体----前面讲过，在纯净的半导体中加入一定类型的微量杂质，能使半导体的导电能力成百万倍的增加。加入了杂质的半导体可以分为两种类型：一种杂质加到半导体中去后，在半导体中会产生大量的带负电荷的自由电子，这种半导体叫做“N型半导体”（也叫“电子型半导体”）；另一种杂质加到半导体中后，会产生大量带正电荷的“空穴”，这种半导体叫“P型半导体”（也叫“空穴型半导体”）。例如，在纯净的半导体锗中，加入微量的杂质锑，就能形成N型半导体。同样，如果在纯净的锗中，加入微量的杂质铟，就形成P型半导体。

一个PN结构成晶体二极管----设法把P型半导体（有大量的带正电荷的空穴）和N型半导体（有大量的带负电荷的自由电子）结合在一起，见图1所示。

图1

在P型半导体的N型半导体相结合的地方，就会形成一个特殊的薄层，这个特殊的薄层就叫“PN结”。晶体二极管实际上就是由一个PN结构成的（见图1）。

例如，收音机中应用的晶体二极管，其触丝（即触针）部分相当于P型半导体，N型锗片就是N型半导体，他们之间的接触面就是PN结。P端（或P端引出线）叫晶体二极管的正端（也称正极）。N端（或N端引出线）叫晶体二极管的负端（也称负极）。

如果像图2那样，把正端连接电池的正极，把负端接电池的负极，这是PN结的电阻值就小到只有几百欧姆了。因此，通过PN结的电流（I=U/R）就很大。这样的连接方法（图2a）叫“正向连接”。正向连接时，晶体管二极管（或PN结）两端承受的电压叫“正向电压”；处在正向电压下，二极管（或PN结）的电阻叫“正向电阻”，在正向电压下，通过二极管（或PN结）的电流叫“正向电流”。很明显，因为晶体二极管的正向电阻很小（几百欧姆），在一定正向电压下，正向电流（I=U/R）就会很大----这表明在正向电压下，二极管（或PN结）具有像导体一样的导电本领。

图2a 图2b

反过来，如果把P端接到电池的负极，N端接到电池的正极（见图2b）。这时PN结的电阻很大（大到几百千殴），电流（I=U/R）几乎不能通过二极管，或者说通过的电流很微弱。这样的连接方法叫“反向连接”。反向连接时，晶体管二极管（或PN结）两端承受的电压叫“反向电压”；处在反向电压下，二极管（或PN结）的电阻叫“反向电阻”，在反向电压下，通过二极管（或PN结）的电流叫“反向电流”。显然，因为晶体二极管的正向电阻很大（几百千欧姆），在一定的反向电压下，正向电流（I=U/R）就会很小，甚至可以忽略不计，----这表明在一定的反向电压下，二极管（或PN结）几乎不导电。

上叙实验说明这样一个结论：晶体二极管（或PN结）具有单向导电特性。

晶体二极管用字母“D”代表，在电路中常用图3的符号表示，即表示电流（正电荷）只能顺着箭头方向流动，而不能逆着箭头方向流动。图3是常用的晶体二极管的外形及符号。

图3

利用二极管的单向导电性可以用来整流（将交流电变成直流电）和检波（从高频或中频电信号取出音频信号）以及变频（如把高频变成固定的中频465千周）等。

PN结的极间电容----PN结的P型和N型两快半导体之间构成一个电容量很小的电容，叫做“极间电容”（如图4所示）。由于电容抗随频率的增高而减小。所以，PN结工作于高频时，高频信号容易被极间电容或反馈而影响PN结的工作。但在直流或低频下工作时，极间电容对直流和低频的阻抗很大，故一般不会影响PN结的工作性能。PN结的面积越大，极间电容量越大，影响也约大，这就是面接触型二极管（如整流二极管）和低频三极管不能用于高频工作的原因

编辑本段【通古斯爆炸之谜新说】

冰质彗星撞地球所致

俄罗斯克拉斯诺亚尔斯克的科学家们最近公布了他们关于通古斯爆炸之谜的新设想--1908年发生的震惊全球的通古斯爆炸并非石质陨石撞击地球，而 是由水和碳构成的冰质彗星引发的。

俄罗斯科学家提出新设想

据物理学家戈纳迪-贝宾表示，爆炸发生20年后找到的浓缩冰里面含有可燃性气体就充分证明了新设想的 真实性。他称，对于来自远方的彗星来说，地球就是一个烧得炽热的煎锅。彗星在飞临地球时迅速融化并 发生了爆炸。他认为，他从事颇令研究人员头痛的通古斯爆炸已经30多年了，如今终于在列昂尼德-库利 克(第一个在坠落地进行实地研究的科学家)的日记中找到了能证实这一新设想的线索。

戈纳迪-贝宾认为，列昂尼德-库利克也曾找到了上面覆盖着泥煤的冰状物质，但这并没有给他任何启发， 因为列昂尼德-库利克要找的是别的其它东西。戈纳迪-贝宾称：“他试图寻找传统意义上的陨石--石质或 铁-石构成的陨石，但这只是梦想，因为一切都已经融化了”。

当前，该理论已经对外公布并需要进一步分析。2008年6月30日将是通古斯爆炸100周年。戈纳迪-贝宾希 望他提出的这一新设想会成为通古斯爆炸之谜的最终答案。

众多科学家说法不一

尽管通古斯爆炸的真实面目尚未最终揭开，但大多数科学家认为，引发通古斯爆炸的是一种特殊的物体， 其特点是强动能、低密度(比水的密度还低)、低强度和高挥发性。只有拥有了上述特性，爆炸发生后该物 体便立即遭到破坏并迅速蒸发。从种种迹象来看，拥有这一特性的物体很可能是由冰和气体构成的彗星， 或者是混入高熔点微粒的雪状气体。有些科学家则认为，通古斯陨石的质量至少不小于百万吨，速度达 30-40公里每秒。在事发当地的土壤中科学家们找到了含硅酸盐和磁铁矿的微粒，其外部特征很像陨石粉 末和燃烧残余的彗核。当然，在结果尚未澄清之前，科学家们众说纷纭，甚至有的科学家还说构成通古斯 陨石的是一种“反物质”。通古斯陨石坠落后发生的爆炸是这种“反物质”和地球“物质”相互作用的结 果。但是通古斯爆炸发生当地并没有发生放射现象加强的情况。还有一种更有趣的设想是，通古斯陨石很 可能是一种微型黑洞，它在撞击到通古斯森林中后穿过地球进入了大西洋。不管是多么完美和离奇的设想 ，最终都经不起进一步研究的推敲和具体细节的考证，这些设想自然也就只能破产。

发生爆炸原因一直存在争议，但科学家普遍认为，“凶手”是一颗直径仅数十米的小行星。所幸，爆炸发生在人烟稀少的通古斯地区。科学家估计，如果小行星进入地球大气的时间推后5小时，可能会击中俄罗斯首都莫斯科，造成人员、物质损失。

小行星大多由石块、金属和尘埃构成，大小不一。它们聚集在火星和木星轨道之间的“小行星带”，绕太阳公转。但由于质量较小，小行星常受到大行星引力吸引，远离原来的轨道。

科学家认为，直径大于1公里的小行星撞击地球的概率为每10万年1次，但仅此一次就可能毁灭地球。直径接近10米的天体撞上地球的概率为每3000年一次。同时，不少科学家认为，小行星撞地球的风险被严重低估。

通古斯陨石是如何落下的？

通古斯陨石无疑是一颗巨大的天体与地球不期而遇。撞击于1908年6月30日发生在偏僻的西伯利亚原始森 林--今克拉斯诺亚尔斯克边疆区的通古斯卡河地区。当地时间早上7时15分，天空飞来一个巨大的火球。 东西伯利亚的许多居民都见证了这一奇观。这个不明天体在飞行过程中还伴随着轰轰的雷鸣声。接下来的 爆炸发生后引起了地面的震动，叶尼塞河、勒拿河与贝加尔湖之间方圆百万平方公里内都能感觉到震动。 上世纪20年代开始首批科学家开始研究通古斯现象，苏联科学院曾组织以库利克为首的探险队四次前往灾 难发生地进行考察研究。他们的发现是，通古斯陨石坠落地周围的树木成扇形倒落在地，中心地区的树木 只留下根部。大片的树林全被烧毁。在此之后的探险(约有20次)还发现，该地区倾倒的树林呈“蝴蝶”状 ，中心对称轴与陨石的飞行轨迹非常吻合，“蝶翼”呈东-南-东对西-北-西对称状。

近日，俄罗斯各大媒体纷纷报道称，俄罗斯科学家在通古斯地区找到了“硅化铁”，一种在自然条件下根本无法形成的物质，再一次引起人们对地外文明的极大兴趣。

　发现“硅化铁”

俄罗斯克拉斯诺亚尔斯克宇宙博物馆馆长，“通古斯宇宙现象”基金会主席尤里·拉夫宾说，3年前他就和同事们对埃文基一个叫波利古斯的小村庄产生了浓厚兴趣。从宇宙发回的照片显示，这一地区有异常现象，似乎有某种东西坠落此地。

尤里·拉夫宾对这一地区进行了反复考察，并在一个小土丘上意外地发现了“硅化铁”。这一发现不仅令拉夫宾兴奋不已，整个学术界都为之轰动。拉夫宾说，“硅化铁”在自然界中根本无法自然形成。更令人不可思议的是，拉夫宾找到的“硅化铁”中还含有氖、氙、氩三种气体。这样的物质成分组合根本不可能在地球环境下形成。

　外星人的“黑匣子”？

拉夫宾在自己的研究报告中称，这些“硅化铁”毫无疑问是外星飞碟的残片。在这些像鹅卵石一样的“硅化铁”上还刻有整齐的图案，看上去如同象形文字。拉夫宾认为，这些图案不可能自然形成，而是“手工”制品。然而，在拉夫宾等科学家的实验中发现，即便是最强大的激光仪器也只能在“硅化铁”上留下轻微痕迹，象形文字自然不会是人类的祖先画上去的。

拉夫宾认为，“象形文字”也许仅仅是一个漂亮的外表，这种硅晶体里面很可能隐藏着巨大的信息。或许，这就是外星飞碟的“黑匣子”残片。拉夫宾说，他们找到两块一模一样的“硅化铁”，而这两块物体发现的地点相隔70多公里，距通古斯爆炸中心250公里。

其他假说

作为20世纪最大的不解之谜之一的通古斯大爆炸，吸引了无数科学家的研究。因此便有了上百种的假说和解释，但所有的这些假说都不能给所有的怪异现象作出完满的解答。其中较为著名的理论解释和假说有：

上世纪20年代的陨石撞地说和陨石爆炸气化学说、

1930年的彗星彗核爆炸学说、

1932年的宇宙尘埃与地球相撞说、

1934年的彗尾撞击地球说、

1945年的外星宇宙飞船发生核爆炸说、

1946年的火星人飞船爆炸说。

1947年的反物质陨石湮灭说、

1959年的行星内核碎片撞地学说、

1961年的外星飞碟解体说、

1962年的流星引起地球电离层破坏学说、

1964年的外星智能文明利用宇宙激光探测地球生命说、

1965年的外星雪人飞船入侵地球假说、

1966年白矮星的恒星超密度碎片陨落撞地假说、

1967年的自然闪电引起甲烷气体爆炸说、

1968年易燃气体爆炸及水分解说、

1969年宇宙间反物质彗星坠落说、

1993年再次出现了冰陨石坠落假说、

1995年出现了反物质进入地球大气引起爆炸的假说、

1995年的碳球陨石撞地爆炸说、

1996年的小行星坠落说、

1996年的铱含量极高行星撞地学说

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