神反转！全球两大半导体代工巨头打了两个月，握手言和了

雷锋网消息，10 月 29 日下午，GlobalFoundries（雷锋网按：GlobalFoundries 简称 GF，是一家来自美国的芯片代工企业）和台积电宣布，两家公司已经终止了彼此间的专利纠纷，并且签署了交叉授权协议。这项交叉授权协议可适用于彼此在全球范围内现有的半导体专利，以及在未来十年中将要申请的专利。

然而，在过去的两个月里，这两家公司相处得并不愉快；要知道，他们都是在全球半导体代工领域举足轻重的玩家——根据拓墣产业研究院在 2019 年 6 月中旬发布的排行榜，全球芯片代工企业的前三名分别是台积电、三星、GF，其中台积电的市场份额为 49.2%，第二名三星的份额为 18%，而第三名 GF 的市场份额为 8.7%。因此，他们之间的产生关于专利的法律纠纷，可以称得上是半导体行业的大震荡。

今年 8 月 26 日，GF 在美国和德国对台积电发起诉讼，称台积电侵犯了其 16 项专利；这起诉讼分别在美国国际贸易委员会（ITC）、位于 Delaware 和德克萨斯州西部的美国联邦地区法院以及德国杜塞尔多夫和慕尼黑的地区法院发起。

雷锋网注：上图为 GF 对台积电的 16 项指控

其实，将台积电代工的半导体产品进口至美国和德国的，并不是台积电本身，而是台积电的客户。也就是说，GF 在美德两国对台积电提起诉讼，实际上是在寻求一个更广泛的禁令，即只要相关企业的产品中包含了本案所涉及的芯片，就不能进口至美国和德国。

如果 GF 的诉讼得到了法律的支持，众多消费者电子产品厂商和 科技 企业都要受到影响。根据 Tom's Hardware 的解读，本案所涉及的 20 家企业列表如下：

GF 在八月对台积电提起第一起诉讼时，台积电就称这些指控是毫无根据的，它将在法庭上为自己辩护。除此之外，台积电发言人 Elizabeth Sun 也针对这起诉讼进行了回应：

时至十月初，台积电驳回了 GF 的指控，并反过来对 GF 提起诉讼，指控其侵犯了台积电节点流程相关的 25 项专利。

总而言之，同为全球半导体代工领域的重要参与者，两家公司之间有着千丝万缕的联系，其中不乏在利益方面的碰撞。近日，两家公司握手言和，签订交叉许可协议也算得上是一件值得欣慰的事情；毕竟持续的诉讼的结果大概率是两败俱伤，更重要的是将精力倾注到产品和技术创新上。

半导体的发现实际上可以追溯到很久以前。

1833年，英国科学家电子学之父法拉第最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属，一般情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但巴拉迪发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。这是半导体现象的首次发现。

不久，1839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结，在光照下会产生一个电压，这就是后来人们熟知的光生伏特效应，这是被发现的半导体的第二个特征。

1873年，英国的史密斯发现硒晶体材料在光照下电导增加的光电导效应，这是半导体又一个特有的性质。

半导体的这四个效应，(jianxia霍尔效应的余绩──四个伴生效应的发现)虽在1880年以前就先后被发现了，但半导体这个名词大概到1911年才被考尼白格和维斯首次使用。而总结出半导体的这四个特性一直到1947年12月才由贝尔实验室完成。

在1874年，德国的布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关，即它的导电有方向性，在它两端加一个正向电压，它是导通的；如果把电压极性反过来，它就不导电，这就是半导体的整流效应，也是半导体所特有的第三种特性。同年，舒斯特又发现了铜与氧化铜的整流效应。

扩展资料：

人物贡献:

1、英国科学家法拉第(MIChael Faraday，1791~1867)

在电磁学方面拥有许多贡献，但较不为人所知的，则是他在1833年发现的其中一种半导体材料。

硫化银，因为它的电阻随着温度上升而降低，当时只觉得这件事有些奇特，并没有激起太大的火花；

然而，今天我们已经知道，随着温度的提升，晶格震动越厉害，使得电阻增加，但对半导体而言，温度上升使自由载子的浓度增加，反而有助于导电，这也是半导体一个非常重要的物理性质。

2、德国的布劳恩(Ferdinand Braun，1850~1918)。

注意到硫化物的电导率与所加电压的方向有关，这就是半导体的整流作用。

但直到1906年，美国电机发明家匹卡(G. W. PICkard，1877~1956)，才发明了第一个固态电子元件：无线电波侦测器(cat’s whisker)，它使用金属与硅或硫化铅相接触所产生的整流功能，来侦测无线电波。

在整流理论方面，德国的萧特基(Walter Schottky，1886~1976)在1939年，于「德国物理学报」发表了一篇有关整流理论的重要论文，做了许多推论，他认为金属与半导体间有能障(potential barrier)的存在，其主要贡献就在于精确计算出这个能障的形状与宽度。

3、布洛赫(Felix BLOCh，1905~1983)

在这方面做出了重要的贡献，其定理是将电子波函数加上了周期性的项，首开能带理论的先河。

另一方面，德国人佩尔斯(Rudolf Peierls， 1907~ ) 于1929年，则指出一个几乎完全填满的能带，其电特性可以用一些带正电的电荷来解释，这就是电洞概念的滥觞；

他后来提出的微扰理论，解释了能隙(Energy gap)存在。

参考资料来源：百度百科-半导体

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