青岛航天半导体研究所 怎么样

青岛航天半导体研究所有限公司创建于1965年，是我国高可靠混合集成电路专业研究与生产单位，产品广泛应用于航空、石油和工业自动化等领域。企业现有职工300余人，其中工程技术人员165人；所区占地面积9550余m2，现有12000 m2的工业厂房（其中2000 m2净化厂房）和3600m2的科研办公综合楼。企业总资产1.1亿元。近年来，青岛航天半导体研究所有限公司加快了生产能力的建设，经过“九五”以来的技术改造，共引进研制生产、试验仪器设备350余台（套），建成了具备国际先进水平的厚膜混合集成电路研制生产线，微电路模块（SMT）研制生产线，电力电子产品生产线，厚膜DC/DC电源生产线，半导体器件封装测试线，同时具备了薄膜混合集成电路研制生产条件，科研生产能力得到了快速发展。青岛航天半导体研究所有限公司现已通过了GB/T9001质量管理体系认证，近几年来，青岛航天半导体研究所有限公司大力倡导企业质量文化建设，始终坚持以“人人认真，事事严谨，一流产品，一流服务”质量方针为指导，提出“没有质量，就没有数量，没有效益”的企业质量文化理念，以“严、慎、细、实”的工作作风，完善质量保证体系，实现了产品的质量水平和技术水平的同步增长、产值与效益的同步增长。青岛航天半导体研究所有限公司主要产品类别有： ⑴信号变换类电路：包括（V/F、I/F、F/V、V/I、V/V）转换器、滤波器、加速度计伺服电路、陀螺解调电路，高精度恒流源、高线性度鉴频器、陀螺再平衡电路、直流电机双向驱动器、高对称性双通道频率补偿网络等产品。 ⑵电源类产品：1～600W中、小功率DC/DC、DC/AC、AC/AC等电源模块，高压、低压电源模块，二、三相陀螺电源等。Interpoint、Vicor、VPT等全兼容产品。 ⑶半导体器件：可控硅、整流器件、中小功率三极管、运算放大器、专用半导体集成电路等后道封装、测试。IGBT智能模块和固态继电器等产品。 ⑷传感器及变送器：半导体温度传感器、差容式压力传感器，各类传感器的变送器。

具体的情况需要打过交道用过产品，根据自己的意向评价才能够进行

行业主要上市企业：目前国内第三代半导体行业的上市公司主要有华润微(688396)三安光电(600703)士兰微(600460)闻泰科技(600745)新洁能(605111)露笑科技(002617)斯达半导(603290)等。

定义

以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AIN)为代表的宽禁带半导体材料，被称为第三代半导体材料，目前发展较为成熟的是碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)。

与传统材料相比，第三代半导体材料更适合制造耐高温、耐高压、耐大电流的高频大功率器件，因此，其为基础制成的第三代半导体具备更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的导热率，以及更强的抗辐射能力等诸多优势，在高温、高频、强辐射等环境下被广泛应用。

行业发展现状

1、产值规模逆势增长

随着5G、新能源汽车等市场发展，第三代半导体的需求规模保持高速增长。同时，中美贸易战的影响给国产第三代半导体材料带来了发展良机。2020年以来，在国内大半导体产业增长乏力的大背景下，我国第三代半导体产业实现逆势增长。

2021年我国第三代半导体产业电力电子和射频电子两个领域实现总产值达127亿元，较2020年增长20.4%。

其中SiC、GaN电力电子产值规模达58亿元，同比增长29.6%。GaN微波射频产值达到69亿元，同比增长13.5%，较前两年稍有放缓。

2、产能大幅增长但仍供应不足

根据CASA数据显示截至2020年底，我国SiC导电型衬底折算4英寸产能约40万片/年，SiC-on-SiC外延片折算6英寸产能约为22万片/年，SiC-onSiC器件/模块(4/6英寸兼容)产能约26万片/年。

GaN-on-Si外延片折算6英寸产能约为28万片/年，GaN-on-Si器件/模块折算6英寸产能约为22万片/年。

2021年，第三代半导体产能建设项目如火如荼开展，据CASA不完全统计，2021年大陆地区SiC衬底环节新增投产项目7项，披露新增投产年产能超过57万片。三安半导体、国宏中能、同光科技、中科钢研、合肥露笑科技等企业相继宣布进入投产阶段。此外，微芯长江、南砂晶圆、泽华电子三家宣布SiC项目工程封顶。

但随着新能源汽车、5G、PD快充等市场的发展，我国国产化第三代半导体产品无法满足庞大的市场需求，目前有超过八成产品以来进口。可见第三代半导体产品国产化替代空间较大。

3、电力电子器件市场规模超70亿元

2017-2021年，中国SiC、GaN电力电子器件应用市场快速增长。2021年我国SiC、GaN电力电子器件应用市场规模达到71.1亿元，同比增长51.9%，第三代半导体在电力电子领域渗透率超过2.3%，较2020年提高了0.7个百分点。

目前，GaN电力电子器件主要应用在快充领域。SiC电力电子器件重点应用于新能源汽车和充电桩领域。我国作为全球最大的新能源汽车市场，第三代半导体器件在新能源汽车领域的渗透快于整车市场，占比达57%PD快充占9%PV光伏占了7%。

2021年，我国GaN微波射频器件市场规模约为73.3亿元，同比增长11%。其中国防军事与航天应用规模34.8亿元，成为GaN射频主要拉动因素。

全国各地5G基站建设在近几年达到高峰，2021年无线基础设施是我国GaN微波射频器件的主要应用领域，占比约50%，其次为国防军事应用，市场占比约为43%。

更多本行业研究分析详见前瞻产业研究院《中国第三代半导体材料行业发展前景预测与投资战略规划分析报告》。

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