mems工艺和半导体工艺的区别

mems工艺和半导体工艺的区别：

1、MEMS加工技术工艺是根据产品需要，在各类衬底（硅衬底，玻璃衬底，石英衬底，蓝宝石衬底等等）制作微米级微型结构的加工工艺。而ic工艺则侧重于半导体器件的制作，其衬底基本以硅衬底为主，少数特殊器件会使用GaAs/GaN等材料，其工艺核心是为了制作高集成度的各类器件，目前已经做到纳米级，特征尺寸更加精细。MEMS加工技术工艺制作的微型结构主要是作为各类传感器和执行器等，其中更加器件原理需要而制作的可动结构（齿轮，悬臂梁，空腔，桥结构等）以及各种功能材料，本质上是将环境中的各种特征参数（温度，压力，气体，流量等等）变化通过微型结构转化为各种电信号（电压，电阻，电流等）的差异，以实现小型化高灵敏的传感器和执行器。

2、半导体工艺指半导体制造工艺，工艺过程多晶硅到区熔或直拉到单晶硅棒到滚、切、磨、抛到硅片，硅片是一种硅材料通过加工切成一片一片的。硅是一种硬度很高的物质，硅材料看起来像石头一样，他要经过清洗干净然后用炉子加热融化形成一个大块的硅锭，然后再用特定机器来进行细切成一片一片。

MEMS制造工艺（Microfabrication Process）是下至纳米尺度，上至毫米尺度微结构加工工艺的通称。广义上的MEMS制造工艺，方式十分丰富，几乎涉及了各种现代加工技术。

起源于半导体和微电子工艺，以光刻、外延、薄膜淀积、氧化、扩散、注入、溅射、蒸镀、刻蚀、划片和封装等为基本工艺步骤来制造复杂三维形体的微加工技术。

光刻：

光刻是将制作在光刻掩模上的图形转移（Pattern Transfer）到衬底的表面上。无论加工何种微器件，微加工工艺都可以分解成薄膜淀积，光刻和刻蚀这三个工艺步骤的一个或者多个循环。

光刻在MEMS制造过程中位于首要地位，其图形分辨率、套刻精度、光刻胶侧壁形貌、光刻胶缺陷和光刻胶抗刻蚀能力等性能都直接影响到后续工艺的成败。

我来解释一下，我深入接触过MEMS工艺。

MEMS工艺：加工目标是制备芯片，加工对象是硅片等半导体基片。具体工艺中继承了IC工艺的诸多步骤，譬如光刻、氧化（干氧+湿氧）、CVD、离子注入等；同时又有自己特有的工艺部分，譬如DRIE（用于加工深槽和可动结构）。概括地讲，MEMS工艺是涵盖一种加法工艺（CVD等）和减法工艺（DRIE、湿法腐蚀等）。

PCB工艺：加工目标是连接多个不同的电路元件，例如芯片、电阻、电容等元器件；加工对象是不同的铜连接线的布局和布线。PCB工艺一般电子电路设计工程师都无需接触，均可在工厂里 *** 作。具体来讲，PCB设计工程师只需给一张你做好的版图，发给PCB厂商，一周内基本都做的了。

所以，MEMS工艺和PCB工艺是两种截然不同的工艺，不管从加工对象、目标方面来讲，还是工艺具体内容、细节来讲来讲都有本质的区别。前者是前道做芯片的，后者是基于芯片做小系统的；前者需要开发、探索的东西许多，后者则相对成熟的多。

纯手打，如能解决问题，请采纳，需分。

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